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TLV9061, TLV9062S, TLV9062, TLV9064, TLV9064S
ZHCSGC0E – MARCH 2017 – REVISED JULY 2018
适用于成本敏感型系统的 TLV906xS 10MHz、
、RRIO、
、CMOS 运算放大器
1 具有
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
1
•
•
3 说明
轨至轨输入和输出
低输入偏移电压：±0.3mV
单位增益带宽：10MHz
低宽带噪声：10nV/√Hz
低输入偏置电流：0.5pA
低静态电流：538µA
单位增益稳定
内部射频干扰 (RFI) 和电磁干扰 (EMI) 滤波器
可在电源电压低至 1.8V 的电压下运行
由于采用了电阻式开环输出阻抗，因此在更高的容
性负载下可更轻松地实现稳定
关断版本：TLV906xS
扩展温度范围：–40°C 至 +125°C
中 TLV9061 DPW (X2SON) 封装中的封装预览说明
器件信息(1)
器件型号
2 应用
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
TLV9061（单通道）、TLV9062（双通道）和
TLV9064（四通道）是单路、双路和四路低压（1.8V
至 5.5V）运算放大器，具有轨至轨输入和输出摆幅能
力。这些器件是具有高成本效益的解决方案，适用于需
要低工作 电压、 小型封装尺寸和高容性负载驱动能力
的应用。虽然 TLV906x 的容性负载驱动能力为
100pF，但电阻式开环输出阻抗便于在更高的容性负载
下更轻松地实现稳定。此类运算放大器专为低工作电压
（1.8V 至 5.5V）而设计，性能规格类似于 OPAx316
和 TLVx316 器件。
电动自行车
烟雾探测器
HVAC：采暖、通风和空调
电机控制：交流感应
冰箱
可穿戴设备
笔记本电脑
洗衣机
传感器信号调节
电源模块
条形码扫描器
有源滤波器
低侧电流检测
封装
封装尺寸（标称值）
SOT-23 (5)
1.60mm × 2.90mm
SC70 (5)
1.25mm × 2.00mm
SOT553 (5)
1.65mm × 1.20mm
X2SON (5)
0.80mm × 0.80mm
TLV9002S 中增加了
SOT-23 (6)
TLV9061S 器件
1.60mm × 2.90mm
TLV9061
SOIC (8)
3.91mm × 4.90mm
TSSOP (8)
3.00mm × 4.40mm
VSSOP (8)
3.00mm × 3.00mm
WSON (8)
2.00mm × 2.00mm
X2QFN (10)
1.50mm x 2.00mm
TLV9062S 中增加了 VSSOP (10)
TLV9062S 器件
X2QFN (10)
3.00mm × 3.00mm
TLV9062
1.50mm x 2.00mm
SOIC (14)
8.65mm × 3.91mm
TSSOP (14)
4.40mm × 5.00mm
WQFN (16)
3.00mm × 3.00mm
WQFN (14)
2.00mm × 2.00mm
TLV9064S 中增加了
WQFN (16)
TLV9064S 器件
3.00mm × 3.00mm
TLV9064
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品
附录。
单极低通滤波器
RG
小信号过冲与负载电容间的关系
RF
60
50
R1
VIN
C1
f-3 dB =
(
RF
VOUT
= 1+
RG
VIN
((
1
1 + sR1C1
(
1
2pR1C1
Overshoot (%)
VOUT
40
30
20
10
Overshoot+
Overshoot-
0
0
50
100
150
200
Capacitive Load (pF)
250
300
C025
1
本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确
性和有效性。 在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。
English Data Sheet: SBOS839
TLV9061, TLV9062S, TLV9062, TLV9064, TLV9064S
ZHCSGC0E – MARCH 2017 – REVISED JULY 2018
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目录
1
2
3
4
5
6
7
8
具有 .......................................................................... 1
应用 .......................................................................... 1
说明 .......................................................................... 1
修订历史记录 ........................................................... 2
说明 （续） .............................................................. 4
器件比较表 ............................................................... 5
引脚配置和功能 ........................................................ 6
规格 ........................................................................ 12
绝对最大额定值 ....................................................... 12
ESD 额定值 ............................................................ 12
建议的工作条件 ....................................................... 12
热性能信息：TLV9061 ............................................ 13
热性能信息：TLV9062 ............................................ 13
热性能信息：TLV9062S.......................................... 13
热性能信息：TLV9064 ............................................ 13
电气特性：VS（总电源电压）= (V+) – (V–) = 1.8V 至
5.5V.......................................................................... 14
8.9 典型特性.................................................................. 16
8.1
8.2
8.3
8.4
8.5
8.6
8.7
8.8
9
详细 说明................................................................ 22
9.1 概要 ......................................................................... 22
9.2 功能框图.................................................................. 22
9.3 特性 描述................................................................. 23
9.4 器件功能模式........................................................... 23
10 应用和实现 ............................................................ 24
10.1 应用信息................................................................ 24
10.2 典型 应用............................................................... 24
11 电源建议 ................................................................ 28
11.1 输入和 ESD 保护................................................... 28
12 布局 ....................................................................... 29
12.1 布局指南................................................................ 29
12.2 布局示例................................................................ 30
13 器件和文档支持 ..................................................... 31
13.1
13.2
13.3
13.4
13.5
13.6
13.7
文档支持................................................................
相关链接................................................................
接收文档更新通知 .................................................
社区资源................................................................
商标 .......................................................................
静电放电警告.........................................................
术语表 ...................................................................
