ADP5062CP-EVALZ

线性锂离子电池充电器，提供电源 路径和USB兼容性，采用LFCSP封装 ADP5062 产品特性 概述 封装：4 mm x 4 mm LFCSP 可通过I2C实现完全编程 灵活的数字控制输入 LDO模式下的交流充电器电流最高可达2.1 A 输入电压范围：4.0 V至6.7 V 可耐受的输入电压：−0.5 V至+20 V (USB VBUS) 完全兼容USB 3.0以及USB电池充电规范1.2 内置电流检测及限制功能 电池与充电器输出间的电池隔离FET低至54 mΩ 热调节防止过热 符合JEITA 1和JEITA 2锂离子电池充电温度规范 SYS_EN标志允许系统禁用，直至电池达到需要的最低电平， 以保证系统启动 ADP5062充电器完全符合USB 3.0和USB电池充电规格1.2， 可通过mini-USB VBUS引脚从墙壁充电器、车载充电器或 USB主机端口进行充电。 ADP5062的输入电压范围为4 V至6.7 V，最高可耐受20 V电 压，从而缓解了断开或连接时的USB总线尖峰问题。 ADP5062在线性充电器输出和电池间集成了内部FET。这 一设计可提供电池隔离，使系统可在电池无电或无电池情 况下供电，从而直接通过USB电源执行系统功能。 根据外部USB检测芯片检测到的USB电源类型，ADP5062 可设置为应用正确的电流限值，实现最佳充电和USB合 规性。 ADP5062含三个工厂可编程数字输入/输出引脚，可为不同 系统提供最大的灵活性。这些数字输入/输出引脚允许一些 特性的组合，如输入电流限制、充电使能/禁用、充电电流 限制以及专用中断输出引脚。 应用 数码相机 数码摄像机 单个锂离子电池便携式设备 PDA、音频设备、GPS设备 便携式医疗设备 移动电话 典型应用电路 ADP5062 VBUS PROGRAMMABLE C4 10µF ISO_Sx VIN CBP C1 10nF C3 22µF SCL SDA DIG_IO1 DIG_IO2 DIG_IO3 SYSTEM ISO_Bx CHARGER CONTROL BLOCK BAT_SNS + Li-ion C2 22µF THR SYS_EN ILED AGND VLED 10806-001 AC OR USB 图1. Rev. B Document Feedback Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. Tel: 781.329.4700 ©2012–2013 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Technical Support www.analog.com ADI中文版数据手册是英文版数据手册的译文，敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误，ADI不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性，请参考ADI提供 的最新英文版数据手册。 ADP5062 目录 特性.................................................................................................. 1 应用.................................................................................................. 1 概述.................................................................................................. 1 应用电路 ......................................................................................... 1 修订历史 ......................................................................................... 2 技术规格 ......................................................................................... 3 推荐输入和输出电容.............................................................. 6 I2C兼容型接口时序规格 ........................................................ 6 绝对最大额定值....................................................................... 8 热阻 ............................................................................................ 8 ESD警告..................................................................................... 8 引脚配置和功能描述 ................................................................... 9 典型性能参数 .............................................................................. 10 温度特性.................................................................................. 12 典型波形.................................................................................. 14 工作原理 ....................................................................................... 15 工作模式小结 ......................................................................... 15 简介 .......................................................................................... 16 充电器模式 ............................................................................. 18 热管理 ...................................................................................... 21 电池隔离FET...........................................................................21 电池检测.................................................................................. 21 电池组温度检测..................................................................... 22 I2C接口..................................................................................... 26 I2C寄存器映射........................................................................ 27 寄存器位功能描述 ................................................................ 28 应用信息 ....................................................................................... 36 外部器件.................................................................................. 36 PCB布局指南.......................................................................... 38 功耗与散热考虑.......................................................................... 39 充电器功耗 ............................................................................. 39 结温 .......................................................................................... 39 工厂编程选项 .............................................................................. 40 充电器选项 ............................................................................. 40 I2C寄存器默认值 ................................................................... 41 数字输入和输出选项............................................................ 41 封装和订购信息.......................................................................... 43 外形尺寸.................................................................................. 43 订购指南.................................................................................. 43 修订历史 2013年10月—修订版A至修订版B 更改表19 ....................................................................................... 28 更改表26 ....................................................................................... 32 更改“充电器选项”部分和表41................................................. 40 更改“订购指南”............................................................................ 43 2013年4月—修订版0至修订版A 更改图3 ........................................................................................... 9 2012年9月—修订版0：初始版 Rev. B | Page 2 of 44 ADP5062 技术规格 除非另有说明，−40 < TJ < +125，VVINx = 5.0 V，RHOT_RISE < RTHR < RCOLD_FALL，VBAT_SNS = 3.6 V，VISO_Bx = VBAT_SNS，CVIN = 10 μF， CISO_S = 22 μF，CISO_B = 22 μF，CCBP = 10 nF，所有寄存器为默认值。 表1. 