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ADG5213BRUZ

ADG5213BRUZ

  • 厂商:

    AD(亚德诺)

  • 封装:

    TSSOP16_5X4.4MM

  • 描述:

    SPST, 4 FUNC, 1 CHANNEL, CMOS, P

  • 数据手册
  • 价格&库存
ADG5213BRUZ 数据手册
高压防闩锁型四通道 SPST开关 ADG5212/ADG5213 产品特性 功能框图 防闩锁 S1 IN1 5 pF关断漏极电容 D1 0.07 pC电荷注入 低泄漏:0.2 nA(最大值,85°C) S2 IN2 D2 D2 ADG5212 9 V至40 V单电源供电 ADG5213 S3 IN3 S3 IN3 D3 额定电源电压范围:±15V、±20V、+12V、+36V 模拟信号范围:VSS至VDD D1 S2 IN2 ±9 V至±22 V双电源供电 最大额定电源电压:48 V S1 IN1 D3 S4 IN4 S4 IN4 D4 应用 自动测试设备 SWITCHES SHOWN FOR A LOGIC 1 INPUT. D4 09767-001 3 pF关断源极电容 图1. 数据采集 仪器仪表 航空电子 音频和视频开关 通信系统 概述 产品特色 ADG5212/ADG5213内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。 ADG5212开关的导通条件是相关控制输入为逻辑1。ADG5213 有两个开关的数字控制逻辑与ADG5212相似,其它两个开关的 控制逻辑则相反。当接通时,各开关在两个方向的导电性能相 同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下,高 至电源电压的信号电平被阻止。 1. 沟槽隔离可防止闩锁。 电介质沟槽将P沟道与N沟道晶体管分开,保证即使在 严重过压状况下,也不会发生闩锁现象。 2. 超低电容,电荷注入低于1 pC。 3. 双电源供电。 对于双极性模拟信号应用,ADG5212/ADG5213可以采 用高达±22 V的双电源供电。 4. 单电源供电。 对于单极性模拟信号应用,ADG5212/ADG5213可以采 用高达40 V的单轨电源供电。 5. 3 V逻辑兼容数字输入。 VINH = 2.0 V,VINL = 0.8 V。 6. 无需VL逻辑电源。 ADG5212和ADG5213没有VL引脚。在整个工作电压范围内,数 字输入与3 V逻辑输入兼容。 这些开关具有超低电容和电荷注入特性,因而是要求低毛刺和 快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案。较 快的开关速度及高信号带宽,使这些器件适合视频信号切换应用。 Rev. 0 Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. Tel: 781.329.4700 www.analog.com Fax: 781.461.3113 ©2011 Analog Devices, Inc. All rights reserved. ADI中文版数据手册是英文版数据手册的译文,敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误,ADI不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性,请参考ADI提供 的最新英文版数据手册。 ADG5212/ADG5213 目录 特性.................................................................................................... 1 每通道连续电流,Sx或Dx ...................................................... 7 应用.................................................................................................... 1 绝对最大额定值.............................................................................. 8 功能框图 ........................................................................................... 1 ESD警告....................................................................................... 8 概述.................................................................................................... 1 引脚配置和功能描述 ..................................................................... 9 产品特色 ........................................................................................... 1 典型工作性能 ................................................................................ 10 修订历史 ........................................................................................... 