31
31
31
31
31
31
31
14 机械、封装和可订购信息 ....................................... 32
4 修订历史记录
注：之前版本的页码可能与当前版本有所不同。
Changes from Revision D (June 2018) to Revision E
Page
•
已添加 在器件信息表 .............................................................................................................................................................. 1
•
已添加 在器件信息 表 ............................................................................................................................................................. 1
•
Added 在器件比较 表.............................................................................................................................................................. 5
•
Added 在引脚配置和功能 部分中增加了 TLV9061S DBV (SOT-23) 引脚图 .......................................................................... 7
•
Added 在引脚功能：TLV9061S 表中 ..................................................................................................................................... 7
•
Added 在引脚配置和功能 部分中增加了 TLV9064 RTE (WQFN) 引脚图............................................................................. 10
•
Added 在引脚功能：TLV9064 表 ......................................................................................................................................... 10
•
Added 在引脚功能：TLV9064 表 ......................................................................................................................................... 11
•
Added 在引脚配置和功能 部分中增加了 TLV9064S RTE (WQFN) 引脚图 .......................................................................... 11
Changes from Revision C (March 2018) to Revision D
Page
•
已添加 对文档标题中的“TLV906x”添加了关断后缀................................................................................................................. 1
•
已添加 在特性 列表中增加了“关断版本”项目符号 ................................................................................................................... 1
•
已添加 在器件信息 表 ............................................................................................................................................................. 1
•
已添加 在说明 （续）部分增加了关断文字 ............................................................................................................................. 4
•
Added 在绝对最大额定值 表 ................................................................................................................................................. 12
•
Added 在建议运行条件 表 .................................................................................................................................................... 12
•
Added 在建议运行条件 表 .................................................................................................................................................... 12
•
Added 在建议运行条件 表的“额定温度”参数中增加了........................................................................................................... 12
•
Added 热性能信息：TLV9062S 热性能表数据 ..................................................................................................................... 13
•
已添加 关断功能 部分 ........................................................................................................................................................... 23
•
已添加 比较器典型应用 部分................................................................................................................................................. 26
2
版权 © 2017–2018, Texas Instruments Incorporated
TLV9061, TLV9062S, TLV9062, TLV9064, TLV9064S
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Changes from Revision B (October 2017) to Revision C
ZHCSGC0E – MARCH 2017 – REVISED JULY 2018
Page
•
已更改 将器件状态从“生产数据/混合状态”改为“生产数据” ...................................................................................................... 1
•
已删除 删除了器件信息 表 ...................................................................................................................................................... 1
•
Deleted 删除了 TLV9061 DPW (X2SON) 封装引脚图中的封装预览说明 .............................................................................. 6
•
Changed 更改了 ESD 额定值 表的格式以显示所有封装所对应的不同结果.......................................................................... 12
•
Deleted 删除了热性能信息：TLV9061 表............................................................................................................................. 13
Changes from Revision A (June 2017) to Revision B
Page
•
Added 在引脚配置和功能 部分中添加 8 引脚 PW 封装 .......................................................................................................... 8
•
Added 在热性能信息 表中添加了 DSG (WSON) 封装 .......................................................................................................... 13
•
Added 在 TLV9062 热性能信息 表中添加了 PW (TSSOP) .................................................................................................. 13
•