参数 通用参数 欠压闭锁 迟滞 总输入电流 VINx功耗 电池功耗 充电器 快速充电电流CC模式 符号 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件/注释 VUVLO 2.25 50 74 114 2.35 100 92 425 470 2.5 150 100 150 300 500 900 1500 5 V mV mA mA mA mA mA mA mA µA µA µA 0.5 0.9 mA 下降阈值，VVINx和VBAT_SNS中的较高值1 迟滞，VVINx和VBAT_SNS上升中的较高值1 标称USB初始化电流电平2 USB超高速 USB枚举电流电平(中国规格) USB枚举电流电平 专用充电器输入 专用壁式充电器 充电或LDO模式 DIS_IC1 = 高电平，VISO_Bx < VINx < 5.5 V LDO模式，VISO_Sx > VBAT_SNS 待机，包括ISO_Sx引脚漏电流，VVINx = 0 V， TJ = −40至+85 待机，电池监控器激活 750 790 mA +7 +29 +40 25 % mA mA mA mA ICHG = 400 mA至1300 mA ICHG = 250 mA至350 mA ICHG = 50 mA至200 mA ILIM IQVIN IQVIN_DIS IQBATT ICHG 快速充电电流精度 涓流充电电流2 弱充电电流2, 3 涓流至弱充电阈值 电池无电 迟滞 弱电池阈值 弱至快速充电阈值 电池终端电压 终端电压精度 ITRK_DEAD ICHG_WEAK 2 280 20 700 −8 −33 −45 16 20 ITRK_DEAD + ICHG 450 VISO_Bx = 3.9 V；在TJ = −40至等温调节限值 (典型值TJ = +115)的温度范围内保证快速 充电电流精度2, 3 VTRK_DEAD ∆V TRK_DEAD 2.4 2.5 100 2.6 V mV VTRK_DEAD < VBAT_SNS < VWEAK2, 4 BAT_SNS上2 VWEAK ∆V WEAK VTRM 2.89 3.0 100 4.200 3.11 V mV V % % % V mA mA mA mV V mA V mA ms BAT_SNS上2, 4 −0.25 −1.04 −1.16 电池过压阈值 充电完成电流 充电完成电流阈值精度 VBATOV IEND 再充电电压差分 电池节点短路阈值电压2 电池短路检测电流 充电启动电压限值 充电软启动电流 充电软启动定时器 VRCH VBAT_SHR ITRK_SHORT VCHG_VLIM ICHG_START tCHG_START 15 17 59 160 2.2 3.6 185 +0.25 +0.89 +1.20 VIN − 0.075 52.5 260 2.4 20 3.7 260 3 98 83 123 390 2.5 3.8 365 Rev. B | Page 3 of 44 BAT_SNS上，TJ = 25，IEND = 52.5 mA2 TJ = 0°C至1152 TJ = −40至+125 相对于VINx电压，BAT_SNS上升 VBAT_SNS = VTRM IEND = 52.5 mA，TJ = 0至1152 IEND = 92.5 mA，TJ = 0至115 相对于VTRM，BAT_SNS下降2 ITRK_SHORT = ITRK_DEAD2 电压限值默认无效 VBAT_SNS > VTRK_DEAD ADP5062 参数 电池隔离FET ISO_Sx与ISO_Bx之间的引脚到 引脚电阻 调节系统电压：VBAT低电平 电池补充阈值 LDO和高压阻隔 调节系统电压 负载调整率 高压阻隔FET (LDO FET)导通电阻 最大输出电流 VINx输入电压，良好阈值上升 VINx下降 VINx输入过压阈值 迟滞 VINx转换时序 热控制 等温充电温度 热预警温度 热关断温度 热敏电阻控制 热敏电阻电流 10,000 NTC 100,000 NTC 热敏电阻电容 冷温度阈值 电阻阈值 凉至冷电阻 冷至凉电阻 热温度阈值 电阻阈值 热至典型电阻 典型至热电阻 JEITA1锂离子电池充电规格默认值5 JEITA冷温度 电阻阈值 凉至冷电阻 冷至凉电阻 JEITA凉温度 电阻阈值 典型至凉电阻 凉至典型电阻 JEITA暖温度 电阻阈值 暖至典型电阻 典型至暖电阻 符号 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件/注释 54 89 mΩ VTHISO 3.6 3.2 0 3.8 3.4 5 4.0 3.5 12 V V mV 电池补充节点上，VINx = 0 V，VISO_Bx = 4.2 V， IISO_Bx = 500 mA VTRM[5:0]编程值 ≥ 4.00 V VTRM[5:0]编程值 < 4.00 V VISO_Sx < VISO_Bx, VSYS 上升 VISO_STRK 4.214 4.3 4.386 V 3.75 −0.56 330 2.1 3.9 3.6 6.9 0.1 RDSON_ISO VISO_SFC RDS(ON)HV VVIN_OK_RISE VVIN_OK_FALL VVIN_OV ∆V VIN_OV TVIN_RISE TVIN_FALL 6.7 115 130 140 110 INTC_10k INTC_100k CNTC TNTC_COLD RHOT_FALL RHOT_RISE %/A mΩ A V V V V µs µs VINx从5 V到20 V的最短上升时间 VINx从4 V到0 V的最短下降时间 °C °C °C °C TJ 上升 TJ 下降 pF °C 未发生电池充电 Ω Ω °C 未发生电池充电 400 40 100 0 20,500 2750 TJEITA_COLD 25,600 24,400 60 3700 3350 30,720 3950 0 RCOLD_FALL RCOLD_RISE TJEITA_COOL 20,500 RTYP_FALL RTYP_RISE TJEITA_WARM 13,200 RWARM_FALL RWARM_RISE 4.0 3.7 7.2 10 10 TLIM TSDL TSD RCOLD_FALL RCOLD_RISE TNTC_HOT 485 VSYSTEM[2:0] = 000(二进制)= 4.3 V， IISO_Sx = 100 mA，LDO模式2 IISO_Sx = 0 m A至1500 mA IVINx = 500 mA VISO_Sx = 4.3 V，LDO模式 4260 25,600 24,400 10 30,720 16,500 15,900 45 19,800 5800 5200 6140 Rev. B | Page 4 of 44 Ω Ω °C 未发生电池充电 Ω Ω °C 电池充电发生在编程值的50% Ω Ω °C 电池终端电压(VTRM)降低100 mV Ω Ω ADP5062 参数 JEITA热温度 电阻阈值 热至暖电阻 暖至热电阻 JEITA2锂离子电池充电规格默认值5 JEITA冷温度 电阻阈值 凉至冷电阻 冷至凉电阻 JEITA凉温度 电阻阈值 典型至凉电阻 凉至典型电阻 JEITA暖温度 电阻阈值 暖至典型电阻 典型至暖电阻 JEITA热温度 电阻阈值 热至暖电阻 暖至热电阻 电池检测 吸电流 源电流 电池阈值 低电平 高电平 电池检测定时器 定时器 时钟振荡器频率 启动充电延迟 涓流充电 快速充电 充电完成 去毛刺 看门狗2 安全性 电池短路2 ILED输出引脚 ILED上的压降 ILED上的最大工作电压 SYS_EN输出引脚 SYS_EN FET导通电阻 符号 TJEITA_HOT RHOT_FALL RHOT_RISE 最小值 2750 TJEITA_COLD 3700 3350 最大值 3950 0 RCOLD_FALL RCOLD_RISE TJEITA_COOL 20,500 RTYP_FALL RTYP_RISE TJEITA_WARM 13,200 RWARM_FALL RWARM_RISE TJEITA_HOT 典型值 60 4260 25,600 24,400 10 30,720 16,500 15,900 45 19,800 5800 5200 60 6140 单位 °C Ω Ω °C 未发生电池充电 Ω Ω °C 电池终端电压(VTRM)降低100 mV Ω Ω °C 电池终端电压(VTRM)降低100 mV Ω Ω °C 未发生电池充电 RHOT_FALL RHOT_RISE 2750 3700 3350 3950 Ω Ω ISINK ISOURCE 13 7 20 10 34 13 mA mA VBATL VBATH tBATOK 1.8 1.9 3.4 333 2.0 V V ms fCLK tSTART tTRK tCHG tEND tDG 2.7 3 1 60 600 7.5 31 3.3 MHz 秒 分钟 分钟 分钟 ms tWD tSAFE tBAT_SHR 36 32 40 30 VILED VMAXILED 200 RON_SYS_EN 10 44 5.5 Rev. B | Page 5 of 44 测试条件/注释 未发生电池充电 秒 分钟 秒 VBAT_SNS = VTRM, ICHG < IEND 施加于VTRK_DEAD、VRCH、IEND、VWEAK、 VVIN_OK_RISE和VVIN_OK_FALL mV V IILED = 20 mA Ω ISYS_EN = 20 mA ADP5062 参数 逻辑输入引脚 数字输入端最大电压 逻辑低电平最大输入电压 逻辑高电平最小输入电压 下拉电阻 1 2 3 4 5 符号 VDIN_MAX VIL VIH 最小值 1.2 215 典型值 350 最大值 单位 测试条件/注释 5.5 0.5 V V V kΩ 施加于SCL、SDA、DIG_IO1、DIG_IO2、DIG_IO3 施加于SCL、SDA、DIG_IO1、DIG_IO2、DIG_IO3 施加于SCL、SDA、DIG_IO1、DIG_IO2、DIG_IO3 施加于DIG_IO1、DIG_IO2、DIG_IO3 610 欠压闭锁一般从ISO_Sx或ISO_Bx产生；在某些跃迁情况下，它可以从VINx产生。 这些值通过I2C编程。给出的值为寄存器默认值。 充电期间的输出电流可以通过输入电流限值或等温充电模式进行限制。 在弱充电模式下，除非禁用涓流充电，否则充电器将通过涓流充电支线向电池提供至少20 mA的充电电流。任何系统不需要的残余电流也被用于给电池充电。 在I2C模式下，可以选择JEITA1(默认)或JEITA2，或者同时使能/禁用JEITA功能。 推荐输入和输出电容 表2. 参数 符号 最小值 典型值 电容 VINx CBP ISO_Sx ISO_Bx CVINx CCBP CISO_Sx CISO_Bx 4 6 10 10 10 22 22 最大值 单位 测试条件/注释 10 14 100 F nF F F 有效电容 有效电容 有效电容 有效电容 I2C兼容接口时序规格 表3. 参数1 I2C兼容接口2 各条总线的容性负载 SCL时钟频率 SCL高电平时间 SCL低电平时间 数据建立时间 数据保持时间 重复起始建立时间 起始/重复起始保持时间 停止条件和起始条件之间的总线空闲时间 停止条件的建立时间 SCL和SDA的上升时间 SCL和SDA的下降时间 尖峰抑制脉冲宽度 1 2 符号 CS fSCL tHIGH tLOW tSU, DAT tHD, DAT tSU, STA tHD, STA tBUF tSU, STO tR tF tSP 通过设计保证。 为使SDA信号跨过SCL下降沿的未定义区域，主器件必须提供至少300 ns的保持时间(见图2)。 Rev. B | Page 6 of 44 最小值 0.6 1.3 100 0 0.6 0.6 1.3 0.6 20 20 0 典型值 最大值 单位 400 400 pF kHz µs µs ns µs µs µs µs µs ns ns ns 0.9 300 300 50 ADP5062 时序图 SDA tLOW tR tSU, DAT tF tF tHD, STA tSP tBUF tR SCL tHD, DAT tHIGH tSU, STO tSU, STA Sr P S 10806-002 S S = START CONDITION Sr = REPEATED START CONDITION P = STOP CONDITION 图2. I 2C时序图 Rev. B | Page 7 of 44 ADP5062 绝对最大额定值 最大功耗 表4. 绝对最大额定值 参数 VIN1、VIN2、VIN3至AGND 所有其它引脚至AGND 连续漏极电流，电池补充模式， 从ISO_Bx到ISO_Sx 存储温度范围 工作结温范围 焊接条件 额定值 –0.5 V至+20 V –0.3 V至+6 V 2.1 A –65°C至+150°C –40°C至+125°C JEDEC J-STD-020 注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性 损坏。这只是额定最值，并不能以这些条件或者在任何其 它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，推断器 件能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影 响器件的可靠性。 ADP5062封装内的最大安全功耗受限于相应的芯片结温 (TJ)升高情况。芯片温度达到150(玻璃化转变温度)左右时， 塑料的特性会发生改变。即使只是暂时超过这一温度限值 也有可能改变封装对芯片作用的应力，从而永久性地转变 ADP5062的参数性能。长时间超过175°C的结温会导致芯片 器件出现变化，因而可能造成故障。 ESD警告 热阻 θJA针对最差条件，即器件以表贴封装焊接在电路板上。 表5. 热阻 封装类型 20引脚 LFCSP θJA 35.6 θJC 3.65 单位 °C/W Rev. B | Page 8 of 44 ESD(静电放电)敏感器件。 带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。尽 管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇到高能量 ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采取适当的ESD 防范措施，以避免器件性能下降或功能丧失。 ADP5062 20 19 18 17 16 AGND CBP THR SDA SYS_EN 引脚配置和功能描述 1 2 3 4 5 PIN 1 INDICATOR ADP5062 TOP VIEW (Not to Scale) 15 ILED 14 ISO_B3 13 ISO_B2 12 ISO_B1 11 ISO_S3 NOTES 1. CONNECTION OF THE EXPOSED PAD IS NOT REQUIRED. THE EXPOSED PAD CAN BE CONNECTED TO ANALOG GROUND TO IMPROVE HEAT DISSIPATION FROM THE PACKAGE TO BOARD. 10806-003 VIN1 VIN2 VIN3 ISO_S1 ISO_S2 6 7 8 9 10 SCL DIG_IO3 DIG_IO2 BAT_SNS DIG_IO1 图3. 引脚配置 表6. 引脚功能描述 类型1 I/O 描述 内部隔离FET/电池电流调节FET的线性充电器电源侧输入。高电流输入/输出。 I/O G I/O USB VBUS的电源连接。在充电模式下，这些引脚是高电流输入。 模拟地。 内部隔离FET/电池电流调节FET的电池电源侧输入。 1 17 5 名称 ISO_S1, ISO_S2, ISO_S3 VIN1, VIN2, VIN3 AGND ISO_B1, ISO_B2, ISO_B3 SCL SDA DIG_IO1 I I/O GPIO 3 DIG_IO2 GPIO I2C兼容接口串行时钟。 I2C兼容接口串行数据。 设置输入电流限值。此引脚可直接设置输入电流限值。当DIG_IO1 = 低电平或高阻态 时，输入限值为100 mA。当DIG_IO1 = 高电平时，输入限值为500 mA。