物料型号:DMN62D0UT
器件简介:这是一个N沟道增强型MOSFET,设计用于降低导通电阻(RDS(ON))同时保持优越的开关性能,适合高效率的电源管理应用。
引脚分配:SOT523封装,引脚从G(栅极)、E(发射极)、S(源极)。
参数特性:
- 漏源电压(BVpss):60V
- 最大导通电阻(RDS(ON) max):在Vas=4.5V时为2Q,而在Vas=2.5V时为2.5mOhm
- 最大输入电容(Ciss):32pF
- 阈值电压(VGS(TH)):0.5V至1.0V
- 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):在VGs=4.5V, Id=0.1A时为1.2mOhm至2.0mOhm
功能详解:
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出漏电流
- 1kV ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑的"绿色"器件
应用信息:适用于电机控制和电源管理功能。
封装信息:SOT523封装,材料为模塑塑料,"绿色"成型化合物,UL阻燃等级94V-0。