Changed 将最大输入失调电压值从 ±1.6mV 更改为 2mV..................................................................................................... 14
•
Changed 将最大输入失调电压值从 ±1.5V 更改为 ±1.6mV................................................................................................... 14
•
Changed 将最小共模抑制比输入电压范围从 86dB 更改为 80dB ......................................................................................... 14
•
Changed 将典型输入电流噪声密度值从 10 更改为 23fA/√Hz............................................................................................... 14
•
Changed 将 THD + N 测试条件从 VS = 5V 更改为 VS = 5.5V.............................................................................................. 14
•
Added 在 THD + N 参数中添加 VCM = 2.5V 测试条件（位于电气特性 表中） ..................................................................... 14
•
Added 将最大输出电压摆幅值从 25mV 更改为 60mV .......................................................................................................... 14
•
Changed 将最大输出电压摆幅值从 15mV 更改为 20mV...................................................................................................... 14
Changes from Original (March 2017) to Revision A
•
Page
已更改 将器件状态从“预告信息”改为“生产数据”...................................................................................................................... 1
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3
TLV9061, TLV9062S, TLV9062, TLV9064, TLV9064S
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5 说明 （续）
TLV900x 器件具有关断模式，允许放大器切换至典型电流消耗低于 1µA 的待机模式。
TLV906xS 系列有助于简化系统设计，因为该系列具有稳定的单位增益，集成了 RFI 和 EMI 抑制滤波器，而且在
过驱条件下不会出现反相。
针对所有通道类型（单通道、双通道和四通道）提供微型封装（如 SOT-553 和 WSON、）以及行业标准封装（如
SOIC、MSOP、SOT-23 和 TSSOP）。
4
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6 器件比较表
中增加了 RUC 和 RUG 封装
封装引线
通道
数
DBV
DCK
DRL
DPW
D
DSG
DGK
DGS
PW
RTE
RUC
TLV9061
1
5、6
5
5
5
8
—
—
—
—
—
—
—
TLV9062
2
—
—
—
—
8
8
8
10
8
—
—
10
TLV9064
4
—
—
—
—
14
—
—
—
14
16
14
—
器件
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RUG
5
TLV9061, TLV9062S, TLV9062, TLV9064, TLV9064S
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7 引脚配置和功能
TLV9061 DBV 和 DRL 封装
5 引脚 SOT-23 和 SOT-553
俯视图
OUT
1
V-
2
+IN
3
5
4
TLV9061 DCK 封装
5 引脚 SC70
俯视图
V+
+IN
1
V-
2
-IN
3
-IN
5
V+
4
OUT
TLV9061 DPW 封装
5 引脚 X2SON
俯视图
OUT
1
5
V+
4
+IN
3
±IN
V±
2
Not to scale
引脚功能：TLV9061
引脚
说明
I/O
名称
SOT-23、
、SOT553
SC70
X2SON
–IN
4
3
2
I
反相输入
+IN
3
1
4
I
同相输入
OUT
1
4
1
O
输出
SHDN
—
—
—
I
关断（低电平有效）
V–
2
2
3
—
负（最低）电源或接地（对于单电源供电）
V+
5
5
5
—
正（最高）电源
6
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TLV9061S DBV 封装
6 引脚 SOT-23
俯视图
OUT
1
6
V+
V±
2
5
SHDN
+IN
3
4
±IN
Not to scale
引脚功能：TLV9061S
引脚
说明增加了 TLV9061S DBV (SOT-23) 封装引脚信息
I/O
名称
编号
–IN
4
I
反相输入
+IN
3
I
同相输入
OUT
1
O
输出
SHDN
5
I
关断（低电平有效）
V–
2
—
负（最低）电源或接地（对于单电源供电）
V+
6
—
正（最高）电源
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TLV9062 D、
、DGK、
、PW 封装
8 引脚 SOIC、
、VSSOP、
、TSSOP
俯视图
TLV9062 DSG 封装
带有外露散热焊盘的 8 引脚 WSON 封装
俯视图
OUT A
1
8
V+
-IN A
2
7
OUT B
+IN A
3
6
V-
4
5
OUT A
1
-IN B
-IN A
2
+IN B
+IN A
3
V-
4
Exposed
Thermal
Die Pad
on
Underside(1)
8
V+
7
OUT B
6
-IN B
5
+IN B
引脚功能：TLV9062
引脚
说明
I/O
名称
编号
–IN A
2
I
反相输入，通道 A
+IN A
3
I
同相输入，通道 A
–IN B
6
I
反相输入，通道 B
+IN B
5
I
同相输入，通道 B
OUT A
1
O
输出，通道 A
OUT B
7
O
输出，通道 B
NC
—
—
无内部连接
SHDN A
—
I
关断（逻辑低电平），启用（逻辑高电平），通道 A
SHDN B
—
I
关断（逻辑低电平），启用（逻辑高电平），通道 B
V–
4
—
负（最低）电源或接地（对于单电源供电）
V+
8
—
正（最高）电源
TLV9062S DGS 封装
10 引脚 VSSOP
俯视图
OUT A
1
–IN A
2
10 V+
9
OUT B
8
–IN B
A
+IN A
3
B
V–
4
7
+IN B
SHDN A
5
6
SHDN B
引脚功能：TLV9062S
引脚
说明
I/O
名称
编号
–IN A
2
I
反相输入，通道 A
+IN A
3
I
同相输入，通道 A
–IN B
8
I
反相输入，通道 B
+IN B
7
I
同相输入，通道 B
OUT A
1
O
输出，通道 A
OUT B
9
O
输出，通道 B
NC
—
—
无内部连接
SHDN A
5
I
关断（逻辑低电平），启用（逻辑高电平），通道 A
SHDN B
6
I
关断（逻辑低电平），启用（逻辑高电平），通道 B
V–
4
—
8
负（最低）电源或接地（对于单电源供电）
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引脚功能：TLV9062S (continued)
引脚
名称
V+
编号
10
说明
I/O
—
正（最高）电源
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TLV9064 D、
、PW 封装
14 引脚 SOIC、
、TSSOP
俯视图
14
OUT D
13
-IN D
3
12
+IN D
V+
4
11
V-
+IN B
5
10
+IN C
-IN B
6
9
-IN C
OUT B
7
8
OUT C
OUT A
1
-IN A
2
+IN A
A
D
B
C
±IN A
OUT A
OUT D
±IN D
15
14
13
8
4
OUT C
±IN B
Pad
7
3
NC
+IN B
Thermal
6
2
NC
V+
5
1
OUT B
+IN A
16
TLV9064 RTE 封装
带有外露散热焊盘的 16 引脚 WQFN 封装
俯视图
12
+IN D
11
V±
10
+IN C
9
±IN C
Not to scale
引脚功能：TLV9064
引脚
I/O
说明中增加了 RUC 封装引脚信息中增加了 TLV9064 RTE 引脚信息
名称
SOIC、
、
TSSOP
WQFN
–IN A
2
16
I
反相输入，通道 A
+IN A
3
1
I
同相输入，通道 A
–IN B
6
4
I
反相输入，通道 B
+IN B
5
3
I
同相输入，通道 B
–IN C
9
9
I
反相输入，通道 C
+IN C
10
10
I
同相输入，通道 C
–IN D
13
13
I
反相输入，通道 D
+IN D
12
12
I
同相输入，通道 D
NC
—
6、7
—
无内部连接
OUT A
1
15
O
输出，通道 A
OUT B
7
5
O
输出，通道 B
OUT C
8
8
O
输出，通道 C
OUT D
14
14
O
输出，通道 D
10
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TLV9061, TLV9062S, TLV9062, TLV9064, TLV9064S
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ZHCSGC0E – MARCH 2017 – REVISED JULY 2018
引脚功能：TLV9064 (continued)
引脚
说明中增加了 RUC 封装引脚信息中增加了 TLV9064 RTE 引脚信息