2, 3 禁用IC1。DIG_IO2引脚可将充电器设为低电流模式。当DIG_IO2 = 低电平或高阻态时， 充电器以正常模式工作。当DIG_IO2 = 高电平时，LDO和充电器禁用，VINx功耗为280 (典 型值)。此外，当DIG_IO2为高电平时，20 V VINx输入保护禁用，VINx电平必须满足条件 VISO_Bx < VVINx < 5.5 V。2, 3 2 DIG_IO3 GPIO 18 THR I 4 15 16 BAT_SNS ILED SYS_EN I O O 19 N/A 4 CBP EP I/O N/A4 引脚编号 9, 10, 11 6, 7, 8 20 12, 13, 14 1 2 3 4 使能充电。当DIG_IO3 = 低电平或高阻态时，充电禁用。当DIG_IO3 = 高电平时， 充电使能。2, 3 电池组热敏电阻连接。如果不使用此引脚，应将一个10 kΩ伪电阻连接在THR与 GND之间。 电池电压检测引脚。 指示器LED的开漏输出。 系统使能。该引脚是电池良好标志/开漏下拉FET引脚，用以在电池达到VWEAK电平时使能 系统。 旁路电容输入。 裸露焊盘。无需连接裸露焊盘。可将裸露焊盘连接至模拟接地层，以改进从封装到 电路板的散热。 I为输入，O为输出，I/O为输入/输出，G为地，GPIO为工程可编程的通用输入/输出。 详情参见“数字输入和输出选项”部分。 DIG_IOx设置定义ADP5062的初始状态。更改与各DIG_IOx引脚设置相关的参数或模式(通过设置I2C寄存器的相应位)时，I2C寄存器设置优先于DIG_IOx引 脚设置。VINx连接或断开会复位DIG_IOx引脚的控制。 N/A表示不适用。 Rev. B | Page 9 of 44 ADP5062 典型性能参数 5.10 4.38 5.08 4.36 5.06 4.34 4.32 4.30 4.28 4.26 5.02 5.00 4.98 4.96 4.24 4.94 4.22 4.92 4.20 0.01 0.1 1 SYSTEM OUTPUT CURRENT (A) 5.4 LOAD = 100mA LOAD = 500mA LOAD = 1000mA 5.2 SYSTEM VOLTAGE (V) 4.2 4.1 4.0 3.9 3.8 4.8 4.6 4.4 4.2 4.0 3.7 3.8 3.6 3.6 4.8 5.2 5.6 6.0 6.4 3.4 4.0 10806-005 4.4 6.8 INPUT VOLTAGE (V) 4.8 5.2 5.6 6.0 6.4 6.8 图8. 系统电压与输入电压的关系(压差)，LDO模式， VSYSTEM[2:0] = 111(二进制)= 5.0 V 1000 700 900 600 700 CHARGE CURRENT (mA) 800 LIMIT = 900mA LIMIT = 500mA LIMIT = 100mA 600 500 400 300 FAST CHARGE 400 300 200 100 100 3.2 3.7 BATTERY VOLTAGE (V) 4.2 WEAK CHARGE 500 200 10806-006 CHARGE CURRENT (mA) 4.4 INPUT VOLTAGE (V) 图5. 系统电压与输入电压的关系(压差)，LDO模式， VSYSTEM[2:0] = 000(二进制)= 4.3 V 0 2.7 LOAD = 100mA LOAD = 500mA LOAD = 1000mA 5.0 4.3 3.5 4.0 1 10806-008 4.4 0.1 SYSTEM OUTPUT CURRENT (A) 0 2.3 TRICKLE CHARGE 2.8 3.3 3.8 BATTERY VOLTAGE (V) 图9. 电池充电电流与电池电压的关系， ICHG[4:0] = 01001(二进制)= 500 mA， ILIM[3:0] = 1111(二进制)= 2100 mA 图6. 输入限流充电电流与电池电压的关系 Rev. B | Page 10 of 44 4.3 10806-009 4.5 4.90 0.01 图7. 系统电压与系统输出电流的关系，LDO模式，VVINx = 6.0 V， VSYSTEM[2:0] = 111(二进制)= 5.0 V 图4. 系统电压与系统输出电流的关系，LDO模式， VSYSTEM[2:0] = 000(二进制)= 4.3 V SYSTEM VOLTAGE (V) 5.04 10806-007 SYSTEM VOLTAGE (V) 4.40 10806-004 SYSTEM VOLTAGE (V) 除非另有说明，VVINx = 5.0 V，CVINx = 10 μF，CISO_Sx = 44 μF，CISO_Bx = 22 μF，CCBP = 10 nF，所有寄存器为默认值。 ADP5062 ISOLATION FET RESISTANCE (m ) 70 60 55 50 45 3.7 4.2 BATTERY VOLTAGE (V) BATTERY VOLTAGE (A) 1.5 1.0 0.5 0 2 4 6 VINx VOLTAGE (V) 8 10806-011 VINx CURRENT (mA) 2.0 0.5 1.0 1.5 2.0 0.7 VBAT_SNS IISO_Bx 4.2 2.5 0 图12. 理想二极管RON 与负载电流的关系，VISO_Bx = 3.6 V 4.4 3.0 0 45 LOAD CURRENT (A) DEFAULT STARTUP DIS_LDO = HIGH DIS_IC1 = HIGH 3.5 50 40 图10. 理想二极管RON 与电池电压的关系，IISO_Sx = 500 mA，VINx开路 4.0 55 0.6 4.0 0.5 3.8 0.4 3.6 0.3 3.4 0.2 3.2 0.1 3.0 图11. VINx电流与VINx电压的关系，无电池 0 50 100 150 CHARGE TIME (min) 图13. 充电曲线，ILIM[3:0] = 0110(二进制)= 500 mA， 电池容量 = 925 mAh Rev. B | Page 11 of 44 0 CHARGE CURRENT (A) 3.2 60 10806-013 40 2.7 65 10806-012 65 10806-010 ISOLATION FET RESISTANCE (m ) 70 ADP5062 温度特性 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 –15 10 35 60 85 AMBIENT TEMPERATURE (°C) 0 –0.1 –0.2 –0.3 5.0 VIN = 4.0V VIN = 5.0V VIN = 5.5V VINx QUIESCENT CURRENT (mA) 0.30 0.25 0.20 0.15 0.10 –10 5 20 35 50 65 80 95 110 35 50 65 80 95 110 125 4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0 –40 10806-015 –25 125 AMBIENT TEMPERATURE (°C) –25 –10 5 20 35 50 65 80 95 110 125 AMBIENT TEMPERATURE (°C) 图18. VINx静态电流与环境温度的关系，LDO模式 图15. VINx静态电流与环境温度的关系，DIS_IC1 = 高电平 0.5 VISO_Sx = 4.3V VISO_Sx = 5.0V 0.4 VTRM VOLTAGE ACCURACY (%) SYSTEM VOLTAGE ACCURACY (%) 20 0.5 0.05 0.3 0.2 0.1 0 –0.1 –0.2 –0.3 VTRM = 3.8V VTRM = 4.2V VTRM = 4.5V 0.3 0.2 0.1 0 –0.1 –0.2 –0.3 –0.4 –25 –10 5 20 35 50 65 80 AMBIENT TEMPERATURE (°C) 95 110 125 10806-016 –0.4 –0.5 –40 5 VIN = 4.0V VIN = 5.0V VIN = 6.7V 4.5 0.35 0.4 –10 图17. 系统电压与温度的关系，涓流充电模式， VISO_Sx = 4.3 V且VINx = 5.0 V，或者VISO_Sx = 5.0 V且VINx = 6.0 V 0.40 0.5 –25 AMBIENT TEMPERATURE (°C) 图14. 电池漏电流与环境温度的关系 VINx QUIESCENT CURRENT (mA) 0.1 –0.5 –40 10806-014 0 –40 0 –40 0.2 –0.4 0.1 0.45 0.3 10806-017 STANDBY CURRENT (µA) 1.2 0.50 VISO_Sx = 4.3V VISO_Sx = 5.0V 0.4 10806-018 1.3 0.5 VISO_Bx = 3.6V VISO_Bx = 4.2V VISO_Bx = 5.5V 图16. LDO模式电压与环境温度的关系，负载 = 100 mA，VVINx = 5.5 V Rev. B | Page 12 of 44 –0.5 –40 –25 –10 5 20 35 50 65 80 95 AMBIENT TEMPERATURE (°C) 图19. 终端电压与环境温度的关系 110 125 10806-019 1.4 SYSTEM VOLTAGE ACCURACY (%) 1.5 1.4 1.3 ICHG = 1300mA INPUT CURRENT LIMIT (A) CHARGE CURRENT (A) 1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 ICHG = 750mA 0.6 ICHG = 500mA 0.4 –40 –15 10 35 60 85 110 AMBIENT TEMPERATURE (°C) 10806-020 0.5 6.95 6.90 6.85 –10 5 20 35 50 65 80 95 AMBIENT TEMPERATURE (°C) 110 125 10806-021 VIN OVERVOLTAGE THRESHOLD (V) 7.00 –25 20 35 50 65 80 95 AMBIENT TEMPERATURE (°C) 图22. 输入电流限值与环境温度的关系 图20. 快速充电CC模式电流与环境温度的关系 6.80 –40 1.6 1.5 ILIM = 1500mA 1.4 1.3 1.2 1.1 1.0 0.9 ILIM = 900mA 0.8 0.7 0.6 0.5 ILIM = 500mA 0.4 0.3 0.2 ILIM = 100mA 0.1 0 –40 –25 –10 5 图21. VINx过压阈值与环境温度的关系 Rev. B | Page 13 of 44 110 125 10806-022 ADP5062 ADP5062 典型波形 T T VISO_Sx VISO_Sx VVINx VVINx 4 4 1 1 2 IVINx IVINx 3 CH1 2.00V CH2 200mA CH3 200mA CH4 2.00V M1.00ms A CH2 T 1.00ms 120mA CH1 2.00V CH2 200mA CH3 200mA CH4 2.00V M200.0µs T 0.00s A CH2 216mA 10806-026 3 IISO_Bx 10806-023 2 IISO_Bx 图26. USB VBUS断开 图23. 充电启动，VVINx = 5.0 V，ILIM[3:0] = 0110(二进制)= 500 mA， ICHG[4:0] = 01110(二进制)= 750 mA VISO_Sx T T VISO_Sx 1 3 1 IISO_Bx 2 IISO_Sx IISO_Sx M1.00ms A CH2 T 3.00ms 820mA CH1 1.00V CH2 500mA CH3 500mA M1.0ms A CH2 T 3.00ms –610mA 10806-027 CH1 100mV CH2 500mA 10806-024 2 图24. 负载瞬态响应，IISO_Sx 负载 = 300 mA至1500 mA至300 mA 图27. 负载瞬态响应，IISO_Sx 负载 = 300 mA至1500 mA至300 mA， EN_CHG = 高电平，ILIM[3:0] = 0110(二进制)= 500 mA T T VISO_Sx 2 1 VVINx VISO_Bx 2 IISO_Bx IISO_Bx 3 3 IVINx M40.0µs T 0.00s A CH3 610mA CH2 2.00V CH3 10.0mA 图25. 输入限流跃迁从100 mA到900 mA，ISO_Sx负载 = 66 Ω， 充电 = 750 mA M200ms T 0.00s A CH3 17.2mA 10806-028 CH1 200mV CH2 200mV CH3 500mA CH4 500mA 10806-025 4 图28. 电池检测波形，VSYSTEM[2:0] = 000(二进制)= 4.3 V，无电池 Rev. B | Page 14 of 44 ADP5062 工作原理 工作模式小结 表7. ADP5062工作模式小结 模式名称 IC关闭，待机 IC关闭，挂起 LDO模式关闭，隔离 FET导通 LDO模式关闭，隔离 FET断开(系统关闭) LDO模式，充电器关闭 涓流充电模式 弱充电模式 快速充电模式 充电模式，无电池 充电模式，电池 (ISO_Bx)短路 1 VINx 条件 0V 5V 5V 电池条件 任何电池条件 任何电池条件 任何电池条件 涓流 充电 关闭 关闭 关闭 LDO FET 状态 关闭 关闭 关闭 电池隔离FET 开启 /关闭 开启 开启 系统电压ISO_Sx 电池电压或0 V 电池电压 电池电压 5V 任何电池条件 关闭 关闭 关闭 0V 附加条件1 禁用IC1 禁用IC1 禁用LDO、 使能隔离FET 使能电池充电 5V 5V 5V 5V 5V 5V 任何电池条件 电池 < V TRK_DEAD VTRK_DEAD ≤ 电池< VWEAK 电池 ≥ VWEAK 开路 短路 关闭 开启 开启 关闭 关闭 开启 LDO LDO CHG CHG LDO LDO 关闭 关闭 CHG CHG 关闭 关闭 5.0 V 5.0 V 3.8 V 3.8 V(最小值) 5.0 V 5.0 V 使能电池充电 使能电池充电 使能电池充电 使能电池充电 使能电池充电 使能电池充电 详情参见表8。 