2 测试电路 ......................................................................................... 14 技术规格 ........................................................................................... 3 术语.................................................................................................. 16 ±15 V双电源 ............................................................................... 3 沟槽隔离 ......................................................................................... 17 ±20 V双电源 ............................................................................... 4 应用信息 ......................................................................................... 18 12 V单电源.................................................................................. 5 外形尺寸 ......................................................................................... 19 36 V单电源.................................................................................. 6 订购指南.................................................................................... 19 修订历史 2011年4月—修订版0:初始版 Rev. 0 | Page 2 of 20 ADG5212/ADG5213 技术规格 ±15 V双电源 除非另有说明,VDD = +15 V ± 10%,VSS = −15 V ± 10%,GND = 0 V 表1. 参数 25°C 模拟开关 模拟信号范围 导通电阻RON 160 通道间导通电阻匹配ΔRON 导通电阻平坦度RFLAT (ON) 200 2 8 38 50 −40°C 至 +85°C −40°C 至 +125°C 单位 VDD至VSS V(最大值) Ω(典型值) 250 280 9 10 65 70 Ω(最大值) Ω(典型值) Ω(最大值) Ω(典型值) Ω(最大值) 漏电流 源极关断漏电流IS (Off) 0.01 0.1 0.01 0.2 漏极关断漏电流ID (Off) 0.1 0.02 0.2 0.2 0.4 0.25 0.9 通道导通漏电流ID (On)、IS (On) 数字输入 输入高电压VINH 输入低电压VINL 输入电流IINL或IINH 数字输入电容CIN 动态特性1 tON tOFF 先开后合时间延迟tD (仅ADG5213) 0.4 2.0 0.8 0.002 ±0.1 3 175 210 140 170 40 255 280 195 215 20 nA(最大值) nA(典型值) nA(最大值) nA(典型值) nA(最大值) dB(典型值) 通道间串扰 −105 dB(典型值) -3 dB带宽 插入损耗 435 −6.8 MHz(典型值) dB(典型值) 3 5 8 pF(典型值) pF(典型值) pF(典型值) VDD/VSS 通过设计保证,但未经生产测试。 Rev. 0 | Page 3 of 20 VS = ±10 V,VD = 10 V; 参见图23 VS = VD = ±10 V;参见图26 VS1 = VS2 = 10 V;参见图29 VS = 0 V,RS = 0 Ω,CL = 1 nF; 参见图31 RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz; 参见图25 RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz; 参见图27 R = 50 Ω,CL = 5 pF;参见图28 L RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz; 参见图28 VS = 0 V,f = 1 MHz VS = 0 V,f = 1 MHz VS = 0 V, f = 1 MHz VDD = +16.5 V, VSS = −16.5 V 数字输入 = 0 V或VDD −105 1 ±9/±22 VS = ±10 V,VD = 10 V; 参见图23 RL = 300 Ω,CL = 35 pF VS = 10 V;参见图30 RL = 300 Ω,CL = 35 pF VS = 10 V;参见图30 RL = 300 Ω, CL= 35 pF 关断隔离 ISS VDD = +16.5 V,VSS = −16.5 V ns(典型值) ns(最大值) ns(典型值) ns(最大值) ns(典型值) ns(最小值) pC(典型值) 70 VS = ±10 V,IS = −1 mA VIN = VGND或VDD 0.07 45 55 0.001 VS = ±10 V,IS = −1 mA; 参见图24 VDD = +13.5 V,VSS = −13.5 V VS = ±10 V,IS = −1 mA V(最小值) V(最大值) μA(典型值) μA(最大值) pF(典型值) 电荷注入QINJ CS (Off) CD (Off) CD (On)和CS (On) 电源要求 IDD 1 nA(典型值) 测试条件/注释 μA(典型值) μA(最大值) μA(典型值) μA(最大值) V,最小值/最大值 数字输入 = 0 V或VDD GND = 0 V ADG5212/ADG5213 ±20 V双电源 除非另有说明,VDD = +20 V ± 10%,VSS = -20 V ± 10%,GND = 0 V。 