I/O
SOIC、
、
TSSOP
WQFN
SHDN A/B
—
—
I
关断（逻辑低电平），启用（逻辑高电平），通道 A/B
SHDN C/D
—
—
I
关断（逻辑低电平），启用（逻辑高电平），通道 C/D
V–
11
11
—
负（最低）电源或接地（对于单电源供电）
V+
4
2
—
正（最高）电源
名称
±IN A
OUT A
OUT D
±IN D
15
14
13
8
4
OUT C
±IN B
Pad
7
3
SHDN C/D
+IN B
Thermal
6
2
SHDN A/B
V+
5
1
OUT B
+IN A
16
TLV9064S RTE 封装
带有外露散热焊盘的 16 引脚 WQFN 封装
俯视图
12
+IN D
11
V±
10
+IN C
9
±IN C
Not to scale
引脚功能：TLV9064S
引脚
说明
I/O
名称
编号
–IN A
16
I
反相输入，通道 A
+IN A
1
I
同相输入，通道 A
–IN B
4
I
反相输入，通道 B
+IN B
3
I
同相输入，通道 B
–IN C
9
I
反相输入，通道 C
+IN C
10
I
同相输入，通道 C
–IN D
13
I
反相输入，通道 D
+IN D
12
I
同相输入，通道 D
OUT A
15
O
输出，通道 A
OUT B
5
O
输出，通道 B
OUT C
8
O
输出，通道 C
OUT D
14
O
输出，通道 D
SHDN A/B
6
I
关断（逻辑低电平），启用（逻辑高电平），通道 A/B
SHDN C/D
7
I
关断（逻辑低电平），启用（逻辑高电平），通道 C/D
V–
11
—
负（最低）电源或接地（对于单电源供电）
V+
2
—
正（最高）电源
Copyright © 2017–2018, Texas Instruments Incorporated
11
TLV9061, TLV9062S, TLV9062, TLV9064, TLV9064S
ZHCSGC0E – MARCH 2017 – REVISED JULY 2018
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8 规格
8.1 绝对最大额定值
在自然通风温度下测得（除非另有说明） (1)
最小值
电源电压
输出短路
共模
电压 (2)
信号输入引脚
V
(V+) – (V–) + 0.2
电流 (2)
-10
额定温度，TA
–40
10
V
mA
连续
mA
125
结温，TJ
150
贮存温度，Tstg
(2)
(3)
单位
6
(V+) + 0.5
差模
(3)
温度
(1)
(V–) – 0.5
最大值
–65
°C
150
应力超出“绝对最大额定值”下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些列出的值仅仅是极端条件下的应力额定值，并不表示器件在这些条
件下以及在“建议运行条件”以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
输入引脚被二极管钳制至电源轨。对于摆幅能超过电源轨 0.5V 的输入信号，应将其电流限制在 10mA 或者更低。
接地短路，每个封装对应一个放大器。
8.2 ESD 额定值
值
单位
TLV9061 DPW (X2SON) 封装
V(ESD)
静电放电
人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (1)
±2500
充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101 (2)
±1500
人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (1)
±4000
充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101 (2)
±1500
V
所有其他封装
V(ESD)
(1)
(2)
静电放电
V
JEDEC 文档 JEP155 指出：500V HBM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
JEDEC 文档 JEP157 指出：250V CDM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
中增加了 (VS = [V+] – [V–]) 电源电压参数中增加了“输入电压范围”和“输出电压范围”参数和值中增加了关断引脚建议运行条件“TA”符号
8.3 建议的工作条件
在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）
最小值
最大值
单位
1.8
5.5
V
(V–) – 0.1
(V+)+0.1
V
输出电压范围
V–
V+
V
关断引脚上的高电平输入电压（放大器为启用状态）
1.1
V+
V
VSHDN_IL
关断引脚上的低电平输入电压（放大器为禁用状态）
V-
0.2
V
TA
额定温度范围
–40
125
°C
VS
电源电压 (VS = [V+] – [V–])
VI
输入电压范围
VO
VSHDN_IH
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中 DPW (X2SON) 封装中的封装预览说明
8.4 热性能信息：TLV9061
TLV9061
热指标 (1)
DBV (SOT-23)
DCK (SC70)
DPW (X2SON)
5/6 引脚
5 引脚
5 引脚
单位
RθJA
结至环境热阻
221.7
263.3
467
°C/W
RθJC(top)
结至外壳（顶部）热阻
144.7
75.5
211.6
°C/W
RθJB
结至电路板热阻
49.7
51
332.2
°C/W
ψJT
结至顶部特征参数
26.1
1
29.3
°C/W
ψJB
结至电路板特征参数
49
50.3
330.6
°C/W
RθJC(bot)
结至外壳（底部）热阻
不适用
不适用
125
°C/W
(1)
有关传统和新热指标的更多信息，请参阅应用报告《半导体和 IC 封装热指标》。
8.5 热性能信息：TLV9062
TLV9062
热指标
(1)
单位
D (SOIC)
DGK (VSSOP)
DSG (WSON)
PW (TSSOP)
8 引脚
8 引脚
8 引脚
8 引脚
结至环境热阻
157.6
201.2
94.4
205.8
°C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻
RθJA
104.6
85.7
116.5
106.7
°C/W
RθJB
结至电路板热阻
99.7
122.9
61.3
133.9
°C/W
ψJT
结至顶部特征参数
55.6
21.2
13
34.4
°C/W
ψJB
结至电路板特征参数
99.2
121.4
61.7
132.6
°C/W
不适用
不适用
34.4
不适用
°C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻
(1)
有关传统和新热指标的更多信息，请参阅应用报告《半导体和 IC 封装热指标》。
8.6 热性能信息：TLV9062S
TLV9062S
热指标 (1)
单位
DGS (VSSOP)
10 引脚
RθJA
结至环境热阻
170.4
°C/W
RθJC(top)
结至外壳（顶部）热阻
84.9
°C/W
RθJB
结至电路板热阻
113.5
°C/W
ψJT
结至顶部特征参数
16.4
°C/W
ψJB
结至电路板特征参数
112.3
°C/W
RθJC(bot)
结至外壳（底部）热阻
不适用
°C/W
(1)
有关传统和新热指标的更多信息，请参阅应用报告《半导体和 IC 封装热指标》。
8.7 热性能信息：TLV9064
TLV9064
热指标 (1)
单位
PW (TSSOP)
D (SOIC)
14 引脚
14 引脚
135.8
106.9
°C/W
RθJA
结至环境热阻
RθJC(top)
结至外壳（顶部）热阻
64
64
°C/W
RθJB
结至电路板热阻
79
63
°C/W
ψJT
结至顶部特征参数
15.7
25.9
°C/W
ψJB
结至电路板特征参数
78.4
62.7
°C/W
(1)
有关传统和新热指标的更多信息，请参阅应用报告《半导体和 IC 封装热指标》。
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8.8 电气特性：VS（总电源电压）= (V+) – (V–) = 1.8V 至 5.5V
TA = 25°C，RL = 10kΩ（连接至 VS / 2），VCM = VS / 2，且 VOUT = VS / 2（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
±0.3
±1.6
单位
失调电压
VS = 5V
VOS
输入失调电压
dVOS/d
T
漂移
VS = 5V，TA = –40°C 至 +125°C
PSRR
电源抑制比
VS = 1.8V – 5.5V，VCM = (V–)
通道分离，直流
直流时
VS = 5V，TA = –40°C 至 +125°C
±2
±0.53
±7
mV
µV/°C
±80
100
µV/V
dB
输入电压范围
共模电压范围
VCM
CMRR
VS = 1.8V 至 5.5V
共模抑制比
(V–) – 0.1
(V+)+0.1
VS = 5.5V，(V–) – 0.1 V < VCM < (V+) – 1.4V
TA = –40°C 至 +125°C
80
103
VS = 5.5V，VCM = –0.1V 至 5.6V
TA = –40°C 至 +125°C
57
87
V
dB
VS = 1.8V，(V–) – 0.1 V < VCM < (V+) – 1.4V，
TA = –40°C 至 +125°C
88
VS = 1.8V，VCM = –0.1V 至 1.9V
TA = –40°C 至 +125°C
81
输入偏置电流
IB
输入偏置电流
±0.5
pA
IOS
输入失调电流
±0.05
pA
噪声
输入电压噪声（峰峰值）
En
en
输入电压噪声密度
in
输入电流噪声密度
VS = 5V，f = 0.1Hz 至 10Hz
4.77
µVPP
VS = 5V，f = 10kHz
10
nV/√Hz
VS = 5V，f = 1kHz
16
nV/√Hz
f = 1kHz
23
fA/√Hz
输入电容
CID
差分
2
pF
CIC
共模
4
pF
开环增益
VS = 1.8V，(V–) + 0.04V < VO < (V+) – 0.04V，
RL = 10kΩ
VS = 5.5V，(V–) + 0.05V < VO < (V+) – 0.05V，
RL = 10kΩ
开环电压增益
AOL
100
104
130
dB
VS = 1.8V，(V–) + 0.06V < VO < (V+) – 0.06V，
RL = 2kΩ
100
VS = 5.5V，(V–) + 0.15V < VO < (V+) – 0.15V，