表8. 工作模式控制 引脚配置 使能电池充电 DIG_IOx DIG_IO3 等效I2C地址、 数据位(s) 0x07, D0 禁用IC1 DIG_IO2 0x07, D6 禁用LDO、使能隔离FET 1 2 0x07, D3, D0 描述 低电平 = 禁用所有充电模式(快速、弱、涓流)。 高电平 = 使能所有充电模式(快速、弱、涓流)。 禁用IC1 VINx1电源连接 LDO_FET ISO_FET 低电平 否 关闭 开启 是 CHG CHG 高电平 否2 关闭 开启 是 关闭 开启 低电平 = LDO使能。 高电平 = LDO禁用。此外，当EN_CHG = 低电平时， 电池隔离FET导通；当EN_CHG = 高电平时， 电池隔离FET断开。 当禁用IC1模式激活时，VINx电源必须始终处于连接状态，并且电源电压必须满足以下条件：VISO_Bx < VINx < 5.5 V。 当禁用IC1模式激活时，LDO FET的后门不受控制。如果VINx引脚未连接任何电源，则LDO FET的体二极管可变成正偏，VINx的电压等于VISO_Bx – VF(VF是LDO FET体二极管的正向电压)。 Rev. B | Page 15 of 44 ADP5062 简介 ADP5062是一款完全可编程的I C充电器，用于给单单元锂 离子或锂聚合物电池充电，适合广泛的便携式应用。 2 该线性充电器架构采用系统电源时，可提供最高2.1 A输出电 流和4.3 V至5.0 V(I2C可编程)输出电压；采用专用充电器时， 可向电池提供最高1.3 A充电电流。 ADP5062输入电压范围为4 V至6.7 V，最高可耐受20 V电压。 此耐受度缓解了断开或连接时的USB总线尖峰问题。 ADP5062在线性充电器输出和电池间集成了内部FET。这 一特性可提供电池隔离，使系统可在电池无电或无电池情 况下供电，从而直接通过USB电源执行系统功能。 ADP5062完全兼容USB 3.0以及USB电池充电规范1.2。ADP5062 可通过壁式充电器、汽车充电器或USB主机端口的mini USB VBUS引脚充电。根据外部USB检测器件检测到的USB 电源类型，ADP5062可设置为应用正确的电流限值，实现 最佳充电和USB合规性。USB充电器可在所有USB兼容电源 下正常工作，例如壁式充电器、主机充电器、集线器充电 器、标准主机和集线器。 处理器可以控制该USB充电器，利用I2C接口设置充电电流 和多种其它参数，包括： • • • • • • • • • • • • 涓流充电电流水平 涓流充电电压阈值 弱充电(恒流)电流水平 快速充电(恒流)电流水平 快速充电(恒压)电压水平(1%精度) 快速充电安全定时器周期 看门狗安全定时器参数 弱电池阈值检测 充电完成阈值 再充电阈值 充电使能/禁用 电池组温度检测和充电器自动关断 Rev. B | Page 16 of 44 ADP5062 6 7 8 VIN1 ISO_S2 VIN2 VIN3 ISO_S3 + 6.85V 19 ISO_S1 HIGH VOLTAGE BLOCKING LDO FET CBP LDO FET CONTROL – + VIN LIMIT TRICKLE CURRENT SOURCE – 3MHz OSC ISO_B1 + VIN GOOD – 5 3 2 SCL CHARGE CONTROL SDA DIG_IO2 EOC ISO_B2 ISO_B3 + – DIG_IO1 I2C INTERFACE AND CONTROL LOGIC 12 13 14 CV MODE RECHARGE + – DIG_IO3 WEAK BATTERY DETECTION SINK + – BATTERY: OPEN SHORT + – TRICKLE BAT_SNS 3.4V 4 1.9V BATTERY DETECTION – SYS_EN + 16 11 BATTERY ISOLATION FET 3.9V 17 TO SYSTEM LOAD 10 – + 1 9 VIN OVERVOLTAGE SYS_EN OUTPUT LOGIC + – VIN – 150mV BATTERY OVERVOLTAGE WARM NTC CURRENT CONTROL HOT THR AGND 0.5V 18 20 SINGLE CELL Li-Ion 图29. 功能框图 Rev. B | Page 17 of 44 10806-029 THERMAL CONTROL COOL NTC ILED OUTPUT LOGIC COLD TSD 140°C WARNING 130°C ISOTHERMAL 115°C TSD DOWN 110°C ILED – 15 + TO USB VBUS OR WALL ADAPTER ADP5062 ADP5062具有多项用来优化充电和功能的重要特性，包括： • • • • 通过热调节实现最高性能。 USB主机限流。 终端电压精度：±1%。 电池热敏电阻输入；当电池温度超过限值时，充电器自 动关断(符合JEITA锂离子电池充电温度规范)。 • 三个外部引脚(DIG_IO1、DIG_IO2和DIG_IO3)直接控 制多种参数。这些引脚支持工厂编程以提供最大的灵 活性。它们可以在工厂设置以下等功能： • 使能/禁用充电 • 100 mA或500 mA输入电流限值控制 • 1500 mA输入电流限值控制 • 电池充电电流控制 • 中断输出引脚 详情参见“数字输入和输出选项”部分。 充电器模式 输入电流限值 VINx输入电流限值通过内部I2C ILIM位控制。输入电流限 值也可以通过DIG_IO1引脚控制(如果工厂设置如此)，如 表9所示。I2C默认值(100 mA)的任何改变都优先于引脚设置。 表9. DIG_IO1操作 DIG_IO1 0 1 功能 100 mA输入电流限值或I2C编程值 500 mA输入电流限值或I2C编程值 (或重新编程的非100 mA的I2C值) USB兼容性 ADP5062具有一个I2C可编程输入电流限值，用以确保符合 表10所列要求。限流默认值为100 mA，以便兼容未配置的 USB主机或集线器。 I2C寄存器默认值为100 mA。对ILIM寄存器执行I2C写命令会 覆盖DIG_IOx引脚，I2C寄存器默认值可根据其它要求重新 编程。 使用输入限流特性时，可用输入电流可能太低而不能满足 所设置的充电电流要求(ICHG)，导致充电速率降低且VIN_ ILIM标志置1。 将电压连接到VINx而电池侧没有适当的电平时，高压阻隔 机制将处于如下状态：仅吸取不到1 mA的电流，直至VIN 达到VIN_OK电平。 ADP5062充电器通过单一连接器VINx引脚支持下列连接， 如表10所示。 表10. 输入电流与标准USB限值的兼容性 模式 USB(仅限中国) USB 2.0 USB 3.0 专用充电器 标准USB限值 100 mA限值：标准USB主机或集线器 300 mA限值：中国USB规范 100 mA限值：标准USB主机或集线器 500 mA限值：标准USB主机或集线器 150 mA限值：超高速USB 3.0主机或集线器 900 mA限值：超高速、高速USB主机或集线器充电器 1500 mA限值：专用充电器或低速/全速USB主机或集线器 充电器 Rev. B | Page 18 of 44 ADP5062 功能 100 mA输入电流限值或I2C编程值 300 mA输入电流限值或I2C编程值 100 mA输入电流限值或I2C编程值 500 mA输入电流限值或I2C编程值 150 mA输入电流限值或I2C编程值 900 mA输入电流限值或I2C编程值 1,500 mA输入电流限值或I2C编程值 ADP5062 涓流充电模式 快速充电模式(恒流) 深度放电的锂离子电池电压可能非常低，以高电流速率对 其充电是不安全的。ADP5062充电器利用涓流充电模式复 位电池组保护电路，将电池电压提升到支持快速充电的安 全水平。电压低于VTRK_DEAD的电池利用涓流模式电流 ITRK_DEAD充电。在涓流充电模式下，CHARGER_STATUS位 设置。 当电池电压超过VTRK_DEAD和VWEAK时，充电器切换 到快速充电模式，利用恒定电流ICHG给电池充电。在快速 充电模式(恒流)下，CHARGER_STATUS位设为010。 涓流充电期间，ISO_Sx节点通过LDO调节到VISO_STRK，电池 隔离FET断开，电池与系统电源隔离。 涓流充电模式定时器 涓流充电模式的持续时间会受到监控，确保电池从深度放 电状态恢复。如果涓流充电模式持续时间超过60分钟，而 电池电压仍未达到VTRK_DEAD，则认为存在故障，充电停止。 CHARGER_STATUS位会设置故障状况，用户可以启动“故 障恢复”部分说明的故障恢复程序。 弱充电模式(恒流) 当电池电压超过VTRK_DEAD但低于VWEAK时，充电器 切换至中间充电模式。 在弱充电模式下，电池电压非常低，无法使整个系统上电。 由于电池电量低，USB收发器无法上电，因而不能枚举以从 USB主机获得更多电流。所以，USB限值仍然是100 mA。 系统微控制器可以通过充电器输出电压(VISO_SFC)供电， 也可以不通过它供电，具体取决于微控制器和/或系统架构 需要的电流量。当ISO_Sx引脚为微控制器供电时，电池充 电电流(ICHG_WEAK)不能提高到20 mA以上以确保微控制 器工作(如果这样做)，ICHG_WEAK也不能提高到100 mA USB 限值以上。因此，电池充电电流应按照如下规则设置： • 通过线性涓流充电器支线设置默认值20 mA(以确保微处 理器仍然活动，如果微处理器由主充电器输出ISO_Sx供 电)。主充电器输出ISO_Sx的任何残余电流都用于给电 池充电。 • 在弱电流模式下，其它特性可能会阻止弱充电电流达到 所编程的全值。某些工作条件下，等温充电模式或USB 兼容性要求的输入电流限值可能会影响所编程的弱充电 电流值。弱充电期间，ISO_Sx节点由电池隔离FET调节 为VISO_SFC。 在恒流模式下，其它特性可能会阻止电流ICHG达到所编 程的全值。某些工作条件下，等温充电模式或USB兼容性要 求的输入电流限值可能会影响ICHG的值。当VISO_Bx < VISO_SFC 时，电池隔离FET调节ISO_Sx电压，使其保持VISO_SFC。 快速充电模式(恒压) 随着电池充电，电压逐渐上升并接近终端电压VTRM。 ADP5062充电器监控BAT_SNS引脚电压，决定何时应结束 充电。然而，电池组的内部ESR，以及印刷电路板(PCB)和 其它寄生串联电阻，会在BAT_SNS引脚的检测点与电池终 端之间产生一个压降。为补偿此压降并确保电池充电完 全，当在BAT_SNS引脚上检测到终端电压时，ADP5062进 入恒压充电模式。电池继续充电，ADP5062逐渐降低充电 电流，使BAT_SNS引脚保持VTRM的电压。在快速充电模式( 恒压)下，CHARGER_STATUS[2:0]位设为011。 快速充电模式定时器 快速充电模式的持续时间会受到监控，确保电池正确充 电。如果快速充电模式持续时间超过tCHG，而BAT_SNS引 脚电压仍未达到VTRM，则认为存在故障，充电停止。 CHARGER_STATUS[2:0]位会设置故障状况，用户可以启 动“故障恢复”部分说明的故障恢复程序。 如果快速充电模式持续时间超过tCHG，并且BAT_SNS引脚 电压已达到VTRM，但充电电流尚未降到IEND以下，充电也 会停止。这种情况下不会设置故障状况，如果再充电阈值 被突破，充电会正常恢复。 看门狗定时器 ADP5062充电器具有可编程看门狗定时器功能，确保充电 在处理器的控制之下进行。当ADP5062充电器判断处理器 应当工作时，也就是当处理器首次将RESET_WD位设为1 或电池电压大于弱电池阈值VWEAK时，看门狗定时器开始 运行。看门狗定时器触发后，它必须在看门狗定时器周期 tWD内定期复位。 在充电器模式下，如果看门狗定时器超期未复位， ADP5062充电器将认为存在软件问题，并触发安全定时器 tSAFE。更多信息参见“安全定时器”部分。 Rev. B | Page 19 of 44 ADP5062 安全定时器 防止充电的电池电压限值 在充电器模式下，如果看门狗定时器超期，ADP5062充电 器会启动安全定时器tSAFE(参见“看门狗定时器”部分)。在充 电器启动安全定时器之前，如果处理器已经设置充电参数， 则ILIM被设为默认值。充电继续一定的时间tSAFE，然后充 电器关闭并设置CHARGER_STATUS [2:0]位。 ADP5062充电器的电池监控器可用来监控电池电压，并且 在充电启动期间(通过EN_CHG或DIG_IO3使能)，当电池 电压高于VCHG_VLIM(典型值3.7 V)时，防止充电。此功能 可防止半放电电池不必要地充电，从而延长锂离子电池的 寿命。当电池电压降至VCHG_VLIM以下时，充电自动开 始，并继续走完整个充电周期，直至电池电压达到VTRM( 典型值4.2 V)。 充电完成 在恒压快速充电模式下，ADP5062充电器会监控充电电流。 如果该电流降至IEND以下并持续tEND时间，充电将停止， CHDONE标志置1。如果充电电流降至IEND以下的持续时间 少于tEND，然后再次升至IEND以上，则tEND定时器复位。 默认情况下，充电电压限值禁用，可以通过I2C寄存器地址 0x08的位5 (EN_CHG_VLIM)使能。 SYS_EN输出 检测到充电完成且充电停止后，电池随着正常使用而放电， ADP5062充电器会监控BAT_SNS引脚。如果BAT_SNS引脚 电压降至VRCH，充电器将再次开始充电。多数情况下，触 发再充电阈值会导致充电器直接进入快速充电恒压模式。 ADP5062通过SYS_EN开漏FET使能系统，直到电池处于保 证系统启动所需的最低电平为止。如果有最低电池电压和/ 或最低电池充电电平要求，SYS_EN的操作可以通过I2C编 程设置。SYS_EN操作可以通过工厂设置为表11所示的四种 不同工作条件。 再充电功能可通过I 2 C禁用，但一个状态位(寄存器地址 0x0C的位3)会告知系统需要一个再充电周期。 表11. SYS_EN模式描述 IC使能/禁用 SYS_EN模式 选择 再充电 ADP5062 IC可通过DIG_IO2数字输入引脚(如果工厂编程如 此)或I2C寄存器禁用。IC禁用时，所有内部控制电路均禁 用。禁用IC1选项还可以控制LDO FET和电池隔离FET的 状态。 必须注意，在禁用IC1模式下，VINx上的高压会通过内部 电源电压，因为所有内部控制电路都已禁用。