BLV4N60

BLV4N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET • • • 抗雪崩冲击能力强 抗雪崩冲击能力强 高速开关 高速开关 驱动简单 驱动简单 BVDSS RDS(ON) ID 600V 2.2Ω 4A 产品介绍 产品介绍 BLV4N60 是上海贝岭采用目前先进的工艺和设计技术， 自行开发的 600V 、4A N 沟 VDMOS， 适合于各类高 效开关电源。 最大额定参数 最大额定参数 （TC=25oC 除非另有说明） 符号 符号 VDS VGS ID IDM PD EAS IAR EAR Tj TSDG 漏源电压 栅源电压 连续漏极电流 连续漏极电流 ( TC=100 oC) 脉冲漏极电流 (注 1) 功耗 高于 25℃线性降低参数 单脉冲雪崩击穿能量 (注 2) 雪崩击穿电流 重复雪崩击穿能量 工作温度范围 存储温度范围 参数 参数 极限值 极限值 600 + 20 4 2.53 16 104 0.83 218 4 10.4 -55 to +150 -55 to +150 单位 单位 V V A A A W W /℃ mJ A mJ o o C C 热特性 热特性 符号 符号 Rth j-c Rth j-a 热阻，结到外壳 热阻，结到环境 参数 参数 极限值 极限值 1.2 62.5 单位 单位 ℃/ W ℃/ W http://www.belling.com.cn -1Total 6 Pages 10/23/2006 BLV4N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 电特性 除非另有说明） 电特性（TC=25oC 除非另有说明） 符号 符号 BVDSS ∆BVDSS /∆TJ RDS(ON) VGS(th) gfs IDSS IGSS Qg Qgs Qgd t (on) tr t (off) tf Ciss Coss Crss 漏源击穿电压 源漏击穿电压温度系数 导通电阻 阈值电压 跨导 零栅压漏电流 零栅压漏电流 (Tc=125℃) 栅体漏电流 栅总电荷 栅源电荷 栅漏电荷 开启延迟时间 开启上升时间 关断延迟时间 关断下降时间 输入电容 输出电容 反向传输电容 参数 参数 测试条件 测试条件 VGS=0V, ID=250uA Reference to 25℃ ID=250uA VGS=10V, ID=2A VDS=VGS, ID=250uA VDS=15V, ID=2A(注 3) VDS=600V, VGS=0V VDS=480V, VGS=0V VGS= ± 20V VDD=480V ID=4A VGS=10V (注 3) VDD=300V ID=4A RG=25Ω (注 3) VDS=25V VGS=0V f = 1MHz 最小 最小 600 2 典型 典型 0.6 3 23.7 5.4 9.4 13 21 35 25 690 125 14 最大 最大 2.2 4 10 100 ±100 单位 单位 V V/℃ Ω V S uA uA nA nC nC nC ns ns ns ns pF pF pF 源漏二极管特性 源漏二极管特性 符号 符号 IS ISM VSD t rr Qrr 连续源极电流 脉冲源极电流 (注1) 正向导通压降 反向恢复时间 反向恢复电荷 VGS=0V, IS=4A VGS=0V, IS=4A (注3) dIF/dt = 100A/us 参数 参数 测试条件 测试条件 最小 最小 典型 典型 680 2 最大 最大 4 16 1.4 单位 单位 A A V ns uC 注： (1) Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature (2) L=25mH, Ias=4A，Vdd=50V，Rg=25Ω，staring Tj=25C (3) Pulse width ≤ 300 us; duty cycle ≤ 2% http://www.belling.com.cn -2Total 6 Pages 10/23/2006 BLV4N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Typical Characteristics Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics Fig 3. Normalized BVdss vs. Junction Temperature Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Junction Temperature http://www.belling.com.cn -3Total 6 Pages 10/23/2006 BLV4N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Typical Characteristics （continued） Fig 5. On-Resistance Variation vs. Drain Current and Gate Voltage Fig 6. Body Diode Forward Voltage Variation vs. Source Current and Temperature Fig 7. Gate Charge Characteristics Fig 8. Capacitance Characteristics http://www.belling.com.cn -4Total 6 Pages 10/23/2006 BLV4N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Typical Characteristics （continued） Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Transient Thermal Response Curve http://www.belling.com.cn -5Total 6 Pages 10/23/2006 BLV4N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Test Circuit and Waveform Fig 11. Gate Charge Circuit Fig 12. Gate Charge Waveform Fig 13. Switching Time Circuit Fig 14. Switching Time Waveform Fig 15. Unclamped Inductive Switching Test Circuit http://www.belling.com.cn Fig 16. Unclamped Inductive Switching Waveforms -6Total 6 Pages 10/23/2006