RL = 2kΩ
130
频率响应
GBP
增益带宽积
VS = 5V，G = +1
φm
相位裕度
VS = 5V，G = +1
55
°
SR
压摆率
VS = 5V，G = +1
6.5
V/µs
建立时间
精度达到 0.1%，VS = 5V，2V 阶跃，G = +1，CL =
100pF
0.5
tS
精度达到 0.01%，VS = 5V，2V 阶跃，
G = +1，CL = 100pF
过载恢复时间
tOR
THD +
N
总谐波失真 + 噪声
VS = 5V，VIN × 增益 > VS
(1)
VS = 5.5V，VCM = 2.5V，VO = 1VRMS，G = +1，f =
1kHz
10
MHz
µs
1
0.2
µs
0.0008%
输出
VS = 5.5V，RL = 10kΩ
20
VS=5.5V，RL=2kΩ
60
VO
相对于电源轨的电压输出摆幅
ISC
短路电流
VS = 5V
±50
mA
ZO
开环输出阻抗
VS = 5V，f = 10MHz
100
Ω
(1)
14
mV
三阶滤波器；–3dB 时的带宽 = 80kHz。
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电气特性：VS（总电源电压）= (V+) – (V–) = 1.8V 至 5.5V (continued)
TA = 25°C，RL = 10kΩ（连接至 VS / 2），VCM = VS / 2，且 VOUT = VS / 2（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
538
750
单位
电源
每个放大器的静态电流
IQ
VS = 5.5V，IO = 0mA
VS = 5.5V，IO = 0mA，TA = –40°C 至 +125°C
800
µA
关断
IQSD
静态电流（每个放大器）
VS = 1.8V 至 5.5V，所有放大器为禁用状态，SHDN =
VS–
ZSHDN
关断时的输出阻抗
VS = 1.8V 至 5.5V，放大器为禁用状态
VSHDN_
高电平电压关断阈值（放大器为启用
状态）
VS = 1.8V 至 5.5V
低电平电压关断阈值（放大器为禁用
状态）
VS = 1.8V 至 5.5V
放大器启用时间（完全关断） (2) (3)
THR_HI
VSDHN_
THR_LO
(2)
(3)
1.5
10 || 8
(V–) + 0.9V
(V–) +
0.2V
µA
GΩ || pF
(V–) +
1.1V
V
(V–) + 0.7V
V
VS = 1.8V 至 5.5V，完全关断；G = 1，VOUT = 0.9 ×
VS/2，RL 连接到 V–
10
µs
放大器启用时间（部分关断） (2) (3)
VS = 1.8V 至 5.5V，部分关断；G = 1，VOUT = 0.9 ×
VS/2，RL 连接到 V–
6
µs
放大器禁用时间 (2)
VS = 1.8V 至 5.5V，G = 1，VOUT = 0.1 × VS/2，RL 连
接到 V–
0.5
µs
SHDN 引脚输入偏置电流（每个引
脚）
VS = 1.8V 至 5.5V，V+ ≥ SHDN ≥ (V+) - 0.8V
130
tON
tOFF
0.5
VS = 1.8V 至 5.5V，V- ≤ SHDN ≤ V- + 0.8V
40
pA
禁用时间 (tOFF) 和启用时间 (tON) 是指施加给 SHDN 引脚的信号为 50% 时到输出电压达到 10%（禁用）或 90%（启用）电平时之间的时
间间隔。
完全关断是指双通道 TLV9062S 将 A、B 两个通道都禁用 (SHDN_A = SHDN_B = V–) 以及四通道 TLV9064S 将 A、B、C、D 四个通道
都禁用 (SHDN_A/B = SHDN_C/D = V––)。部分关断是指仅使用一个 SHDN 引脚；在这种模式下，内部偏置电路仍然保持正常工作，并且
启用时间更短。
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8.9 典型特性
TA = 25°C，VS = 5.5V，RL = 10kΩ（连接至 VS / 2），VCM = VS / 2，且 VOUT = VS / 2（除非另有说明）
35
50
30
40
Population (%)
Population (%)
25
20
15
30
20
10
10
Offset Voltage (µV)
2.8
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0
0
1500
1250
1000
750
500
0
250
-250
-500
-750
-1000
-1250
-1500
0
0.4
5
Offset Voltage Drift (µV/C)
C001
C002
TA = –40°C 至 +125°C
图 2. 失调电压漂移分布
2500
400
2000
300
1500
Offset Voltage (µV)
Offset Voltage (µV)
图 1. 失调电压产生分布
500
200
100
0
±100
±200
1000
500
0
±500
±1000
±300
±1500
±400
±2000
±500
±2500
±50
±25
0
25
50
75
100
125
150
Temperature (ƒC)
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
Input Common Mode Voltage (V)
C003
C005
V+ = 2.75V，V– = –2.75V
图 3. 失调电压与温度间的关系
图 4. 失调电压与共模电压间的关系
1000
120
180
500
0
±500
±1000
Phase
135
80
60
90
40
20
45
0
0
±20
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
Supply Voltage (V)
VS = 1.8V 至 5.5V
图 5. 失调电压与电源间的关系
16
100
5.0
5.5
C004
Phase Margin (deg)
Open Loop Voltage Gain (dB)
Offset Voltage (µV)
Gain
100
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
C006
CL = 10pF
图 6. 开环增益和相位与频率间的关系
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典型特性 (接
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TA = 25°C，VS = 5.5V，RL = 10kΩ（连接至 VS / 2），VCM = VS / 2，且 VOUT = VS / 2（除非另有说明）
40
VS = 5.5 V
Closed Lopp Voltage Gain (dB)
Open Loop Voltage Gain (µV/V)
20
VS = 1.8 V
16
12
8
4
30
20
10
0
±10
G=+1
±20
G=-1
±30
G=+10
0
±50
0
±25
25
50
75
100
±40
1000
125
Temperature (ƒC)
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
C022
C007
RL = 2kΩ
图 8. 闭环增益与频率间的关系
3
IBN
200
2
IBP
IOS
Output Voltage (V)
Input Bias Current and offset current (pA)
图 7. 开环增益与温度间的关系
250
150
100
50
125ƒC
1
85ƒC
-40ƒC
25ƒC
0
25ƒC
85ƒC
±1
-40ƒC
125ƒC
±2
0
±3
±50
±50
±25
0
25
50
75
100
10
125
Temperature (ƒC)
20
30
40
50
60
Output Current (mA)
C008
C009
V+ = 2.75V，V– = –2.75V
图 9. 输入偏置电流与温度间的关系
图 10. 输出电压摆幅与输出电流间的关系
120
55
CMRR
PSRR-
50
PSRR+
80
CMRR (µV/V)
PSRR and CMRR (dB)
100
60
40
20
0
1000
45
40
35
10k
100k
1M
Frequency (Hz)
10M
C011
30
±50
±25
0
25
50
75
Temperature (ƒC)
图 11. CMRR 和 PSRR 与频率间的关系
（以输入为基准）
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100
125
C012
VS = 5.5V，VCM = –0.1V 至 5.6V
TA= –40°C 至 +125°C，RL= 10kΩ
图 12. CMRR 与温度间的关系
17
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典型特性 (接
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TA = 25°C，VS = 5.5V，RL = 10kΩ（连接至 VS / 2），VCM = VS / 2，且 VOUT = VS / 2（除非另有说明）
10
10
9
9
7
PSRR (µV/V)
CMRR (µV/V)
8
6
5
4
3
8
7
6
2
5
1
±50
±25
0
25
50
75
100
125
Temperature (ƒC)
150
±50
±25
0
25
50
75
100
125
Temperature (ƒC)
C016
VS = 5.5V，VCM = (V–) – 0.1V 至 (V+) – 1.4V
TA= –40°C 至 +125°C，RL= 10kΩ
C013
VS = 1.8V 至 5.5V
图 13. CMRR 与温度间的关系
图 14. PSRR 与温度间的关系
Time (1s/div)
C014
,QSXW 9ROWDJH 1RLVH 6SHFWUDO 'HQVLW\ Q9 ¥+]
Voltage (1µV/div)
120
100
80
60
40
20
0
10
100
1k
10k
100k
Frequency (Hz)
C015
VS = 1.8V 至 5.5V
图 15. 0.1Hz 至 10Hz 输入电压噪声
图 16. 输入电压噪声频谱密度与频率间的关系
±90
±40
±95
THD + N (dB)
THD + N (dB)
±60
±100
±105
±110
±80
±100
±115
±120
100
1k
Frequency (Hz)
±120
0.001
10k
C017
VS = 5.5V，VCM = 2.5V，RL = 2kΩ，G = +1，BW = 80kHz