VINx电源电 压必须满足以下条件： VISO_Bx < VINx < 5.5 V 00 01 10 11 描述 当LDO使能且系统电压可用时，SYS_EN激活。 SYS_EN由ISO_Bx电压激活，电池充电模式。 当电池电压降至VWEAK以下时，SYS_EN激活 且隔离FET禁用。 当VINx = 0 V且电池监控器通过寄存器0x07的 位5 (EN_BMON)激活时，此选项有效。 在LDO模式下，充电器禁用时，SYS_EN激活。 在充电模式下，当VISO_Bx ≥ VWEAK时， SYS_EN激活。 指示器LED输出(ILED) 电池充电使能/禁用 将I2C EN_CHG位设为低电平，可以禁用ADP5062充电功能。 这种情况下，系统的LDO仍然工作，并且可以在I2C中设置 为默认值或I2C编程的系统电压(4.3 V至5.0 V，详情参见表26)。 ADP5062充电功能也可以通过一个外部DIG_IOx引脚控制 (如果工厂编程如此)。I2C EN_CHG的任何改变都优先于引 脚设置。 ILED是指示器LED连接的开漏输出。或者，ILED输出也可 以用作微控制器的状态输出。指示器LED模式如表12所示。 表12. 指示器LED工作模式 ADP5062 模式 IC关闭 LDO模式关闭 LDO模式开启 充电模式 定时器错误 (tTRK、tCHG、tSAFE) 过温(TSD) Rev. B | Page 20 of 44 ILED模式 关闭 关闭 关闭 连续开启 闪烁 开/关时间 闪烁 1 s/1 s 167 ms/833 ms ADP5062 热管理 电池隔离FET 等温充电 ADP5062充电器集成了一个电池隔离FET，用于电源路径 控制。在涓流和快速充电模式下，电池隔离FET会将深度 放电的锂离子电池与系统电源隔离，以便系统在所有时候 都能上电。 ADP5062内置一个热反馈环路，当芯片温度超过TLIM(典 型值115)时，它会限制充电电流。当片内功耗和芯片温度 提高时，充电电流自动降低，以将芯片温度保持在推荐范 围以内。当芯片温度因为片内功耗或环境温度降低而降低 时，充电电流回到编程水平。等温充电期间，THERM_ LIM I2C标志设为高电平。 此热反馈控制环路允许用户根据典型情况(而非最差情况) 设置充电电流。 ADP5062不含用来限制LDO模式下ISO_Sx负载电流的热反 馈环路。如果LDO模式下的片内功耗导致芯片温度超过 130，就会产生一个中断。如果芯片温度继续提高到140以 上，器件即进入热关断状态。 热关断和热预警 ADP5062充电器具有一个热关断阈值检测器。如果芯片温 度超过TSD，ADP5062充电器就会禁用，TSD 140位置1。当芯 片温度降至TSD下降限值以下时，ADP5062充电器可以重新 使能，TSD 140位复位。要复位TSD 140位，应写入I2C故障 寄存器(寄存器地址0x0D，位0)或进行周期供电。 芯片温度达到TSD之前，如果超过TSDL，预警位就会置1。这 样，系统可以在热关断发生前调整功耗。 故障恢复 执行以下操作之前，必须确保故障的原因已被消除。 要使充电器从故障(CHARGER_STATUS[2:0] = 110)中恢复， 应对VINx周期供电，或者写入高电平以复位故障寄存器 (寄存器地址0x0D)中的I2C故障位。 当VINx低于VVIN_OK_RISE时，电池隔离FET处于完全导通模式。 在涓流充电模式下，电池隔离FET断开。当电池电压超过 VTRK_DEAD时，电池隔离FET切换到系统电压调节模式。在 系统电压调节模式下，电池隔离FET维持ISO_Sx引脚上的 VISO_SFC电压。当电池电压超过VISO_SFC时，电池隔离FET处 于完全导通模式。 电池隔离FET辅助电池来支持系统电源的高电流功能。当 ISO_Sx上的电压降至VISO_Bx以下时，电池隔离FET进入完全 导通模式。当ISO_Sx上的电压升至VISO_Bx以上时，隔离FET 进入调节模式或完全导通模式，具体取决于锂离子电池电 压和线性充电器模式。 电池检测 电池电压电平检测 ADP5062充电器具有电池检测机制，可以检测电池是否存 在。充电器主动吸入和流出电流到ISO_Bx节点，并检测电 压与时间的关系。吸电流阶段用于检测充电电池，源电流 阶段用于检测放电电池。 吸电流阶段(见图30)从ISO_Bx引脚吸入ISINK电流，持续时 间为t BATOK 。当tBATOK定时器到期时，如果ISO_Bx低于 VBATL，则充电器认为电池不存在，并开始源电流阶段。当 tBATOK定时器到期时，如果ISO_Bx引脚超过VBATL电压，则 充电器认为电池存在，并开始新的充电周期。 源电流阶段将ISOURCE电流提供给ISO_Bx引脚，持续时间为 tBATOK。在tBATOK定时器到期前，如果ISO_Bx超过VBATH， 则充电器认为电池不存在。当tBATOK定时器到期时，如果 ISO_Bx引脚未超过VBATH电压，则充电器认为电池存在，并 开始新的充电周期。 Rev. B | Page 21 of 44 ADP5062 SOURCE PHASE VBATL LOGIC STATUS tBAT_OK VBATH ISOURCE SINK PHASE LOGIC STATUS tBAT_OK OPEN OR SHORT OPEN ISO_Bx 10806-030 OPEN OPEN ISINK ISO_Bx 图30. 吸电流阶段 ISO_Bx SHORT OR LOW BATTERY tBAT_SHR SHORT ISO_Bx 10806-031 tBAT_OK LOGIC STATUS SHORT OPEN OR SHORT SHORT SHORT ISINK tBAT_OK LOGIC STATUS ISOURCE LOGIC STATUS ISO_Bx TRICKLE CHARGE VBAT_SHR SOURCE PHASE VBATH VBATL ITRK_DEAD SINK PHASE 图31. 涓流充电 电池(ISO_Bx)短路检测 电池短路发生在电池受损或电池保护电路使能时。 开始涓流充电时，ADP5062充电器监控电池电压。在规定 的超时期间tBAT_SHR内，如果此电池电压未超过VBAT_SHR，则 说明发生故障，电池隔离FET断开，充电器停止，但系统 电压仍由线性稳压器维持在VISO_STRK。 经过源电流阶段之后，如果ISO_Bx或BAT_SNS电平仍然低 于VBATH，则说明电池电压很低或电池节点短路。由于电池 电压很低，因此启动涓流充电模式(见图31)。经过tBAT_SHR 时间后，如果BAT_SNS电平仍然低于VBAT_SHR，则ADP5062 认为电池节点短路。 使用表13所示的条件，电池组温度检测可以通过I2C控制。 注意，EN_THR(寄存器地址0x07)的I2C寄存器默认设置为0， 即温度检测关闭。 表13. THR输入功能 条件 VINx 开路或VIN = 0 V至4.0 V 开路或VIN = 0 V至4.0 V 4.0 V至6.7 V VISO_Bx 2.5 V 无关 THR功能 关闭 关闭，由I2C控制 始终开启 如果电池组热敏电阻未直接连到THR引脚，则必须在THR 输入与GND之间连接一个10 kΩ(容差±20%)伪电阻。THR引 脚保持开路会导致误检测电池温度低于0，并且禁用充电。 在电池短路情况下，涓流充电支线有效，涓流充电电流会 被提供给电池，直到60分钟后涓流充电模式定时器到期 为止。 ADP5062充电器监控THR引脚的电压，如果电流超出0以 下或60以上的范围，则暂停充电。 电池组温度检测 ADP5062充电器配合电池组中标称室温值为10 kΩ或100 kΩ (25时)的NTC热敏电阻使用，该值由工厂编程选择。 电池热敏电阻输入 ADP5062充电器具有电池组温度检测功能，当电池组温度 超过额定范围时，它会阻止充电。THR引脚提供一个开关 电流源，应将其直接连到电池组热敏电阻端子。THR电流 源的激活间隔时间为167 ms。 ADP5062充电器配合电池组中具有温度系数曲线(β)的NTC 热敏电阻使用。工厂编程支持8种β曲线，涵盖3150至4400 的范围(见表43)。 Rev. B | Page 22 of 44 ADP5062 JEITA锂离子电池充电规格 或者，JEITA1或JEITA2也可以由工厂编程设置为默认使能。 ADP5062符合表14和表16所列的JEITA1和JEITA2锂离子电 池充电温度规格。 当ADP5062发现热或冷电池状况时，它会采取如下措施： JEITA功能可通过I2C接口使能，JEITA1或JEITA2功能可在 I2C中选择。 • 停止给电池充电。 • 连接或使能电池隔离FET，使得ADP5062继续在LDO模 式下工作。 表14. JEITA1规格 参数 JEITA1冷温度限值 JEITA1凉温度限值 符号 IJEITA_COLD IJEITA_COOL JEITA1典型温度限值 JEITA1暖温度限值 JEITA1热温度限值 IJEITA_TYP IJEITA_WARM IJEITA_HOT 条件 未发生电池充电。 电池充电发生在编程值的50%左右。具体充电电流降幅参见 表15。 正常电池充电发生在默认值/编程值。 电池终端电压(VTRM)降低到编程值以下100 mV。 未发生电池充电。 最小值 最大值 单位 0 °C 0 10 °C 10 45 60 45 60 °C °C °C 表15. JEITA1降低充电电流电平，电池冷温度 ICHG[4:0](默认值) 00000 = 50 mA 00001 = 100 mA 00010 = 150 mA 00011 = 200 mA 00100 = 250 mA 00101 = 300 mA 00110 = 350 mA 00111 = 400 mA 01000 = 450 mA 01001 = 500 mA 01010 = 550 mA 01011 = 600 mA ICHG JEITA1 50 mA 50 mA 50 mA 100 mA 100 mA 150 mA 150 mA 200 mA 200 mA 250 mA 250 mA 300 mA ICHG[4:0](默认值) 01100 = 650 mA 01101 = 700 mA 01110 = 750 mA 01111 = 800 mA 10000 = 850 mA 10001 = 900 mA 10010 = 950 mA 10011 = 1000 mA 10100 = 1050 mA 10101 = 1100 mA 10110 = 1200 mA 10111 = 1300 mA ICHG JEITA1 300 mA 350 mA 350 mA 400 mA 400 mA 450 mA 450 mA 500 mA 500 mA 550 mA 600 mA 650 mA 表16. JEITA2规格 参数 JEITA2冷温度限值 JEITA2凉温度限值 JEITA2典型温度限值 JEITA2暖温度限值 JEITA2热温度限值 符号 IJEITA_COLD IJEITA_COOL IJEITA_TYP IJEITA_WARM IJEITA_HOT 条件 未发生电池充电。 电池终端电压(VTRM)降低到编程值以下100 mV。 正常电池充电发生在默认值/编程值。 电池终端电压(VTRM)降低到编程值以下100 mV。 未发生电池充电。 Rev. B | Page 23 of 44 最小值 最大值 0 0 10 10 45 45 60 60 单位 °C °C °C °C °C ADP5062 POWER-ON RESET RESET ALL REGISTERS NO NO SYSTEM OFF IC OFF VIN_OK = HIGH YES ENABLE CHARGER NO ENABLE LDO YES ENABLE CHARGER LDO MODE NO YES LOW BATTERY CHG YES VBAT_SNS < VCHG_VLIM NO NO YES TO CHARGING MODE 图32. 电池和VINx连接简化流程图 Rev. B | Page 24 of 44 10806-032 YES ADP5062 TO CHARGING MODE TO IC OFF YES RUN BATTERY DETECTION tSTART EXPIRED YES VBAT_SNS < VTRK TRICKLE CHARGE NO POWER-DOWN FAST CHARGE NO VIN_OK = HIGH VIN_OK = HIGH YES NO IVINx < ILIM NO VIN_ILIM = HIGH IVINx = ILIM NO THERM_LIM = HIGH TEMP = TLIM YES YES YES NO YES VBAT_SNS < VTRK WATCHDOG EXPIRED START tSAFE IBUS = 100mA NO tWD EXPIRED TEMP < TLIM NO YES TIMER FAULT OR BAD BATTERY YES tSAFE OR tTRK EXPIRED tWD EXPIRED YES NO WATCHDOG EXPIRED START tSAFE IBUS = 100 mA NO tSAFE OR tCHG YES1 EXPIRED NO RUN BATTERY DETECTION VBAT_SNS = VTRM YES NO CC MODE CHARGING NO CV MODE CHARGING CHARGE COMPLETE YES IOUT < IEND 图33. 充电模式简化流程图 Rev. B | Page 25 of 44 10806-033 YES VBAT_SNS = VRCH NO TIMER FAULT OR BAD BATTERY 1SEE TIMER SPECS ADP5062 I2C接口 器的I 2 C写序列示例参见图34)。ADP5062自动递增子地 址，并在下一个寄存器开始接收数据字节，直到主机发送 I2C停止命令，如图35所示。 ADP5062具有一个I C兼容串行接口，用于控制充电和LDO 功能，以及回读系统状态寄存器。I2C芯片地址是0x28(写 模式)和0x29(读模式)。 2 图36显示了对单个寄存器的I2C读序列。ADP5062从子地址 表示的寄存器发送数据，然后自动递增子地址，发送下一个 寄存器的数据，直到主机发送I2C停止命令，如图37所示。 当VINx电源降至下降电压阈值VVIN_OK_FALL以下时，寄存器 值复位到默认值。电池断开且VIN为0 V时，I2C寄存器也会 复位。 子地址部分选择首先要写入ADP5062的哪一个寄存器。