表2. 参数 模拟开关 模拟信号范围 导通电阻RON 通道间导通电阻匹 配ΔRON 导通电阻平坦度RFLAT (ON) 25°C −40°C 至 +85°C 140 −40°C 至 +125°C 单位 VDD至VSS V(最大值) Ω(典型值) 230 Ω(最大值) Ω(典型值) 160 1.5 200 8 33 45 9 10 55 60 漏电流 源极关断漏电流IS (Off) 0.01 0.1 0.01 0.2 漏极关断漏电流ID (Off) 0.1 0.02 0.2 0.2 0.4 0.25 0.9 通道导通漏电流ID (On)、IS (On) 数字输入 输入高电压VINH 输入低电压VINL 输入电流IINL或IINH 数字输入电容CIN 动态特性1 tON tOFF 先开后合时间延迟tD (仅ADG5213) nA(典型值) 0.4 2.0 0.8 0.002 ±0.1 3 155 195 145 165 35 Ω(最大值) Ω(典型值) Ω(最大值) 235 255 185 210 20 nA(最大值) nA(典型值) VS = ±15 V,IS = −1 mA; 参见图24 VDD = +18 V,VSS = −18 V VS = ±15 V,IS = −1 mA VS = ±15 V,IS = −1 mA VDD = +22 V,VSS = −22 V VS = ±15 V,VD = 15 V; 参见图23 VS = ±15 V,VD = 15 V; 参见图23 nA(最大值) nA(典型值) nA(最大值) VS = VD = ±15 V;参见图26 V(最小值) V(最大值) μA(典型值) μA(最大值) pF(典型值) VIN = VGND或VDD ns(典型值) ns(最大值) ns(典型值) ns(最大值) ns(典型值) 电荷注入QINJ −0.5 ns(最小值) pC(典型值) 关断隔离 −105 dB(典型值) 通道间串扰 −105 dB(典型值) -3 dB带宽 460 MHz(典型值) 插入损耗 −6 dB(典型值) CS (Off) CD (Off) CD (On), CS (On) 2.8 4.8 8 pF(典型值) pF(典型值) pF(典型值) Rev. 0 | Page 4 of 20 测试条件/注释 RL = 300 Ω,CL = 35 pF VS = 10 V;参见图30 RL = 300 Ω,CL = 35 pF VS = 10 V;参见图30 RL = 300 Ω,CL = 35 pF VS1 = VS2 = 10 V;参见图29 VS = 0 V,RS = 0 Ω,CL = 1 nF; 参见图31 RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz; 参见图25 RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz; 参见图27 RL = 50 Ω,CL = 5 pF; 参见图28 RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz; 参见图28 VS = 0 V,f = 1 MHz VS = 0 V,f = 1 MHz VS = 0 V,f = 1 MHz ADG5212/ADG5213 参数 电源要求 IDD ISS 25°C −40°C 至 +85°C 单位 测试条件/注释 VDD = +22 V,VSS =−22 V 50 70 0.001 110 1 ±9/±22 VDD/VSS 1 −40°C 至 +125°C μA(典型值) 数字输入 = 0 V或VDD μA(最大值) μA(典型值) 数字输入 = 0 V或VDD μA(最大值) V,最小值/最大值 GND = 0 V 通过设计保证,但未经生产测试。 12 V单电源 除非另有说明,VDD = 12 V ± 10%,VSS = 0 V,GND = 0 V。 表3. 参数 25°C 模拟开关 模拟信号范围 导通电阻RON 350 通道间导通电阻匹配ΔRON 导通电阻平坦度RFLAT (ON) 500 4 20 160 280 −40°C 至 +85°C −40°C 至 +125°C 单位 0 V至VDD V(最大值) Ω(典型值) 610 700 21 22 335 370 Ω(最大值) Ω(典型值) Ω(最大值) Ω(典型值) Ω(最大值) 漏电流 源极关断漏电流IS (Off) 0.01 0.1 0.01 0.2 漏极关断漏电流ID (Off) 0.1 0.02 0.2 通道导通漏电流ID (On)、IS (On) 0.2 0.25 数字输入 输入高电压VINH 输入低电压VINL 输入电流IINL或IINH 数字输入电容CIN 动态特性1 tON tOFF 先开后合时间延迟tD (仅ADG5213) nA(典型值) 0.4 0.4 nA(最大值) nA(典型值) VS = 0 V至10 V,IS = −1 mA; 参见图24 VDD = 10.8 V,VSS = 0 V VS = 0 V至10 V,IS = −1 mA VS = 0 V至10 V,IS = −1 mA VDD = 13.2 V,VSS = 0 V VS = 1 V/10 V,VD = 10 V/1 V; 参见图23 VS = 1 V/10 V,VD = 10 V/1 V; 参见图23 VS = VD = 1 V/10 V; 参见图26 0.9 nA(最大值) 