VOUT = 0.5VRMS
图 17. THD + N 与频率间的关系
18
0.01
0.1
Output Voltage Amplitude (VRMS)
1
C018
VS = 5.5V，VCM = 2.5V，RL = 2kΩ，G = +1
BW = 80kHz，f = 1kHz
图 18. THD + N 与幅度间的关系
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典型特性 (接
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TA = 25°C，VS = 5.5V，RL = 10kΩ（连接至 VS / 2），VCM = VS / 2，且 VOUT = VS / 2（除非另有说明）
600
Quiescent current (µA)
±40
THD + N (dB)
±60
±80
±100
580
560
540
520
500
±120
0.001
0.01
0.1
1
1.5
Output Voltage Amplitude (VRMS)
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
Supply Voltage (V)
C019
C020
VS = 5.5V，VCM = 2.5V，RL = 2kΩ，G = –1
BW = 80kHz，f = 1kHz
图 19. THD + N 与幅度间的关系
图 20. 静态电流与电源电压间的关系
800
Open Loop Output Impedance (Ÿ)
200
Quiescent Current (µA)
700
600
500
400
300
200
100
160
120
0
80
40
0
±50
±25
0
25
50
75
100
125
Temperature (ƒC)
10k
10M
C024
图 22. 开环输出阻抗与频率间的关系
60
60
50
50
40
40
Overshoot (%)
Overshoot (%)
1M
Frequency (Hz)
图 21. 静态电流与温度间的关系
30
20
10
100k
C021
30
20
10
Overshoot+
Overshoot(+)
Overshoot-
Overshoot(-)
0
0
0
50
100
150
200
250
Capacitive Load (pF)
V+ = 2.75V，V– = –2.75V，G = +1V/V，RL = 10kΩ
VOUT 阶跃 = 100mVp-p
图 23. 小信号过冲与负载电容间的关系
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300
C025
0
50
100
150
200
250
Capacitive Load (pF)
300
C026
V+ = 2.75V，V– = –2.75V，G = -1V/V，RL = 10kΩ
VOUT 阶跃 = 100mVp-p
图 24. 小信号过冲与负载电容间的关系
19
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典型特性 (接
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Voltage (1V/div)
Voltage (2 V/V)
TA = 25°C，VS = 5.5V，RL = 10kΩ（连接至 VS / 2），VCM = VS / 2，且 VOUT = VS / 2（除非另有说明）
INPUT
Input
OUTPUT
Output
Time (1 µs/div)
Time (200 µs/div)
C028
C036
V+ = 2.75V，V– = –2.75V，G = –10V/V
V+ = 2.75V，V– = –2.75V
图 26. 过载恢复
图 25. 无相位反转
Input
Voltage (1 V/div)
Voltage (20 mV/div)
Output
Input
Output
Time (1 µs/div)
Time (0.1µs/div)
C031
C030
V+ = 2.75V，V– = –2.75V，CL = 100pF，G = 1V/V
V+ = 2.75V，V– = –2.75V，G = 1V/V
图 28. 大信号阶跃响应
图 27. 小信号阶跃响应
6
60
Maximum Output Voltage (V)
Short Circuit Current Limit (mA)
80
40
20
Sinking
0
Sourcing
±20
±40
±60
5
4
3
2
1
VS = 5.5 V
VS = 1.8 V
0
±80
±50
±25
0
25
50
75
Temperature (ƒC)
100
125
C034
1
10
100
1k
10k
100k
1M
Frequency (Hz)
10M
C035
RL = 10kΩ，CL = 10pF
图 29. 短路电流与温度间的关系
20
图 30. 最大输出电压与频率和电源电压间的关系
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典型特性 (接
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TA = 25°C，VS = 5.5V，RL = 10kΩ（连接至 VS / 2），VCM = VS / 2，且 VOUT = VS / 2（除非另有说明）
0
120
±20
Channel Separation (dB)
140
EMIRR (dB)
100
80
60
40
20
±40
±60
±80
±100
±120
0
±140
10M
100M
1G
100
Frequency (Hz)
1k
图 31. 以同相输入为基准的电磁干扰抑制比 (EMIRR+) 与频率间
的关系
1M
10M
C038
图 32. 通道分离与频率间的关系
200
Open Loop Voltage Gain (dB)
90
75
Phase Margin (degrees)
100k
V+ = 2.75V，V– =
–2.75V
PRF = –10dBm
60
45
30
15
160
120
80
40
0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Capacitive Load (pF)
0
100
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
Output Voltage (V)
C037
VS = 5.5V
5
5.5
C023
VS = 5.5V
图 33. 相位裕度与容性负载间的关系
图 34. 开环电压增益与输出电压间的关系
100
100
75
75
50
50
Output voltage (mV)
Output Voltage (mV)
10k
Frequency (Hz)
C041
25
0
±25
±50
25
0
-25
-50
-75
-100
±75
-125
-150
±100
0
0.3
0.6
Settling time (µs)
图 35. 大信号建立时间（正）
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0
0.9
C032
0.3
0.6
0.9
Settling time (µs)
1.2
1.5
C033
图 36. 大信号建立时间（负）
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9 详细 说明
9.1 概要
TLV906x 是低功耗、轨至轨输入和输出运算放大器系列。这些器件的工作电压范围为 1.8V 至 5.5V，具有单位增益
稳定特性，并且适用于各种通用 应用。输入共模电压范围包括两个电源轨，并支持将 TLV906x 系列器件用于几乎
任何单电源应用。轨至轨输入和输出摆幅可大幅扩大动态范围（尤其在低电源 应用中），并且适用于驱动采样模数
转换器 (ADC)。
9.2 功能框图
V+
Reference
Current
V
IN+
V
INÛ
V
BIAS1
Class AB
Control
Circuitry
V
O
V
BIAS2
VÛ
(Ground)
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9.3 特性 描述
9.3.1 轨至轨输入
TLV906x 系列的输入共模电压范围相对于电源轨向外扩展了 100mV，从而支持 1.8V 至 5.5V 的完整电源电压范
围。此性能由一个互补输入级实现：一个 N 沟道输入差分对和一个 P 沟道差分对并联，如功能框图 所示。当输入
电压靠近正轨（通常在 (V+) – 1.4V 到高于正电源电压 200mV 之间）时，N 沟道对有效；而当输入在低于负电源
电压 200mV 到大约 (V+) – 1.4V 之间时，P 沟道对有效。在一个通常介于 (V+) – 1.2V 到 (V+) – 1V 之间的小转换
区域内，两个通道对都会打开。此 200mV 转换区域可能会随工艺不同而发生变化，最高可达 200mV。因此，此转
换区域（两个级都打开）在低端上的范围介于 (V+) – 1.4V 至 (V+) – 1.2V 之间，而在高端上的范围高达 (V+) – 1V
至 (V+) – 0.8V。在此转换区域内，与器件在该区域外运行相比，PSRR、CMRR、失调电压、温漂和 THD 等性能
可能会下降。
9.3.2 轨至轨输出
TLV906x 系列器件设计为一种低功耗、低电压运算放大器，可提供强大的输出驱动能力。一个具有共源晶体管的
AB 类输出级可实现完全的轨至轨输出摆幅功能。对于 10kΩ 的阻性负载，无论施加的电源电压是多少，输出摆幅
都在两个电源轨的 15mV 范围内。不同的负载情况会改变放大器在靠近电源轨范围内摆动的能力。
9.3.3 过载恢复
过载恢复定义为运算放大器输出从饱和状态恢复到线性状态所需的时间。当输出电压由于高输入电压或高增益而超
过额定工作电压时，运算放大器的输出器件进入饱和区。器件进入饱和区后，输出器件中的电荷载体需要时间回到
线性状态。当电荷载体回到线性状态时，器件开始以指定的压摆率进行转换。因此，传播延迟（过载情况下）等于
过载恢复时间与转换时间之和。TLV906x 系列器件的过载恢复时间大约为 200ns。
9.3.4 关断功能
TLV906xS 器件具有 SHDN 引脚，可禁用运算放大器，将其置于低功耗待机模式。在此模式下，运算放大器消耗
的电流通常低于 1uA。SHDN 引脚为低电平有效，这意味着当 SHDN 引脚的输入为有效逻辑低电平时启用关断模
式。
SHDN 引脚以运算放大器的负电源电压为基准。关断特性的阈值约为 800mV（典型值），且不随电源电压改变。
开关阈值中包含了迟滞，以确保顺畅的开关特性。为了确保最佳的关断行为，应通过有效逻辑信号驱动 SHDN 引
