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型号	厂商	描述	参考价格
IPB090N06N3 G	Infineon Technologies	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):71W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@34uA;	获取价格
IKB06N60T	Infineon Technologies		获取价格
IPB100N04S4-H2	Infineon Technologies	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;	获取价格
SPD04P10PLG	Infineon Technologies	类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):4.2A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):850mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@380uA;	获取价格
IRFR430ATRPBF	Infineon Technologies	漏源电压（Vdss）:500V;连续漏极电流（Id）（25°C 时）:5A;栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA;漏源导通电阻:1.7Ω @ 3A,10V;最大功率耗散（Ta=25°C）:110W;类型:N沟道;	获取价格
BAR 64-02V E6327	Infineon Technologies	二极管 - 射频 PIN - 单 150V 100 mA 250 mW PG-SC79-2	获取价格
BA 892-02V E6433	Infineon Technologies	二极管 - 射频标准 - 单 35V 100 mA PG-SC79-2	获取价格
BA 892-02V E6127	Infineon Technologies	二极管 - 射频标准 - 单 35V 100 mA PG-SC79-2	获取价格
BA 892-02V E6327	Infineon Technologies	二极管 - 射频标准 - 单 35V 100 mA PG-SC79-2	获取价格
BBY 57-02V E6327	Infineon Technologies	可变电抗器单路 10 V 表面贴装型 PG-SC79-2	获取价格
BB 555-02V E7902	Infineon Technologies	可变电抗器单路 30 V 表面贴装型 PG-SC79-2	获取价格
BB 565-02V E7902	Infineon Technologies	可变电抗器单路 30 V 表面贴装型 PG-SC79-2	获取价格
BBY 65-02V E6327	Infineon Technologies	可变电抗器单路 15 V 表面贴装型 PG-SC79-2	获取价格
BB 659C-02V H7902	Infineon Technologies	可变电抗器单路 30 V 表面贴装型 PG-SC79-2	获取价格
BAT 64-02V H6327	Infineon Technologies	二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):570mV@100mA;反向电流(Ir):2uA@30V;	获取价格
TLE493DP2B6A1HTSA1	Infineon Technologies	霍尔效应传感器 X，Y，Z 轴 PG-TSOP6-6-8	获取价格
TLE493DP2B6A0HTSA1	Infineon Technologies	霍尔效应传感器 X，Y，Z 轴 PG-TSOP6-6-8	获取价格
IPP040N08NF2S	Infineon Technologies		获取价格
IPA029N06NM5S	Infineon Technologies	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;	获取价格
IPP040N06N	Infineon Technologies	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,90A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@90uA;	获取价格

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