2.0 0.8 V(最小值) V(最大值) μA(典型值) μA(最大值) pF(典型值) VIN = VGND或VDD ns(典型值) ns(最大值) ns(典型值) ns(最大值) ns(典型值) RL = 300 Ω,CL = 35 pF VS = 8 V;参见图30 RL = 300 Ω,CL = 35 pF VS = 8 V;参见图30 RL = 300 Ω,CL = 35 pF VS1 = VS2 = 8 V;参见图29 VS = 6 V,RS = 0 Ω,CL = 1 nF; 参见图31 RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz; 参见图25 RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz; 参见图27 RL = 50 Ω,CL = 5 pF; 参见图28 0.002 ±0.1 3 235 290 165 205 85 nA(最大值) nA(典型值) 测试条件/注释 360 410 235 260 50 电荷注入QINJ −0.5 ns(最小值) pC(典型值) 关断隔离 −105 dB(典型值) 通道间串扰 −105 dB(典型值) −3 dB带宽 340 MHz(典型值) Rev. 0 | Page 5 of 20 ADG5212/ADG5213 参数 插入损耗 CS(Off) CD (Off) CD (On)和CS (On) 电源要求 IDD 25°C −11 −40°C 至 +85°C −40°C 至 +125°C 单位 测试条件/注释 dB(典型值) RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz; 参见图28 VS = 6 V,f = 1 MHz VS = 6 V,f = 1 MHz VS = 6 V,f = 1 MHz 3.5 5.5 9 pF(典型值) pF(典型值) pF(典型值) 40 μA(典型值) μA(最大值) V,最小值/最大值 65 9/40 VDD VDD = 13.2 V 数字输入 = 0 V或VDD GND = 0 V,VSS = 0 V 1 通过设计保证,但未经生产测试。 36 V单电源 除非另有说明,VDD = 36 V ± 10%,VSS = 0 V,GND = 0 V。 表4. 参数 25°C 模拟开关 模拟信号范围 导通电阻RON 150 通道间导通电阻匹配ΔRON 导通电阻平坦度RFLAT (ON) 170 1.6 8 35 50 −40°C 至 +85°C −40°C 至 +125°C 单位 0 V至VDD V(最大值) Ω(典型值) 215 245 9 10 60 65 Ω(最大值) Ω(典型值) Ω(最大值) Ω(典型值) Ω(最大值) 漏电流 源极关断漏电流IS (Off) 0.01 0.1 0.01 0.2 漏极关断漏电流ID (Off) 0.1 0.02 0.2 通道导通漏电流ID (On)、IS (On) 0.2 0.25 数字输入 输入高电压VINH 输入低电压VINL 输入电流IINL或IINH 数字输入电容CIN 动态特性1 tON tOFF 先开后合时间延迟tD (仅ADG5213) nA(典型值) 0.4 0.4 nA(最大值) nA(典型值) VS = 0 V至30 V,IS = −1 mA; 参见图24 VDD = 32.4 V,VSS = 0 V VS = 0 V至30 V,IS =−1 mA VS = 0 V至30 V,IS =−1 mA VDD = 39.6 V,VSS = 0 V VS = 1 V/30 V,VD = 30 V/1 V; 参见图23 VS = 1 V/30 V,VD = 30 V/1 V 参见图23 VS = VD = 1 V/30 V; 参见图26 0.9 nA(最大值) 2.0 0.8 V(最小值) V(最大值) μA(典型值) μA(最大值) pF(典型值) VIN = VGND或VDD ns(典型值) ns(最大值) ns(典型值) ns(最大值) ns(典型值) RL = 300 Ω,CL = 35 pF VS = 18 V;参见图30 RL = 300 Ω,CL = 35 pF VS = 18 V;参见图30 RL = 300 Ω,CL = 35 pF VS1 = VS2 = 18 V;参见图29 VS = 18 V,RS = 0 Ω,CL = 1 nF; 参见图31 RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz; 参见图25 RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz; 参见图27 0.002 ±0.1 3 190 230 175 215 45 nA(最大值) nA(典型值) 测试条件/注释 255 265 230 245 25 电荷注入QINJ −0.5 ns(最小值) pC(典型值) 关断隔离 −105 dB(典型值) 通道间串扰 −105 dB(典型值) Rev. 0 | Page 6 of 20 ADG5212/ADG5213 −3 dB带宽 25°C 410 插入损耗 −6.8 dB(典型值) 3 5 8 pF(典型值) pF(典型值) pF(典型值) 参数 CS (Off) CD (Off) CD , 电源要求 IDD (On) S −40°C 至 +85°C 80 100 单位 测试条件/注释 MHz(典型值) RL = 50 Ω,CL = 5 pF; 参见图28 RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz; 参见图28 VS = 18 V,f = 1 MHz VS = 18 V,f = 1 MHz VS = 18 V,f = 1 MHz VDD = 39.6 V 数字输入 = 0 V或VDD μA(典型值) μA(最大值) V,最小值/最大值 130 9/40 VDD 1 −40°C 至 +125°C GND = 0 V,VSS = 0 V 通过设计保证,但未经生产测试。 