CB3LV-3I-2M000000

物料型号：CB3 & CB3LV

器件简介： - 标准7.0mm x 5.0mm 4-Pad表面贴装封装 - HCMOS/TTL兼容输出 - 基频和3次谐波晶体设计 - 频率范围1 – 200 MHz - 频率稳定性±50 ppm标准，±25 ppm和±20 ppm可选 - 工作电压+5.0Vdc或+3.3Vdc - 工作温度范围-40°C至+85°C - 标准输出使能 - 胶带和卷轴包装 - 符合RoHS/绿色合规性(6/6)

引脚分配： - 1号引脚：使能(EOH) - 2号引脚：地(GND) - 3号引脚：输出(RF Output) - 4号引脚：供电电压(Vcc)

参数特性： - 最大供电电压：+7.0V - 存储温度频率范围：+100°C - 基频(f0)：1.5 MHz至200 MHz - 频率稳定性(Af/fo)：20, 25, 50或100 ±ppm - 老化：商业/工业温度下±3至±5 ±ppm/℃ - 供电电压(CB3)：4.5V至5.5V - CB3LV供电电流：1.5MHz至20MHz时为3.0至3.6 mA，20.001MHz至80MHz时为10至25 mA，80.001MHz至107MHz时为40至80 mA - 输出负载：30至15 pF - 输出电压电平：Logic'1'Level (VOH)为90%Vcc或Vac-0.6V，Logic'0'Level (Vol)为10%Vcc或0.4V - 输出电流：Logic'1'Level(IOH)为-16/-8 mA，Logic'0'Level(IoL)为+16/+8 mA - 输出占空比：45%至55% - 上升和下降时间(TRTF)：1.5MHz至20MHz时为10 ns，20.001MHz至80MHz时为5 ns，80.001MHz至200MHz时为2.5至6 ns - 启动时间(Ts)：10 ms - 使能输入电压(VBH)：2.0V - 禁用输入电压(VI)：0.8V - 使能时间(Tpz)：200 ns - 待机电流(IsT)：10 µA

功能详解： - 提供了详细的电气特性表，包括最大供电电压、存储温度频率范围、频率稳定性、老化、供电电压、供电电流、输出负载、输出电压电平、输出电流、输出占空比、上升和下降时间、启动时间、使能功能等参数。 - 使能功能的真值表说明了当使能引脚逻辑为'1'时输出使能，逻辑为'0'时输出禁用。

应用信息： - 数字视频、网络设备、无线通信、宽带接入、以太网/千兆以太网、微处理器/DSP/FPGA、存储区域网络、光纤通道、计算机和外围设备、测试和测量、SONET/SDH/DWDM、基站和皮蜂窝等应用。

封装信息： - 设备数量每卷最多1,000件。 - 提供了封装的尺寸信息和方向进给的详细图纸。

订购信息： - 提供了详细的订购指南，包括频率稳定性、操作温度范围和供电电压的编码方式。

机械规格： - 提供了封装的物理尺寸和标记信息。

建议的焊盘几何形状： - 建议的旁路电容应≥0.01 uF。