| WL2810D25-4/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 低噪声，高PSRR，高速，CMOS LDO | | | 获取价格 |
| WL2836D12-4/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 低噪声，高PSRR，高速，CMOS LDO | | | 获取价格 |
| WPM2087-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 功率MOSFET 20V 3.6A 34mΩ@4.5V,5A 900mW 750mV@250uA 108pF@10V P Channel 1.182nF@10V 12nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 | | | 获取价格 |
| ESD5621W04-2/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 1线，单向，瞬态电压抑制器 | | | 获取价格 |
| ESD5305F-6/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | ESD抑制器/TVS二极管 SOT23-6 16.5V 6A | | | 获取价格 |
| ESD56231L24-2/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 1线，双向，瞬态电压抑制器 | | | 获取价格 |
| ESD56241D15-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 1线，单向，瞬态电压抑制器 | | | 获取价格 |
| WNM2030-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | MOSFET SOT723 N-Channel ID=880mA | | | 获取价格 |
| WPM1480-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | MOSFET SOT323 P-Channel ID=1.4A | | | 获取价格 |
| WPM3401-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=4.6A | | | 获取价格 |
| WNM2024-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=3.3A | | | 获取价格 |
| ESDA6V8UD-10/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | ESD抑制器/TVS二极管 12V 4A | | | 获取价格 |
| ESD5301N-2/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | TVS二极管 VRWM=5V VBR(Min)=7V VC=15V IPP=4A Ppk=60W DFN1006-2L | | | 获取价格 |
| ESD5311X-2/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | ESD抑制器/TVS二极管 WBFBP02C 18V 4A | | | 获取价格 |
| ESD5341N-2/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | ESD抑制器/TVS二极管 15V 4A | | | 获取价格 |
| ESD5411N-2/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 7V | | | 获取价格 |
| ESD5451N-2/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | TVS VRWM=5V VBR=5.1V VC=9V DFN1006-2L | | | 获取价格 |
| WS72551EA-5/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | | | | 获取价格 |
| WPT2F30-6/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):280mV@800mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,2V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| WPM2037-6/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3.1A;功率(Pd):800mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):61mΩ@4.5V,3.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | | | 获取价格 |
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