每通道连续电流,Sx或Dx 表5. 参数 连续电流,Sx或Dx VDD = +15 V,VSS = −15 V TSSOP (θJA = 112.6°C/W) LFCSP (θJA = 30.4°C/W) VDD = +20 V,VSS = −20 V TSSOP (θJA = 112.6°C/W) LFCSP (θJA = 30.4°C/W) VDD = 12 V,VSS = 0 V TSSOP (θJA = 112.6°C/W) LFCSP (θJA = 30.4°C/W) VDD = 36 V,VSS = 0 V TSSOP (θJA = 112.6°C/W) LFCSP (θJA = 30.4°C/W) 25°C 85°C 125°C 单位 18 32 10 15 5 6 mA(最大值) mA(最大值) 29 50 16 22 8 9 mA(最大值) mA(最大值) 18 32 12 17 7 8 mA(最大值) mA(最大值) 34 59 18 24 8 9 mA(最大值) mA(最大值) Rev. 0 | Page 7 of 20 ADG5212/ADG5213 绝对最大额定值 除非另有说明,TA = 25°C。 注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损 表6. 参数 VDD至VSS VDD至GND VDD至GND 模拟输入1 数字输入1 峰值电流,Sx或Dx引脚 连续电流,Sx或Dx2 温度 工作范围 存储范围 结温 热阻θJA 16引脚TSSOP(4层板) 16引脚LFCSP(4层板) 回流焊峰值温度, 无铅 1 2 额定值 48 V − 0.3 V至+48 V +0.3 V至− 48 V VSS − 0.3 V至VDD + 0.3 V或30 mA, 以最先出现者为准 VSS − 0.3 V至VDD + 0.3 V或30 mA, 以最先出现者为准 60 mA(1 ms脉冲,最大10%占空比) 坏。这只是额定最值,并不能以这些条件或者在任何其它 超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下,推断器件 能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响 器件的可靠性。 任何时候只能使用一个绝对最大额定值。 ESD警告 数据 + 15% ESD(静电放电)敏感器件。 带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放 电。尽管本产品具有专利或专有保护电路,但在遇 到高能量ESD时,器件可能会损坏。因此,应当采 取适当的ESD防范措施,以避免器件性能下降或功 能丧失。 − 40°C 至+125°C − 65°C 至+150°C 150°C 112.6°C/W 30.4°C/W 260(+0/−5)°C INx、Sx和Dx引脚上的过压由内部二极管箝位。电流以给出的最大额定值为限。 参见表5。 . Rev. 0 | Page 8 of 20 ADG5212/ADG5213 S1 1 VSS 2 TOP VIEW 12 NC (Not to Scale) S4 6 11 S3 GND 5 D3 IN4 8 9 IN3 NC = NO CONNECT TOP VIEW (Not to Scale) D4 5 10 S4 4 09767-002 D4 7 GND 3 ADG5212/ ADG5213 图3. LFCSP引脚配置 表7. 引脚功能描述 引脚编号 LFCSP 15 16 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 EP 引脚名称 IN1 D1 S1 VSS GND S4 D4 IN4 IN3 D3 S3 NC VDD S2 D2 IN2 底焊盘 描述 逻辑控制输入。 漏极引脚。该引脚可以是输入或输出。 源极引脚。该引脚可以是输入或输出。 最低负电源电位。 地(0 V)参考。 源极引脚。该引脚可以是输入或输出。 漏极引脚。该引脚可以是输入或输出。 逻辑控制输入。 逻辑控制输入。 漏极引脚。该引脚可以是输入或输出。 源极引脚。该引脚可以是输入或输出。 不连接。这些引脚开路。 最高正电源电位。 源极引脚。该引脚可以是输入或输出。 漏极引脚。该引脚可以是输入或输出。 逻辑控制输入。 底焊盘。底焊盘内部连接。为提高焊接接头的可靠性 并实现最大散热效果,建议将焊盘焊接到基板VSS。 1 N/A表示不适用 表8. ADG5212真值表 ADG5212 INx 1 0 开关条件 开 关 表9. ADG5213真值表 ADG5213 INx 0 1 11 VDD 10 NC 9 S3 NOTES 1. EXPOSED PAD TIED TO SUBSTRATE, VSS. 2. NC = NO CONNECT. 图2. TSSOP引脚配置 TSSOP 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 1 N/A 12 S2 S1、S4 关 开 S2、S3 开 关 Rev. 0 | Page 9 of 20 09767-003 VDD ADG5212/ ADG5213 14 IN2 S2 13 VSS 4 13 D2 14 D3 8 D2 S1 3 15 IN1 IN2 15 IN3 7 16 D1 2 IN4 6 IN1 1 16 D1 引脚配置和功能描述 ADG5212/ADG5213 典型工作性能 160 TA = 25°C 140 VDD = +18V VSS = –18V ON RESISTANCE ( ) 100 VDD = +20V VSS = –20V 80 VDD = +22V VSS = –22V 60 100 60 40 20 20 –20 –15 –10 –5 0 5 10 15 20 25 VS, VD (V) 0 0 5 TA = 25°C 10 15 