脚。有效逻辑低电平是指介于 V– 和 V– + 0.2V 之间的电压。有效逻辑高电平是指介于 V– + 1.2V 和 V+ 之间的电
压。关断引脚必须连接到有效的高电压或低电压或者被驱动，而不是处于开路状态。
SHDN 引脚为高阻抗 CMOS 输入。双通道运算放大器版本是独立控制的，而四通道运算放大器版本是采用逻辑输
入成对控制的。对于电池供电的 应用，这种特性可能用于大幅降低平均电流并延长电池使用寿命。所有通道全部关
闭时，启用时间为 10µs；禁用时间为 3μs。禁用时，输出呈现高阻抗状态。该架构允许将 TLV906xS 作为门控放
大器使用（或将器件输出复用到公共模拟输出总线上）。关断时间 (tOFF) 取决于负载条件，并随负载电阻的增加而
增加。为确保在特定的关断时间内关断（禁用），需要将 10kΩ 额定负载连接到中间电源 (VS/2)。如果在没有负载
的情况下使用 TLV906xS，则所需的关断时间会显著增加。
9.4 器件功能模式
TLV906x 系列可在 1.8V (±0.9V) 和 5.5V (±2.75V) 的电源电压范围内正常工作。TLV906xS 器件具有关断模式，当
在关断引脚上施加有效逻辑低电平时可将器件关断。
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10 应用和实现
注
以下应用部分中的 信息 不属于 TI 组件规格的范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客
户应负责确定组件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计实现，以确认系统功能。
10.1 应用信息
TLV906x 系列器件 具有 10MHz 带宽和 6.5V/µs 压摆率，且每个通道仅有 538µA 的电源电流，从而在功耗极低的
情况下提供良好的交流性能。在直流 应用 中也具有良好性能，其输入噪声电压极低（在 10kHz 时为 10nV/√
Hz），输入偏置电流低，且典型输入失调电压为 0.3mV。
10.2 典型 应用
10.2.1 典型的低侧电流检测应用
图 37 显示了低侧电流检测应用中配置的 TLV906x。
VBUS
ILOAD
ZLOAD
5V
+
VOUT
TLV906x
VSHUNT
Rshunt
0.1
RF
165 k
RG
3.4 k
图 37. 低侧电流检测应用中的 TLV906x
10.2.1.1 设计要求
此设计的设计要求如下：
• 负载电流：0A 至 1A
• 输出电压：4.95V
• 最大分流电压：100mV
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典型 应用 (接
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10.2.1.2 详细设计流程
图 37 中的传递函数如公式 1 所示
VOUT ILOAD u RSHUNT u Gain
(1)
负载电流 (ILOAD) 在分流电阻器 (RSHUNT) 上产生压降。负载电流设置为 0A 至 1A。为了在最大负载电流下保持分流
电压低于 100mV，公式 2 中定义了最大分流电阻。
VSHUNT _ MAX 100mV
RSHUNT
100m:
ILOAD _ MAX
1A
(2)
根据公式 2 可知，RSHUNT 等于 100mΩ。ILOAD 和 RSHUNT 产生的压降由 TLV906x 放大，从而产生大约 0V 至
4.95V 的输出电压。根据公式 3 可计算 TLV906x 产生所需输出电压需要的增益。
Gain
VOUT _ MAX
VIN _ MAX
VOUT _ MIN
VIN _ MIN
(3)
根据公式 3 计算出的所需增益等于 49.5V/V，通过 RF 和 RG 电阻器进行设置。公式 4 可确定 RF 和 RG 电阻器的
大小，从而将 TLV906x 的增益设置为 49.5V/V。
RF
Gain 1
RG
(4)
当 RF 选定为 165kΩ 而 RG 选定为 3.4kΩ 时，可获得大约 49.5V/V 的增益。图 38 显示了图 37 所示电路的测量传
递函数。
10.2.1.3 应用曲线
5
Output (V)
4
3
2
1
0
0
0.2
0.4
0.6
ILOAD (A)
0.8
1
C219
图 38. 低侧电流检测传递函数
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典型 应用 (接
接下页)
10.2.2 比较器典型应用
比较器用于区分两种不同的信号电平。例如，比较器可用于区分过压情况和正常运行状态。TLV9062 可作为比较器
使用，方法是将待比较的两个电压施加到相应的每个输入，从输出到反相输入无任何反馈。
TLV9062 具有 一个轨至轨输入和输出级，其输入共模范围超出电源轨 100mV。TLV9062 适用于在整个输入共模
范围内防止相位反转。用作比较器的
TLV9062
的传播延迟等于过载恢复时间与压摆率之和。过驱动电压低于
100mV 将导致传播延迟延长，因为过载恢复时间将增加，而压摆率将降低。
V+
R1
100k
VTH
V+
R2
100k
+
TLV9062
VOUT
VIN
图 39. 比较器典型应用
10.2.2.1 设计要求
此设计的设计要求如下：
• 电源电压 (V+)：5V
• 输入电压 (VIN)：0 – 5V
• 阈值电压 (VTH) = 2.5V
10.2.2.2 详细设计流程
反相比较器电路在运算放大器的反相端施加输入电压 (VIN)。两个电阻器（R1 和 R2）分摊输入电压 (VCC) 以建立
中间阈值电压 (VTH)（根据公式 1 计算得出）。具体电路如图 39 所示。当 VIN 低于 VTH 时，输出电压将切换到正
电源，并等于高电平输出电压。当 VIN 高于 VTH 时，输出电压将切换为负电源，并等于低电平输出电压。VTH。
VTH
26
R2
u V+
R1 R 2
2.5V
(5)
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典型 应用 (接
接下页)
10.2.2.3 应用曲线
5.5
5.5
Input
Output
5
Input
Output
5
4.5
4
4
3.5
3.5
Voltage (V)
Voltage (V)
4.5
3
2.5
2
1.5
3
2.5
2
1.5
1
1
0.5
0.5
0
0
-0.5
-0.5
0
20
40
60
80
100 120
Time (us)
140
160
180
200
0
0.2
0.4
D101
图 40. 比较器对输入电压的响应（包括传播延迟）
0.8
1
1.2
Time (us)
1.4
1.6
1.8
2
D102
图 41. 上升沿
5.5
5.5
Input
Output
5
4.5
20mV
50mV
100mV
200mV
500mV
5
4.5
4
4
3.5
3.5
Voltage (V)
Voltage (V)
0.6
3
2.5
2
1.5
3
2.5
2
1.5
1
1
0.5
0.5
0
0
-0.5
-0.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Time (us)
1.4
1.6
1.8
2
0
5
10
15
20
25
Time (us)
30
35
40
D103
图 42. 下降沿
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D104
图 43. 下降沿传播延迟与输入过驱电压间的关系
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11 电源建议
TLV906x 系列器件的额定工作电压范围是 1.8V 至 5.5V（±0.9V 至 ±2.75V）；许多规格在 –40°C 至 +125°C 的温
度下适用。典型特性 部分提供的参数可能随工作电压或温度的变化而出现显著变化。
CAUTION
电源电压超过 6V 可能会对器件造成永久损坏；请参阅绝对最大额定值 表。
将 0.1µF 旁路电容器置于电源引脚附近，以减小从高噪声电源或高阻抗电源中耦合进来的误差。有关旁路电容器位
置的更多详细信息，请参阅 部分。
11.1 输入和 ESD 保护
TLV906x 系列器件在所有引脚上均整合了内部 ESD 保护电路。对于输入和输出引脚，这种保护主要包括输入和电
源引脚之间连接的导流二极管。如绝对最大额定值 表所示，只要电流不超过 10mA，这些 ESD 保护二极管就能提
供电路内输入过驱保护。图 44 显示了如何通过将串联输入电阻器添加到被驱动的输入端来限制输入电流。添加的
电阻器会增加放大器输入端的热噪声；在对噪声敏感的应用中，该值必须保持在最低 值中，该值必须保持在最低
值。
V+
IOVERLOAD
10-mA maximum
Device
VOUT
VIN
5 kW
图 44. 输入电流保护
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12 布局
12.1 布局指南
为了实现器件的最佳运行性能，应使用良好的印刷电路板 (PCB) 布局规范，包括：
• 噪声可以通过整个电路的电源引脚和运算放大器本身的电源引脚传入模拟电路。旁路电容为局部模拟电路提供
低阻抗电源，用于降低耦合噪声。
– 在每个电源引脚和接地端之间连接低 ESR 0.1µF 陶瓷旁路电容器，放置位置尽量靠近器件。从 V+ 到接地端
的单个旁路电容器适用于单通道电源 应用。
• 将电路的模拟和数字部分单独接地是最简单和最有效的噪声抑制方法之一。多层 PCB 中通常将一层或多层专门
作为接地层。接地层有助于散热和降低电磁干扰 (EMI) 噪声拾取。请小心地对数字接地和模拟接地进行物理隔
离，同时应注意接地电流。有关更多详细信息，请参阅《电路板布局技巧》。
• 为降低寄生耦合，输入迹线应尽量远离电源或输出迹线。如果这些走线不能保持分离，则敏感走线与有噪声走
线垂直相交比平行更好。
• 外部组件的位置应尽量靠近器件。如图 46 所示，使 RF 和 RG 接近反相输入可最大限度地减小反相输入端的寄
生电容。
• 尽可能缩短输入迹线。切记：输入走线是电路中最敏感的部分。
• 考虑在关键走线周围设定驱动型低阻抗保护环。这样可显著减少附近走线在不同电势下产生的泄漏电流。
• 为获得最佳性能，建议在组装 PCB 板后进行清洗。
• 任何精密集成电路都可能因湿气渗入塑料封装中而出现性能变化。请遵循所有的 PCB 水清洁流程，建议将
PCB 组装烘干，以去除清洗时渗入器件封装中的湿气。大多数情形下，清洗后在 85°C 下低温烘干 30 分钟即
可。
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12.2 布局示例
+
VIN A
+
VIN B
VOUT A
RG
VOUT B
RG
RF
RF
图 45. 图 46 的原理图表示
Place components
close to device and to
each other to reduce
parasitic errors.