写 入8位数据字节后，ADP5062向主机发送应答(对单个寄存 MASTER STOP 0 = WRITE 0 1 0 CHIP ADDRESS 0 0 0 0 SUBADDRESS 0 SP ADP5062 RECEIVES DATA 10806-034 1 ADP5062 ACK 0 ADP5062 ACK 0 ADP5062 ACK ST 图34. 单个寄存器的I 2C写序列 0 = WRITE 0 0 0 0 CHIP ADDRESS 0 SUBADDRESS REGISTER N 0 0 ADP5062 RECEIVES DATA TO REGISTER N ADP5062 RECEIVES DATA TO REGISTER N + 1 0 SP ADP5062 RECEIVES DATA TO LAST REGISTER 10806-035 1 ADP5062 ACK 0 ADP5062 ACK 1 ADP5062 ACK 0 ADP5062 ACK 0 ADP5062 ACK ST MASTER STOP 图35. 多个寄存器的I 2C写序列 SUBADDR ESS CHIP ADDRESS ADP5062 ACK ADP5062 ACK CHIP ADDRESS 0 0 1 SP MASTER ACK 0 ST 0 0 1 0 1 0 0 1 0 1 0 1 0 0 0 0 ADP5062 ACK ST 0 MASTER STOP 1 = READ ADP5062 SEND SDATA 10806-036 0 = WRITE 图36. 单个寄存器的I 2C读序列 图37. 多个寄存器的I 2C读序列 Rev. B | Page 26 of 44 ADP5062 SENDS DATA OF REGISTER N+1 1 SP ADP5062 SENDS DATA OF LAST REGISTER 10806-037 ADP5062 SENDS DATA OF REGISTER N 0 MASTER ACK CHIP ADDRESS 0 MASTER ACK SUBADDRESS REGISTER N ADP5062 ACK CHIP ADDRESS ADP5062 ACK 0 ST 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 ADP5062 ACK ST MASTER STOP 1 = READ MASTER ACK 0 = WRITE ADP5062 I2C寄存器映射 编程选项详情参见“工厂可编程选项”部分。注意，空白单元表示不使用的位，或保留供未来使用。 表17. I2C寄存器映射 寄存器 名称 制造商和 型号ID 0x01 芯片版本 地址 0x00 0x02 0x03 D7 D6 D5 MANUF[3:0] D4 D3 D2 D1 Model[3:0] D0 REV[3:0] ILIM[3:0] 1 VINx引脚 设置 终端设置 VTRM[5:0]1, 2 CHG_VLIM[1:0]1, 2 0x04 充电电流 设置 0x05 电压阈值 0x06 定时器设置 0x07 功能设置1 0x08 功能设置2 0x09 中断使能 EN_THERM_LIM_INT EN_WD_INT EN_TSD_INT EN_THR_INT EN_BAT_INT EN_CHG_INT EN_VIN_INT 0x0A 中断激活 THERM_LIM_INT WD_INT TSD_INT THR_INT BAT_INT 0x0B VIN_OK VIN_ILIM THERM_LIM CHDONE CHARGER_STATUS[2:0] RCH_LIM_INFO BATTERY_STATUS[2:0] 0x0D 充电器 状态1 充电器 状态2 故障 0x10 电池短路 0x11 IEND 0x0C 1 2 3 ICHG[4:0]1, 2 DIS_RCH1, 3 VRCH[1:0]1 DIS_IC11 EN_JEITA1, 3 JEITA_SELECT1, 3 VIN_OV ITRK_DEAD[1:0]1 VTRK_DEAD[1:0]1, 3 VWEAK[2:0]1 EN_TEND1 EN_CHG_TIMER1 CHG_TMR_PERIOD1 EN_WD1, 3 EN_BMON1 EN_THR1 DIS_LDO1 EN_EOC1 IDEAL_DIODE[1:0]1, 3 EN_CHG_VLIM1, 3 THR_STATUS[2:0] EN_CHG1 VSYSTEM[2:0]1, 3 BAT_SHR1 CHG_INT TSD 130°C1 TBAT_SHR[2:0]1 IEND[2:0]1, 3 WD_PERIOD1 RESET_WD VIN_INT TSD 140°C1 VBAT_SHR[2:0]1 C/20 EOC1 当VINx连接或断开时，这些位复位到默认I2C值。 这些位的默认I2C值可部分通过工厂编程。 这些位的默认I2C值可全部通过工厂编程。 Rev. B | Page 27 of 44 C/10 EOC1 C/5 EOC1 SYS_EN_SET[1:0]1, 3 ADP5062 寄存器位功能描述 表18至表33使用到以下缩写：R表示只读，W表示只写，R/W表示读/写，N/A表示不适用。 表18. 制造商和型号ID(寄存器地址0x00) 位号 [7:4] [3:0] 位的名称 MANUF[3:0] MODEL[3:0] 访问类型 R R 默认值 0001 1001 描述 4位制造商标识总线 4位型号标识总线 表19. 芯片版本(寄存器地址0x01) 位号 [7:4] [3:0] 位的名称 不用 REV[3:0] 访问类型 R R 默认值 描述 0100/ADP5062ACPZ-1-R7 0111/ADP5062ACPZ-2-R7 4位芯片版本标识总线 表20. VINx引脚设置(寄存器地址0x02) 位号 [7:5] 4 [3:0] 位的名称 不用 RFU ILIM[3:0] 访问类型 R R/W R/W 默认值 描述 0 0000 = 100 mA 保留供未来使用。 VINx输入限流编程总线。VINx的输入电流限值可以设置为如下 选项： 0000 = 100 mA. 0001 = 150 mA. 0010 = 200 mA. 0011 = 250 mA. 0100 = 300 mA. 0101 = 400 mA. 0110 = 500 mA. 0111 = 600 mA. 1000 = 700 mA. 1001 = 800 mA. 1010 = 900 mA. 1011 = 1000 mA. 1100 = 1200 mA. 1101 = 1500 mA. 1110 = 1800 mA. 1111 = 2100 mA. Rev. B | Page 28 of 44 ADP5062 表21. 终端设置(寄存器地址0x03) 位号 [7:2] 位的名称 VTRM[5:0] 访问类型 R/W 默认值 100011 = 4.20 V [1:0] CHG_VLIM[1:0] R/W 00 = 3.2 V 描述 终端电压编程总线。悬空电压的值可以设置为如下选项： 000101 = 3.60 V. 000110 = 3.62 V. 000111 = 3.64 V. 001000 = 3.66 V. 001001 = 3.68 V. 001010 = 3.70 V. 001011 = 3.72 V. 001100 = 3.74 V. 001101 = 3.76 V. 001110 = 3.78 V. 001111 = 3.80 V. 010000 = 3.82 V. 010001 = 3.84 V. 010010 = 3.86 V. 010011 = 3.88 V. 010100 = 3.90 V. 010101 = 3.92 V. 010110 = 3.94 V. 010111 = 3.96 V. 011000 = 3.98 V. 011001 = 4.00 V. 011010 = 4.02 V. 011011 = 4.04 V. 011100 = 4.06 V. 011101 = 4.08 V. 011110 = 4.10 V. 011111 = 4.12 V. 100000 = 4.14 V. 100001 = 4.16 V. 100010 = 4.18 V. 100011 = 4.20 V. 100100 = 4.22 V. 100101 = 4.24 V. 100110 = 4.26 V. 100111 = 4.28 V. 101000 = 4.30 V. 101001 = 4.32 V. 101010 = 4.34 V. 101011 = 4.36 V. 101100 = 4.38 V. 101101 = 4.40 V. 101110 = 4.42 V. 101111 = 4.44 V. 110000 = 4.44 V. 110001 = 4.46 V. 110010 = 4.48 V. 110011 to 111111 = 4.50 V. 充电电压限值编程总线。充电电压的限值可以设置为如下选项： 00 = 3.2 V. 01 = 3.4 V. 10 = 3.7 V. 11 = 3.8 V. Rev. B | Page 29 of 44 ADP5062 表22. 充电电流设置(寄存器地址0x04) 位号 7 [6:2] 位的名称 不用 ICHG[4:0] 访问类型 R R/W 默认值 描述 01110 = 750 mA [1:0] ITRK_DEAD[1:0] R/W 10 = 20 mA 快速充电电流编程总线。恒流充电的值可以设置为如下选项： 00000 = 50 mA. 00001 = 100 mA. 00010 = 150 mA. 00011 = 200 mA. 00100 = 250 mA. 00101 = 300 mA. 00110 = 350 mA. 00111 = 400 mA. 01000 = 450 mA. 01001 = 500 mA. 01010 = 550 mA. 01011 = 600 mA. 01100 = 650 mA. 01101 = 700 mA. 01110 = 750 mA. 01111 = 800 mA. 10000 = 850 mA. 10001 = 900 mA. 10010 = 950 mA. 10011 = 1000 mA. 10100 = 1050 mA. 10101 = 1100 mA. 10110 = 1200 mA. 10111 to 11111 = 1300 mA. 涓流和弱充电电流编程总线。涓流和弱充电电流的值可以设置 为如下选项： 00 = 5 mA. 01 = 10 mA. 10 = 20 mA. 11 = 80 mA. 表23. 电压阈值(寄存器地址0x05) 位号 7 位的名称 DIS_RCH 访问类型 R/W 默认值 0 = 再充电使能 [6:5] VRCH[1:0] R/W 11 = 260 mV 描述 0 = 再充电使能。 1 = 再充电禁用。 再充电电压编程总线。再充电阈值可以设置为如下选项 (注意，再充电周期可以在I2C中通过DIS_RCH位禁用)： 00 = 80 mV. 01 = 140 mV. 10 = 200 mV. 11 = 260 mV. Rev. B | Page 30 of 44 ADP5062 位号 [4:3] 位的名称 VTRK_DEAD[1:0] 访问类型 R/W 默认值 01 = 2.5 V [2:0] VWEAK[2:0] R/W 011 = 3.0 V 描述 无电电池涓流至快速充电电压编程总线。涓流至快速充电阈值 可以设置为如下选项： 00 = 2.0 V. 01 = 2.5 V. 10 = 2.6 V. 11 = 2.9 V. 弱电池电压上升阈值。 000 = 2.7 V. 001 = 2.8 V. 010 = 2.9 V. 011 = 3.0 V. 100 = 3.1 V. 101 = 3.2 V. 110 = 3.3 V. 111 = 3.4 V. 表24. 定时器设置(寄存器地址0x06) 位号 [7:6] 5 位的名称 不用 EN_TEND 访问类型 默认值 描述 R/W 1 4 EN_CHG_TIMER R/W 1 3 CHG_TMR_PERIOD R/W 1 2 EN_WD R/W 0 1 WD_PERIOD R/W 0 0 RESET_WD W 0 0 = 充电完成定时器tEND禁用。31 ms去毛刺定时器仍然开启。 1 = 充电完成定时器使能。 0 = 涓流/快速充电定时器禁用。 1 = 涓流/快速充电定时器使能。 涓流和快速充电定时器周期。 0 = 30秒涓流充电定时器和300分钟快速充电定时器。 1 = 60秒涓流充电定时器和600分钟快速充电定时器。 0 = 看门狗定时器禁用，即使BAT_SNS超过VWEAK。 1 = 看门狗定时器安全定时器使能。 看门狗安全定时器周期。 0 = 32秒看门狗定时器和40分钟安全定时器。 1 = 64秒看门狗定时器和40分钟安全定时器。 当RESET_WD被I2C设为逻辑高电平时，看门狗安全定时器复位。 表25. 功能设置1(寄存器地址0x07) 位号 7 6 位的名称 不用 DIS_IC1 访问类型 默认值 描述 R/W 0 0 = 正常工作。 1 = ADP5062禁用；VVINx必须满足以下条件：VISO_Bx < VVINx < 5.5 V。 5 EN_BMON R/W 0 0 = 当VVINx < VVIN_OK_RISE或VVIN_OK_FALL时，电池监控器禁用。当VVINx = 4.0 V至6.7 V时，无论EN_BMON状态如何，电池监控器均使能。 1 = 电池监控器使能，即使VINx引脚的电压低于VVIN_OK。 4 EN_THR R/W 0 0 = 当VVINx < VVIN_OK_RISE或VVIN_OK_FALL时，THR电流源禁用。当VVINx = 4.0 V至6.7 V时，无论EN_THR状态如何，THR电流源均使能。 1 = THR电流源使能，即使VINx引脚的电压低于VVIN_OK_RISE或 VVIN_OK_FALL。 3 DIS_LDO R/W 0 0 = LDO使能。 1 = LDO禁用。此外，如果EN_CHG = 低电平，则电池隔离 FET导通。如果EN_CHG = 高电平，则电池隔离FET断开。 Rev. B | Page 31 of 44 ADP5062 位号 2 位的名称 EN_EOC 访问类型 R/W 默认值 1 描述 0 = 不允许充电结束 1 = 允许充电结束 1 0 不用 EN_CHG R/W 0 0 = 电池充电禁用 1 = 电池充电使能 描述 0 = JEITA锂离子温度电池充电合规性禁用 1 = JEITA合规性使能 0 = 选择JEITA1 1 = 选择JEITA2 0 = 充电电压限值禁用 1 = 电压限值使能。