20 25 30 35 40 VS, VD (V) 图4. RON 与VS 、VD 的关系(双电源) 250 VDD = 39.6V VSS = 0V VDD = 36V VSS = 0V 80 40 0 –25 VDD = 32.4V VSS = 0V 120 09767-104 ON RESISTANCE ( ) 120 TA = 25°C 140 09767-107 160 图7. RON 与VS 、VD 的关系(单电源) 250 VDD = +9V VSS = –9V 200 VDD = +15V VSS = –15V 200 ON RESISTANCE ( ) 150 VDD = +13.2V VSS = –13.2V 100 VDD = +16.5V VSS = –16.5V VDD = +15V VSS = –15V TA = +25°C 100 50 –15 –10 –5 0 5 10 15 20 VS, VD (V) 0 –15 09767-105 0 –20 500 TA = 25°C 450 160 ON RESISTANCE ( ) 250 200 150 15 100 TA = +25°C 80 TA = –40°C 20 60 20 10 6 VS, VD (V) 12 4 14 09767-106 50 0 2 图6. RON 与VS 、VD 的关系(单电源) TA = +85°C 120 40 8 10 TA = +125°C 140 100 0 5 180 VDD = 12V VSS = 0V VDD = 13.2V VSS = 0V 300 0 200 VDD = 9V VSS = 0V 350 –5 图8. 不同温度下RON 与VS 、VD 的关系(±15 V双电源) VDD = 10.8V VSS = 0V 400 –10 VS, VD (V) 图5. RON 与VS 、VD 的关系(双电源) ON RESISTANCE ( ) TA = –40°C 09767-108 50 TA = +85°C 150 09767-109 ON RESISTANCE ( ) TA = +125°C VDD = +20V VSS = –20V 0 –20 –15 –10 –5 0 5 10 15 VS, VD (V) 图9. 不同温度下RON 与VS 、VD 的关系(±20 V双电源) Rev. 0 | Page 10 of 20 ADG5212/ADG5213 100 400 TA = +125°C 340 TA = +85°C 50 LEAKAGE CURRENT (pA) 300 TA = +25°C 250 200 TA = –40°C 150 100 ID (OFF) – + VDD = 12V VSS = 0V IS (OFF) – + –50 ID (OFF) + – –100 ID, IS (ON) – – 2 4 6 8 10 12 VS, VD (V) VDD = +20V VSS = –20V VBIAS = +15V/–15V –200 0 40 LEAKAGE CURRENT (pA) ON RESISTANCE ( ) TA = +125°C 150 TA = +85°C TA = +25°C 100 TA = –40°C 50 10 15 20 25 30 35 ID (OFF) – + 0 VS, VD (V) IS (OFF) – + –40 –60 ID (OFF) + – –80 –100 0 50 IS (OFF) + – IS (OFF) + – IS (OFF) – + –40 –60 ID (OFF) + – –100 ID, IS (ON) – – 50 75 100 125 ID, IS (ON) + + 125 ID (OFF) – + 100 TEMPERATURE (°C) IS (OFF) – + –50 –100 ID (OFF) + – –150 ID, IS (ON) – – –200 125 09767-112 VDD = +15V –120 VSS = –15V VBIAS = +10V/–10V –140 0 25 75 0 LEAKAGE CURRENT (pA) –20 50 图14. 漏电流与温度的关系(12 V单电源) 0 –80 25 TEMPERATURE (°C) ID, IS (ON) + + ID (OFF) – + ID, IS (ON) – – VDD = 12V VSS = 0V VBIAS = 1V/10V 图11. 不同温度下RON 与VS 、VD 的关系 (36 V单电源) 20 IS (OFF) + – –20 –140 09767-111 0 LEAKAGE CURRENT (pA) 125 ID, IS (ON) + + –120 40 100 20 200 5 75 图13. 漏电流与温度的关系(±20 V双电源) VDD = 36V VSS = 0V 0 50 TEMPERATURE (°C) 图10. 不同温度下RON 与VS 、VD 的关系 (12 V单电源) 250 25 09767-114 0 09767-110 0 ID, IS (ON) + + 0 –150 50 IS (OFF) + – 09767-115 ON RESISTANCE ( ) 450 09767-113 500 图12. 漏电流与温度的关系(±15 V双电源) VDD = 36V VSS = 0V VBIAS = 1V/30V –250 0 25 50 75 100 TEMPERATURE (°C) 图15. 漏电流与温度的关系(36 V单电源) Rev. 0 | Page 11 of 20 ADG5212/ADG5213 0 0 –20 –40 TA = 25°C VDD = +15V VSS = –15V –40 ACPSRR (dB) OFF ISOLATION (dB) TA = 25°C VDD = +15V –20 VSS = –15V –60 –80 NO DECOUPLING CAPACITORS –60 –80 –100 –100 –120 1M 10M 100M 1G FREQUENCY (Hz) 09767-120 100k –120 1k 10k 100k 1M 10M FREQUENCY (Hz) 图16. 