OUT A
VS+
OUT A
V+
-IN A
OUT B
+IN A
-IN B
Use low-ESR,
ceramic bypass
capacitor. Place as
close to the device
as possible.
GND
RF
OUT B
GND
RF
RG
VIN A
GND
RG
V±
Use low-ESR,
ceramic bypass
capacitor. Place as
close to the device
as possible.
GND
VS±
+IN B
Ground (GND) plane on another layer
VIN B
Keep input traces short
and run the input traces
as far away from
the supply lines
as possible.
图 46. 布局示例
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13 器件和文档支持
13.1 文档支持
13.1.1 相关文档
德州仪器 (TI)，《适用于成本敏感型系统的 TLVx313 低功耗、轨至轨输入/输出、500μV 典型失调电压、1MHz 运
算放大器》。
德州仪器 (TI)，《TLVx314 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器、RRIO 运算放大器》。
德州仪器 (TI)，《运算放大器的 EMI 抑制比》。
德州仪器 (TI)，《QFN/SON PCB 连接》。
Texas Instruments, 《四方扁平封装无引线逻辑封装》。
德州仪器 (TI)，《电路板布局技巧》。
德州仪器 (TI)，《单端输入至差分输出转换电路参考设计》。
13.2 相关链接
下表列出了快速访问链接。类别包括技术文档、支持和社区资源、工具和软件，以及立即订购快速访问。
表 1. 相关链接
器件
产品文件夹
立即订购
技术文档
工具与软件
支持和社区
TLV9061
请单击此处
请单击此处
请单击此处
请单击此处
请单击此处
TLV9062S
请单击此处
请单击此处
请单击此处
请单击此处
请单击此处
TLV9062
请单击此处
请单击此处
请单击此处
请单击此处
请单击此处
TLV9064
请单击此处
请单击此处
请单击此处
请单击此处
请单击此处
TLV9064S
请单击此处
请单击此处
请单击此处
请单击此处
请单击此处
13.3 接收文档更新通知
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品信息更改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
13.4 社区资源
下列链接提供到 TI 社区资源的连接。链接的内容由各个分销商“按照原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，
并且不一定反映 TI 的观点；请参阅 TI 的 《使用条款》。
TI E2E™ 在线社区 TI 的工程师对工程师 (E2E) 社区。此社区的创建目的在于促进工程师之间的协作。在
e2e.ti.com 中，您可以咨询问题、分享知识、拓展思路并与同行工程师一道帮助解决问题。
设计支持
TI 参考设计支持 可帮助您快速查找有帮助的 E2E 论坛、设计支持工具以及技术支持的联系信息。
13.5 商标
E2E is a trademark of Texas Instruments.
All other trademarks are the property of their respective owners.
13.6 静电放电警告
ESD 可能会损坏该集成电路。德州仪器 (TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理措施和安装程序 , 可
能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级 , 大至整个器件故障。 精密的集成电路可能更容易受到损坏 , 这是因为非常细微的参数更改都可
能会导致器件与其发布的规格不相符。
13.7 术语表
SLYZ022 — TI 术语表。
这份术语表列出并解释术语、缩写和定义。
版权 © 2017–2018, Texas Instruments Incorporated
31
TLV9061, TLV9062S, TLV9062, TLV9064, TLV9064S
ZHCSGC0E – MARCH 2017 – REVISED JULY 2018
www.ti.com.cn
14 机械、封装和可订购信息
以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。数据如有变更，恕不另行通知，且
不会对此文档进行修订。如需获取此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
32
版权 © 2017–2018, Texas Instruments Incorporated
重要声明和免责声明
TI 均以“原样”提供技术性及可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资
源，不保证其中不含任何瑕疵，且不做任何明示或暗示的担保，包括但不限于对适销性、适合某特定用途或不侵犯任何第三方知识产权的暗示
担保。
所述资源可供专业开发人员应用TI 产品进行设计使用。您将对以下行为独自承担全部责任：(1) 针对您的应用选择合适的TI 产品；(2) 设计、
验证并测试您的应用；(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他安全、安保或其他要求。所述资源如有变更，恕不另行通知。TI 对您使用
所述资源的授权仅限于开发资源所涉及TI 产品的相关应用。除此之外不得复制或展示所述资源，也不提供其它TI或任何第三方的知识产权授权
许可。如因使用所述资源而产生任何索赔、赔偿、成本、损失及债务等，TI对此概不负责，并且您须赔偿由此对TI 及其代表造成的损害。
TI 所提供产品均受TI 的销售条款 (http://www.ti.com.cn/zh-cn/legal/termsofsale.html) 以及ti.com.cn上或随附TI产品提供的其他可适用条款的约
束。TI提供所述资源并不扩展或以其他方式更改TI 针对TI 产品所发布的可适用的担保范围或担保免责声明。IMPORTANT NOTICE
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
10-Dec-2020
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status
(1)
Package Type Package Pins Package
Drawing
Qty
Eco Plan
(2)
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
(3)
(4/5)
(6)
(1)
TLV9061IDBVR
ACTIVE
SOT-23
DBV
5
3000
RoHS & Green
NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
1OAF
TLV9061IDCKR
ACTIVE
SC70
DCK
5
3000
RoHS & Green
SN
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
1CA
TLV9061IDPWR
ACTIVE
X2SON
DPW
5
3000
RoHS & Green
NIPDAUAG
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
CG
TLV9061SIDBVR
ACTIVE
SOT-23
DBV
6
3000
RoHS & Green
NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
1OEF
TLV9062IDDFR
ACTIVE
SOT-23-THIN
DDF
8
3000
RoHS & Green
NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
T062
TLV9062IDGKR
ACTIVE
VSSOP
DGK
8
2500
RoHS & Green
NIPDAUAG
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
T062
TLV9062IDGKT
ACTIVE
VSSOP
DGK
8
250
RoHS & Green
NIPDAUAG
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
T062
TLV9062IDR
ACTIVE
SOIC
D
8
2500
RoHS & Green
SN
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
TL9062
TLV9062IDSGR
ACTIVE
WSON
DSG
8
3000
RoHS & Green
NIPDAU
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
T062
TLV9062IDSGT
ACTIVE
WSON
DSG
8
250
RoHS & Green
NIPDAU
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
T062
TLV9062IPWR
ACTIVE
TSSOP
PW
8
2000
RoHS & Green
NIPDAU | SN
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
TL9062
TLV9062SIDGSR
ACTIVE
VSSOP
DGS
10
2500
RoHS & Green
NIPDAUAG
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
1TDX
TLV9062SIRUGR
ACTIVE
X2QFN
RUG
10
3000
RoHS & Green
NIPDAUAG
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
EOF
TLV9064IDR
ACTIVE
SOIC
D
14
2500
RoHS & Green
NIPDAU
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
TLV9064D
TLV9064IPWR
ACTIVE
TSSOP
PW
14
2000
RoHS & Green
SN
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
TLV9064
TLV9064IPWT
ACTIVE
TSSOP
PW
14
250
RoHS & Green
SN
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
TLV9064
TLV9064IRTER
ACTIVE
WQFN
RTE
16
3000
RoHS & Green
NIPDAU
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
T9064
TLV9064IRUCR
ACTIVE
QFN
RUC
14
3000
RoHS & Green
NIPDAU
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
1DD
TLV9064SIRTER
ACTIVE
WQFN
RTE
16
3000
RoHS & Green
NIPDAU
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
T9064S
The marketing status values are defined as follows:
Addendum-Page 1
Samples
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
10-Dec-2020
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2)
RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of
工商网监
湘ICP备2023018690号