充电器阻止充电， 直到电池电压降至VCHG_VLIM阈值以下。 表26. 功能设置2(寄存器地址0x08) 位号 7 位的名称 EN_JEITA 访问类型 R/W 默认值 0 = JEITA禁用 6 JEITA_SELECT R/W 0 = JEITA1 5 EN_CHG_VLIM R/W 0 [4:3] IDEAL_DIODE[1:0] R/W 00 [2:0] VSYSTEM[2:0] R/W 特定型号的默认值 参见表41。 00 = 当VISO_Sx < VISO_Bx时，理想二极管始终工作。 01 = 当VISO_Sx < VISO_Bx且VBAT_SNS > VWEAK时，理想二极管工作。 10 = 理想二极管禁用。 11 = 理想二极管禁用。 系统电压编程总线。系统电压的值可以设置为如下选项： 000 = 4.3 V. 001 = 4.4 V. 010 = 4.5 V. 011 = 4.6 V. 100 = 4.7 V. 101 = 4.8 V. 110 = 4.9 V. 111 = 5.0 V. 表27. 中断使能(寄存器地址0x09) 位号 7 6 位的名称 不用 EN_THERM_LIM_INT 访问类型 默认值 描述 R/W 0 5 EN_WD_INT R/W 0 4 EN_TSD_INT R/W 0 3 EN_THR_INT R/W 0 2 EN_BAT_INT R/W 0 1 EN_CHG_INT R/W 0 0 EN_VIN_INT R/W 0 0 = 等温充电中断禁用 1 = 等温充电中断使能 0 = 看门狗报警中断禁用 1 = 看门狗报警中断使能 0 = 过温中断禁用 1 = 过温中断使能 0 = THR温度阈值中断禁用 1 = THR温度阈值中断使能 0 = 电池电压阈值中断禁用 1 = 电池电压阈值中断使能 0 = 充电器模式改变中断禁用 1 = 充电器模式改变中断使能 0 = VINx引脚电压阈值中断禁用 1 = VINx引脚电压阈值中断使能 Rev. B | Page 32 of 44 ADP5062 表28. 中断有效(寄存器地址0x0A) 位号 7 6 5 位的名称 Not used THERM_LIM_INT WD_INT 访问类型 默认值 描述 R R 0 0 4 3 2 1 0 TSD_INT THR_INT BAT_INT CHG_INT VIN_INT R R R R R 0 0 0 0 0 1 = 表示等温充电引起的中断。 1 = 表示看门狗报警引起的中断。看门狗定时器超时时间为 2秒或4秒，取决于看门狗定时器设置是32秒还是64秒。 1 = 表示过温故障引起的中断。 1 = 表示THR温度阈值引起的中断。 1 = 表示电池电压阈值引起的中断。 1 = 表示充电器模式改变引起的中断。 1 = 表示VINx电压阈值引起的中断。 默认值 不适用 不适用 描述 1 = VINx引脚的电压超过VVIN_OV。 1 = VINx引脚的电压超过VVIN_OK_RISE、VVIN_OK_FALL。 1 = VINx引脚的输入电流受高压阻隔FET的限制，充电器不是以所 编程的全ICHG值工作。 1 = 充电器不是以所编程的全ICHG值工作，而是受芯片温度的 限制。 1 = 已达到充电周期末尾。此位锁存在高电平，因为当VRCH阈值 被突破时，它不会复位到低电平。 充电器状态总线。 000 = 关闭 001 = 涓流充电 010 = 快速充电(CC模式) 011 = 快速充电(CV模式) 100 = 充电完成 101 = LDO模式 110 = 涓流或快速充电定时器到期 111 = 电池检测 表29. 充电器状态1(寄存器地址0x0B) 位号 7 6 位的名称 VIN_OV VIN_OK 访问类型 R R 5 VIN_ILIM R 不适用 4 THERM_LIM R 不适用 3 CHDONE R 不适用 [2:0] CHARGER_STATUS[2:0] R 不适用 Rev. B | Page 33 of 44 ADP5062 表30. 充电器状态2(寄存器地址0x0C) 位号 [7:5] 名称 THR_STATUS[2:0] 访问类型 默认值 R N/A 描述 THR引脚状态 000 = 关闭 001 = 电池冷 010 = 电池凉 011 = 电池暖 100 = 电池热 111 = 热敏电阻正常 4 3 不用 RCH_LIM_INFO R N/A [2:0] BATTERY_STATUS[2:0] R 当DIS_RCH为逻辑高电平且CHARGER_STATUS[2:0] = 100(二进制)时， 再充电限制信息功能激活。该状态位告知系统需要一个再充电周期。 0 = VBAT_SNS > VRCH 1 = VBAT_SNS < VRCH 电池状态总线。 000 = 电池监控器关闭 001 = 无电池 010 = VBAT_SNS < VTRK_DEAD. 011 = VTRK_DEAD ≤ VBAT_SNS < VWEAK. 100 = VBAT_SNS ≥ VWEAK. 访问类型 默认值 描述 R/W R/W R/W R/W 0 1 = 表示检测到电池短路 0 0 1 = 表示过温(较低)故障 1 = 表示过温故障 表31. 故障1(寄存器地址0x0D) 位号 [7:4] 3 2 1 0 1 位的名称 不用 BAT_SHR 不用 TSD 130°C TSD 140°C 要复位故障寄存器中的故障位，应对VINx周期供电或写入高电平到相应的I2C位。 表32. 电池短路(寄存器地址0x10) 位号 [7:5] 位的名称 TBAT_SHR[2:0] 访问类型 R/W 默认值 100 = 30 sec 描述 电池短路超时定时器。 000 = 1 s 001 = 2 s 010 = 4 s 011 = 10 s 100 = 30 s 101 = 60 s 110 = 120 s 111 = 180 s [4:3] [2:0] 不用 VBAT_SHR[2:0] R/W 100 = 2.4 V 电池短路电压阈值电平。 000 = 2.0 V 001 = 2.1 V 010 = 2.2 V 011 = 2.3 V 100 = 2.4 V 101 = 2.5 V 110 = 2.6 V 111 = 2.7 V Rev. B | Page 34 of 44 ADP5062 表33. IEND)寄存器地址0x11选项 位号 [7:5] 位的名称 IEND[2:0] 访问类型 默认值 R/W 010 = 52.5 mA 4 C/20 EOC R/W 0 3 C/10 EOC R/W 0 2 C/5 EOC R/W 0 1:0 SYS_EN_SET[1:0] R/W 00 1 描述 终端电流编程总线。终端电流的值可以设置为如下选项： 000 = 12.5 mA. 001 = 32.5 mA. 010 = 52.5 mA. 011 = 72.5 mA. 100 = 92.5 mA. 101 = 117.5 mA. 110 = 142.5 mA. 111 = 170.0 mA. C/20 EOC位优先于其它设置)C/5 EOC、C/10 EOC和IEND[2:0]选项。 1 = 终端电流为ICHG[4:0] ，但具有以下限制： 最小值 = 12.5 mA 最大值 = 170 mA C/10 EOC位优先于其它终端电流设置)C/5 EOC和IEND[2:0]选项，但不优先于 C/20 EOC设置。 1 = 终端电流为ICHG[4:0] ，除非C/20 EOC为 高电平。终端电流具有以下限值： 最小值 = 12.5 mA 最大值 = 170 mA C/5 EOC位优先于其它终端电流设置 (IEND[2:0])，但不优先于C/20 EOC设置和C/10 EOC设置。 1 = 终端电流为ICHG[4:0] ，除非C/20或C/10 EOC为高电平。 终端电流具有以下限值： 最小值 = 12.5 mA 最大值 = 170 mA 选择系统使能引脚(SYS_EN)的工作模式。 00 = 当LDO使能且系统电压可用时，SYS_EN激活。 01 = SYS_EN由ISO_Bx电压激活，电池充电模式。 10 = 当电池电压降至VWEAK以下时，SYS_EN激活且隔离FET禁用。1 11 = 在LDO模式下，充电器禁用时，SYS_EN激活。在充电模式下， 当VISO_Bx ≥ VWEAK时，SYS_EN激活。 当VINx = 0 V且电池监控器通过寄存器0x07的位5 (EN_BMON)激活时，此选项有效。 Rev. B | Page 35 of 44 ADP5062 应用信息 外部器件 将这些值代入公式得出： ISO_Sx (VOUT)电容选择 为使ADP5062安全稳定地工作，工作期间任何时候ISO_Sx 电容和系统电容的总有效容值不得低于10 ，且不得超过100 。 选择电容值时，考虑由输出电压直流偏置所引起的电容损 耗也非常重要。陶瓷电容由各种电介质制成，温度和所施 加的电压不同，其特性也不相同。电容必须采用足以在必 要的温度范围和直流偏置条件下确保最小电容的电介质。 建议使用电压额定值为6.3 V或更高的X5R或X7R电介质，以 实 现 最 佳 性 能 。 建 议 不 要 将 Y5V和 Z5U电 介 质 与 任 何 DC/DC转换器一起使用，因为这类电介质的温度和直流偏 置性能较差。 CEFF ) ≈ 12.24 为了保证充电器在各种工作模式(包括涓流充电、恒流充电 和恒压充电)下的性能，必须针对每一种应用来评估直流偏 置、温度和容差对电容性能的影响。 ISO_Sx电容拆分 许多应用中，ISO_Sx总容值由多个电容构成。系统电压节 点(ISO_Sx)通常为单个稳压器或多个IC及稳压器供电，每 个器件均要求在其电源输入附近放置一个电容(见图39)。 靠近ADP5062 ISO_Sx输出端的电容至少应为5 ，同时工作 期间任何时候的总有效电容至少应为10 。 考虑电容随温度变化、器件容差和电压时，最差条件电容 可通过以下公式计算： ISO_Sx CEFF = COUT × (1 − TEMPCO) × (1 − TOL) CISO_Sx > 5µF IC1 ADP5062 ISO_Bx 其中： CEFF是工作电压下的有效电容量。 TEMPCO为最差的电容温度系数。 TOL为最差的器件容差。 + SUM OF EFFECTIVE CAPACITANCES ON ISO_Sx NODE > 10µF CISO_Bx ≥10µF VIN2 本例中，假定X5R电介质在−40至+85范围内的最差温度系 数(TEMPCO)为15%。假定电容容差(TOL)为10%，COUT在 4.2 V下为16 μF，如图38所示。 IC2 10806-038 CIN2 60 CAPACITANCE (µF) VIN1 CIN1 图39. ISO_Sx电容拆分 55 ISO_Bx和ISO_Sx电容选择 50 工作期间任何时候，ISO_Bx和ISO_Sx有效电容(包括温度 和直流偏置效应)不得低于10 µF。通常，为满足所有工作条 件的要求，标称电容需为22 µF。关于ISO_Bx和ISO_Sx电容 的建议参见表34。 45 40 35 CBP电容选择 30 20 0 1 2 3 4 5 DC BIAS VOLTAGE (V) 10806-041 25 ADP5062的内部电源电压在CBP端配有一个噪声抑制电容。 工作期间任何时候，CBP电容不得超过14 nF。勿将任何外 部电压源、阻性负载或其它电流负载连接到CBP端。关于 CBP电容的建议参见表35。 图38. Murata GRM31CR61A226KE19电容与偏置电压的关系 Rev. B | Page 36 of 44 ADP5062 VINx电容选择 根据USB 2.0规范，当USB外设连接到USB端口时，可以在 VBUS上检测到电容变化。外设VBUS旁路电容不得低于1 且不得高于10 。 ADP5062的VINx输入能够耐受高达20 V的电压，但是，如果 应用要求将VINx输入暴露于最高20 V电压下，则电容的电 压范围也必须高于20 V。关于VINx电容的建议参见表36。 使用陶瓷电容时，较高电压范围一般是通过选择物理尺寸 较大的器件来实现的。在可以保证VINx输入电压低于20 V 的应用中，则相应地可以使用较小的输出电容。 表34. ISO_Bx和ISO_Sx电容建议 供应商 Murata Murata TDK TaiyoYuden 产品型号 GRM31CR61A226KE19 GRM31CR60J226ME19 C3216X5R0J226M JMK316ABJ226KL 值 F F 22 µF 22 µF 电压 10 V 6.3 V 6.3 V 6.3 V 尺寸 1206 1206 1206 1206 值 10 nF 10 nF 电压 16 V 16 V 尺寸 0402 0402 值 10 µF 10 µF 电压 25 V 25 V 尺寸 0805 0805 表35. CBP电容建议 供应商 Murata TDK 产品型号 GRM15XR71C103KA86 C1005X7R1C103K 表36. VINx电容建议 供应商 Murata TDK Rev. B | Page 37 of 44 产品型号 GRM21BR61E106MA73 C2012X5R1E106K ADP5062 PCB布局指南 VIN = 4V TO 7V C4 10µF GRM21BR6E106MA73 6 8 7 VIN1 TO VIN3 ADP5062 20-LEAD LFCSP 19 ISO_S1 TO ISO_S3 CBP C1 10nF 9 10 GRM15XR71C103KA8 11 C3 22µF GRM31CR60J226ME19 VDDIO R1 1.5kΩ R2 1.5kΩ CHARGER CONTROL BLOCK TO MCU 1 SCL TO MCU 17 SDA 12 TO MCU/NC 5 DIG_IO1 13 TO MCU/NC 3 DIG_IO2 TO MCU/NC 2 DIG_IO3 ISO_B1 TO ISO_B3 BAT_SNS VDDIO VLED 4 CONNECT CLOSE TO BATTERY + THR 18 R4 10kΩ TO MCU 14 16 SYS_EN 15 ILED C2 22µF R5 NTC 10kΩ (OPTIONAL) GRM31CR60J22ME19 AGND 10806-040 20 C1 – 10nF 16V/X7R 0402 CBP 图40. 参考电路图 ISO_Bx PGND C2 – 22µF 16V/X5R 1206 ISO_Sx PGND VINx C3 – 22µF 16V/X5R 1206 10806-100 C4 – 10µF 25V/X5R 0805 PGND 图41. 