关断隔离与频率的关系(±15 V双电源) 09767-123 DECOUPLING CAPACITORS –140 10k 图19. ACPSRR与频率的关系(±15 V双电源) 0 0 TA = 25°C –2 VDD = +15V VSS = –15V TA = 25°C VDD = +15V –20 VSS = –15V –4 ATTENUATION (dB) CROSSTALK (dB) –40 –60 –80 –100 –6 –8 –10 –12 –14 –16 –120 1M 10M 100M 1G FREQUENCY (Hz) –20 100k 09767-121 100k 1M 10M 图17. 串扰与频率的关系(±15 V双电源) VDD = +20V VSS = –20V 10 TA = 25°C VDD = +15V VSS = –15V 4 CAPACITANCE (pF) SOURCE/DRAIN ON VDD = +15V VSS = –15V 3 2 1 VDD = +36V VSS = 0V 0 VDD = +12V VSS = 0V –1 –2 –20 –10 0 10 20 VS (V) 8 6 DRAIN OFF 4 SOURCE OFF 2 30 40 09767-122 CHARGE INJECTION (pC) 5 图20. 带宽 12 TA = 25°C SOURCE TO DRAIN 1G 0 –15 –10 –5 0 VS (V) 图21. 电容 图18. 电荷注入与源电压的关系 Rev. 0 | Page 12 of 20 5 10 15 09767-127 6 100M FREQUENCY (Hz) 09767-125 –18 –140 10k ADG5212/ADG5213 0 –20 TA = 25°C VDD = +15V VSS = –15V TON (+12V) TON (+36V) TOFF (+36V) TOFF (±20V) TOFF (±15V) –60 –80 TON (±15V) TOFF (+12V) TON (±20V) –100 –120 –40 –20 0 20 40 60 80 TEMPERATURE (°C) 100 120 09767-126 TIME (ns) –40 图22. tON 、tOFF 时间与温度的关系 Rev. 0 | Page 13 of 20 ADG5212/ADG5213 测试电路 S D ID (OFF) A S A VS 09767-015 VD VS ID (ON) D VD 图26. 接通泄漏 图23. 关断泄漏 VDD VSS 0.1µF 0.1µF NETWORK ANALYZER VOUT VDD VSS S1 RL 50 Dx IDS VS V1 GND D RON = V1/IDS CHANNEL-TO-CHANNEL CROSSTALK = 20 log 图27. 通道间串扰 图24. 导通电阻 VDD VDD VSS 0.1µF VDD NETWORK ANALYZER VSS Sx INx VSS 0.1µF 0.1µF VDD Dx RL 50 GND 图25. 关断隔离 VS Dx VOUT OFF ISOLATION = 20 log 50 INx VS VIN NETWORK ANALYZER VSS Sx 50 50 VIN RL 50 GND VOUT VS 09767-020 0.1µF VOUT VS 09767-021 VS 09767-014 S RL 50 S2 Rev. 0 | Page 14 of 20 OFF ISOLATION = 20 log 图28. 带宽 VOUT VOUT WITH SWITCH VOUT WITHOUT SWITCH 09767-028 A 09767-016 IS (OFF) ADG5212/ADG5213 VDD VSS VSS D1 S2 D2 CL 35pF RL 300 IN1, IN2 RL 300 VOUT2 CL 35pF VOUT1 VOUT2 ADG5213 50% 90% 90% 0V 90% 90% 0V GND tD tD 图29. 先开后合时间延迟tD VDD VSS 0.1µF 0.1µF VIN Sx VS ADG5212 50% 50% VSS VOUT Dx CL 35pF RL 300 INx 90% VOUT 90% GND tOFF tON 09767-018 VDD 图30. 开关时间 RS VS VDD VSS VDD VSS S D VIN VOUT ADG5212 ON OFF CL 1nF IN VOUT QINJ = CL × VOUT GND 图31. 电荷注入 Rev. 0 | Page 15 of 20 VOUT 09767-019 VS2 VOUT1 50% 0V 09767-017 VDD S1 VS1 VIN 0.1µF 0.1µF ADG5212/ADG5213 术语 CD (On)和CS (On) CD (On)和CS (On)表示开关接通时的电容,以地为参考进行 测量。 CIN CIN表示数字输入电容。 IDD IDD表示正电源电流。 ISS ISS表示负电源电流。 VD和VS VD和VS分别表示引脚Dx和引脚Sx上的模拟电压。 tON t ON表 示 施 加 数 字 控 制 输 入 与 输 出 开 启 之 间 的 延 迟 时 间 (见图30)。 RON RON表示引脚Dx与引脚Sx之间的电阻(欧姆)。 ΔRON ΔRON表示任意两个通道的RON之差。 tOFF t OFF 表示施加数字控制输入与输出关闭之间的延迟时间 (见图30)。 RFLAT(ON) RFLAT (ON)表示一种平坦度,定义为在额定模拟信号范围内 测得的导通电阻最大值与最小值之差。 tD tD表示从一个地址状态切换到另一个地址状态时,在两个开 关的80%点之间测得的关断时间。 IS (Off) IS (Off)表示开关断开时的源极漏电流。 关断隔离 关断隔离衡量通过断开开关耦合的无用信号。 ID (Off) ID (Off)表示开关断开时的漏极漏电流。 电荷注入 电荷注入衡量开关期间从数字输入传输到模拟输出的毛刺 脉冲。 ID (On)和IS (On) ID (On)、IS (On)表示开关接通时的通道漏电流。 VINL VINL表示逻辑0的最大输入电压。 串扰 串扰衡量寄生电容引起的从一个通道耦合到另一个通道的 无用信号。 VINH VINH表示逻辑1的最小输入电压。 带宽 带宽指输出衰减3 dB的频率。 IINL和IINH IINL和IINH表示数字输入的低输入电流和高输入电流。 开启响应 开启响应指开关接通时的频率响应。 CD (Off) CD (Off)表示开关断开时的漏极电容,以地为参考进行 测量。 插入损耗 插入损耗指开关导通电阻引起的损耗。 CS (Off) CS (Off)表示开关断开时的源极电容,以地为参考进行测量。 交流电源抑制比(ACPSRR) 交流电源抑制比(ACPSRR)表示输出信号的幅度与调制幅 度的比值,用于衡量器件避免将电源电压引脚上的噪声 和杂散信号耦合到开关输出端的能力。该器件的直流电 压由一个0.62 V p-p的正弦波调制。 Rev. 0 | Page 16 of 20 ADG5212/ADG5213 沟槽隔离 在ADG5212和ADG5213中,各CMOS开关的NMOS与PMOS NMOS PMOS P WELL N WELL 晶体管之间有一个绝缘氧化物层(沟槽)。因此,它与结隔离 式开关不同,晶体管之间不存在寄生结,从而彻底消除了 闩锁现象。 在结隔离中,PMOS和NMOS晶体管的N井和P井形成一个二 极管;在正常工作条件下,该二极管反向偏置。但在过压 条件下,该二极管可能变成正偏。两个晶体管形成一个硅 控整流器(SCR)型电路,导致电流被显著放大,进而引起闩 锁。而在沟槽隔离中则不存在该二极管,因此开关不会发 生闩锁。 TRENCH HANDLE WAFER 图32. 沟槽隔离 Rev. 0 | Page 17 of 20 09767-022 BURIED OXIDE LAYER ADG5212/ADG5213 应用信息 ADG52xx系列开关和多路复用器为易于发生闩锁现象的仪 器仪表、工业、汽车、航空航天应用和其它恶劣环境提供 了稳定可靠的解决方案;闩锁是指一种可能导致器件故障 的不良高电流状态,它在关闭电源之前会持续存在。 ADG5212/ADG5213高压开关支持9 V至40 V的单电源供电和 ±9 V至±22 V的双电源供电。 Rev. 0 | Page 18 of 20 ADG5212/ADG5213 外形尺寸 5.10 5.00 4.90 16 9 4.50 4.40 4.30 6.40 BSC 1 8 PIN 1 1.20 MAX 0.15 0.05 0.30 0.19 0.65 BSC COPLANARITY 0.10 0.20 0.09 0.75 0.60 0.45 8° 0° SEATING PLANE COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153-AB 图33. 16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP] (RU-16) 尺寸单位:mm PIN 1 INDICATOR 4.10 4.00 SQ 3.90 0.35 0.30 0.25 0.65 BSC 16 13 PIN 1 INDICATOR 12 1 EXPOSED PAD 2.70 2.60 SQ 2.50 4 9 0.80 0.75 0.70 0.45 0.40 0.35 BOTTOM VIEW 0.05 MAX 0.02 NOM COPLANARITY 0.08 0.20 REF SEATING PLANE 5 8 0.20 MIN FOR PROPER CONNECTION OF THE EXPOSED PAD, REFER TO THE PIN CONFIGURATION AND FUNCTION DESCRIPTIONS SECTION OF THIS DATA SHEET. COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-220-WGGC. 08-16-2010-C TOP VIEW 图34. 16引脚引脚架构芯片级封装[LFCSP_VQ] 4mmx4mm,超薄体 (CP-16-17)尺寸 单位:mm 订购指南 型号1 ADG5212BRUZ ADG5212BRUZ-RL7 ADG5212BCPZ-RL7 ADG5213BRUZ ADG5213BRUZ-RL7 ADG5213BCPZ-RL7 1 温度范围 − 40°C 至+125°C − 40°C 至+125°C − 40°C 至+125°C − 40°C 至+125°C − 40°C 至+125°C − 40°C 至+125°C 封装描述 16引脚 超薄紧缩小型封装[TSSOP] 16引脚 超薄紧缩小型封装[TSSOP] 16引脚 引脚架构芯片级封装[LFCSP_VQ] 16引脚 超薄紧缩小型封装[TSSOP] 16引脚 超薄紧缩小型封装[TSSOP] 16引脚 引脚架构芯片级封装[LFCSP_VQ] Z = RoHS兼容器件。 Rev. 0 | Page 19 of 20 封装选项 RU-16 RU-16 CP-16-17 RU-16 RU-16 CP-16-17 ADG5212/ADG5213 注释 ©2011 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. D09767-0-4/11(0) Rev. 0 | Page 20 of 20
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