参考PCB物理规划 Rev. B | Page 38 of 44 ADP5062 功耗与散热考虑 充电器功耗 当ADP5062充电器在高环境温度以及最大充电和负载电流 条件下工作时，结温可能达到允许的最大工作限值(125)。 高，功耗必须利用公式3计算。当电池电压达到VISO_SFC时， 功耗可以利用公式4计算。 PISOFET = RDSON_ISO × ICHG (4) 当结温超过140时，ADP5062关闭，以便让器件冷却下来。 芯片温度降至110以下且寄存器0x0D的TSD 140故障位由I2C 写操作清0后，ADP5062恢复正常工作。 其中： RDSON_ISO是电池隔离FET的导通电阻(充电期间典型值为110 mΩ)。 ICHG为电池充电电流。 本部分提供关于器件功耗计算的指南，确保ADP5062在允 许的最大结温以下工作。 ADP5062的热控制环路会自动限制充电电流，使芯片温度 始终低于TLIM(典型值115)。 要确定各种工作条件下不同工作模式中的可用输出电流， 可使用以下公式： 计算ADP5062器件功耗的最直观且实用的方法是测量输入 端和所有输出端的功耗。在最差情况(电压、电流和温度) 下执行测量。输入功耗与输出功耗之差就是器件的功耗。 PD = PLDOFET + PISOFET (1) 结温 其中： PLDOFET为输入LDO FET的功耗。 PISOFET为电池隔离FET的功耗。 如果知道电路板温度TA，可以使用热阻参数θJA来估算结温 升高幅度。TJ由TA和PD通过以下公式计算得出： 可使用公式2和公式3计算LDO FET和电池隔离FET的功耗。 PLDOFET = (VIN – VISO_Sx) × (ICHG + ILOAD) (2) PISOFET = (VISO_Sx – VISO_Bx) × ICHG (3) 其中： VIN为VINx引脚的输入电压。 VISO_Sx为ISO_Sx引脚的系统电压。 VISO_Bx为ISO_Bx引脚的电池电压。 ICHG为电池充电电流。 ILOAD为来自ISO_Sx引脚的系统负载电流。 TJ = TA + (PD × θJA) (5) 20引脚LFCSP封装的θJA典型值为35.6°C/W(见表5)。一个非 常重要的考虑因素是θJA基于4层4 in 3 in、2.5 oz铜电路板(符 合JEDEC标准)，而实际应用使用的尺寸和层数可能不同。 必须尽可能多地使用铜，以利于器件散热。暴露于空气中 的铜的散热效果优于内层中使用的铜。 如果可以测量壳温，则结温可以通过下式计算： TJ = TC + (PD × θJC) (6) 其中，TC为壳温，θJC为表5所示的结至壳热阻。 LDO模式 系统调节电压可由用户在4.3 V至5.0 V范围内设置。在LDO 模式下(充电禁用，EN_CHG = 低电平)，假定所有电流均从 VINx引脚获得且电池不与ISO_Sx共享，则总功耗的计算简 化为下式。 PD = (VIN – VISO_Sx) × ILOAD 只有根据公式5估算出的ADP5062芯片结温低于125时，才 能保证充电器可靠工作。结温提高会严重影响可靠性和平 均故障间隔时间(MTBF)。有关产品可靠性的更多信息，请 参阅ADI公司可靠性手册：www.analog.com/reliability_ handbook 充电模式 在充电模式下，ISO_Sx引脚电压取决于电池电平。当电池 电压低于VISO_SFC(典型值3.8 V)时，电池隔离FET上的压降较 Rev. B | Page 39 of 44 ADP5062 工厂编程选项 充电器选项 表37至表49列出了ADP5062的工厂编程选项。以下每张表中，“选择”栏表示型号ADP5062ACPZ-1-R7和型号ADP5062ACPZ-2R7的默认设置。 表37. 默认终端电压 选项 000 = 4.20 V 010 = 3.70 V 011 = 3.80 V 100 = 3.90 V 101 = 4.00 V 110 = 4.10 V 111 = 4.40 V 表41. 默认系统电压 选择 000 = 4.20 V 表38. 默认快速充电电流 选项 000 = 500 mA 001 = 300 mA 010 = 550 mA 011 = 600 mA 100 = 750 mA 101 = 900 mA 110 = 1300 mA 111 = 1300 mA 选择 100 = 750 mA 选择 000 = 52.5 mA 111 = 5.0 V/ADP5062ACPZ-1-R7 表42. 热敏电阻阻值 选择 0 = 10 kΩ 表43. 热敏电阻β值 选项 0100 = 3150 0101 = 3350 0110 = 3500 0111 = 3650 1000 = 3850 1001 = 4000 1010 = 4200 1011 = 4400 选择 0100 = 3150 表44. DIS_IC1模式选择 表40. 默认涓流至快速充电阈值 选项 00 = 2.5 V 01 = 2.0 V 10 = 2.9 V 11 = 2.6 V 选择 000 = 4.3 V/ADP5062ACPZ-2-R7 选项 0 = 10 kΩ 1 = 100 kΩ 表39. 默认充电结束电流 选项 000 = 52.5 mA 001 = 72.5 mA 010 = 12.5 mA 011 = 32.5 mA 100 = 142.5 mA 101 = 167.5 mA 110 = 92.5 mA 111 = 117.5 mA 选项 000 = 4.3 V 001 = 4.4 V 010 = 4.5 V 011 = 4.6 V 100 = 4.7 V 101 = 4.8 V 110 = 4.9 V 111 = 5.0 V 选择 00 = 2.5 V 选项 0 = DIC_IC1模式选择，VINx电流 = 280 ， ISO_Bx可以悬空，不泄漏到ISO_Bx 1 = DIC_IC1模式选择，VINx电流 = 110 ， 电源开关从VINx泄漏到ISO_Bx 选择 0 表45. 涓流或快速充电定时器故障操作 选项 0 = 超时后LDO关闭，充电停止 选择 1 = 超时后LDO模式激活，充电停止 1 = LDO 模式 激活 Rev. B | Page 40 of 44 ADP5062 I2C寄存器故障 表46. I2C寄存器故障设置 位的名称 CHG_VLIM[1:0] I2C寄存器地址，位的位置 地址0x03，位[1:0] DIS_RCH 地址0x05，位7 EN_WD 地址0x06，位2 DIS_IC1 地址0x07，位6 EN_CHG 地址0x07，位0 EN_JEITA 地址0x08，位7 JEITA_SELECT 地址0x08，位6 EN_CHG_VLIM 地址0x08，位5 IDEAL_DIODE[1:0] 地址0x08，位[4:3] 选项 0 = 限值3.2 V 1 = 限值3.7 V 0 = 再充电使能 1 = 再充电禁用 0 = 看门狗禁用 1 = 看门狗使能 0 = 未激活 1 = 已激活 0 = 充电禁用 1 = 充电使能 0 = JEITA禁用 1 = JEITA使能 0 = JEITA1充电 1 = JEITA2充电 0 = 限值禁用 1 = 限值使能 00 = 当VISO_Sx < VISO_Bx时，理想二极管工作 01 = 当VISO_Sx < VISO_Bx且VBAT_SNS > VWEAK时， 理想二极管工作 10 = 理想二极管禁用 11 = 理想二极管禁用 选择 0 = 限值3.2 V 0 = 再充电使能 0 = 禁用 0 = 未激活 0 = 充电禁用 0 = JEITA禁用 0 = JEITA1充电 0 = 限值禁用 00 = VISO_Sx < VISO_Bx 数字输入和输出选项 表47. I2C地址0x11的位[1:0] SYS_EN输出默认值 选项 00 = 当LDO使能且系统电压可用时，SYS_EN激活。 01 = SYS_EN由ISO_Bx电压激活，电池充电模式。 10 = 当电池电压降至VWEAK以下时，SYS_EN激活且隔离FET禁用。1 11 = 在LDO模式下，充电器禁用时，SYS_EN激活。在充电模式下，当VISO_Bx ≥ VWEAK时，SYS_EN激活。 1 当VINx = 0 V且电池监控器通过寄存器0x07的位D5 (EN_BMON)激活时，此选项有效。 Rev. B | Page 41 of 44 选择(默认) 00 ADP5062 DIG_IO1、DIG_IO2和DIG_IO3选项 表48. DIG_IO1极性 选项 0 = DIG_IO1极性，高电平有效 1 = DIG_IO1极性，低电平有效 选择 0 = 高电平有效 表49. DIG_IOx选项 选项 0000 0010 0011 0100 0101 0110 0111 1000 1001 1010 1011 1100 1101 1110 1111 DIG_IO1功能 IVINx 限值 低电平 = 100 mA 高电平 = 500 mA IVINx 限值 低电平 = 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 低电平 = 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 低电平 = 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 低电平 = 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 低电平 = 100 mA 高电平= 500 mA Charging 低电平 = 充电禁用 高电平 = 充电使能 IVINx 限值 低电平 = 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 低电平 = 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 低电平 = 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 低电平 = 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 低电平 = 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 低电平 = 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 不适用 高电平 = IVINx限值1500 mA 禁用IC1 低电平 = 未激活 高电平 = 已激活 DIG_IO2功能 禁用IC1 低电平 = 未激活 高电平 = 已激活 IVINx 限值 不适用 高电平 = IVINx限值1500 mA IVINx 限值 不适用 高电平 = IVINx限值1500 mA IVINx 限值 不适用 高电平 = IVIN限值1500 mA IVINx 限值 不适用 高电平 = IVINx限值1500 mA 再充电 不适用 高电平 = 禁用再充电 禁用IC1 低电平 = 未激活 高电平 = 已激活 IVINx 限值 不适用 高电平 = IVINx限值1500 mA 充电 低电平 = 充电禁用 高电平 = 充电使能 禁用IC1 低电平 = 未激活 高电平 = 已激活 再充电 不适用 高电平 = 禁用再充电 快速充电电流 低电平 = ICHG 高电平 = ICHG[4:0] ÷ 2 LDO 低电平 = LDO激活 高电平 = LDO禁用 充电 低电平 = 充电禁用 高电平 = 充电使能 充电 低电平 = 充电禁用 高电平 = 充电使能 DIG_IO3功能 充电禁用/使能 低电平 = 充电禁用 高电平 = 充电使能 禁用IC1 低电平 = 未激活 高电平 = 已激活 快速充电电流 低电平 = ICHG[4:0] 高电平 = ICHG[4:0] ÷ 2 LDO 低电平 = LDO激活 高电平 = LDO禁用 充电 低电平 = 充电禁用 高电平 = 充电使能 充电 低电平 = 充电禁用 高电平 = 充电使能 再充电 不适用 高电平 = 禁用再充电 中断输出 不适用 不适用 中断输出 不适用 不适用 中断输出 不适用 不适用 中断输出 不适用 不适用 中断输出 不适用 不适用 中断输出 不适用 不适用 中断输出 不适用 不适用 中断输出 不适用 不适用 Rev. B | Page 42 of 44 选择 0000 ADP5062 封装和订购信息 外形尺寸 0.30 0.25 0.18 0.50 BSC PIN 1 INDICATOR 20 16 15 1 EXPOSED PAD 2.75 2.60 SQ 2.35 11 TOP VIEW 0.80 0.75 0.70 0.50 0.40 0.30 5 10 BOTTOM VIEW 0.05 MAX 0.02 NOM COPLANARITY 0.08 0.20 REF SEATING PLANE 6 0.25 MIN FOR PROPER CONNECTION OF THE EXPOSED PAD, REFER TO THE PIN CONFIGURATION AND FUNCTION DESCRIPTIONS SECTION OF THIS DATA SHEET. COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-220-WGGD. 020509-B PIN 1 INDICATOR 4.10 4.00 SQ 3.90 图42. 20引脚引脚架构芯片级封装[LFCSP_WQ] 4 mm 4 mm超薄四方体(CP-20-8) 图示尺寸单位：mm 订购指南 型号1, 2 ADP5062ACPZ-1-R7 ADP5062ACPZ-2-R7 ADP5062CP-EVALZ 1 2 结温范围 –40°C至+125°C –40°C至+125°C 封装描述 20引脚 LFCSP_WQ 20引脚 LFCSP_WQ ADP5062评估板 Z = 符合RoHS标准的器件。 关于其它工厂编程选项，请联系当地的ADI公司办事处或代理商。 Rev. B | Page 43 of 44 封装选项 CP-20-8 CP-20-8 ADP5062 注释 I2C指最初由Philips Semiconductors(现为NXP Semiconductors)开发的一种通信协议。 ©2012–2013 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. D10806sc-0-10/13(B) Rev. B | Page 44 of 44