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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
MS12N100FEMASPOWER类型:N沟道;漏源电压(Vdss):1kV;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):272W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.18Ω@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250μA;栅极电荷(Qg@Vgs):43nC;输入电容(Ciss@Vds):2.15nF;反向传输电容(Crss@Vds):13pF;工作温度:-55℃~+150℃;获取价格
MS8N100FSMASPOWERMOSFETs N沟道 1KV 8A 2Ω@10V,4A TO-220F获取价格
MS8N100FTMASPOWER类型:N沟道;漏源电压(Vdss):1kV;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):167W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8Ω@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250μA;栅极电荷(Qg@Vgs):14nC;输入电容(Ciss@Vds):1.32nF;反向传输电容(Crss@Vds):9pF;工作温度:-55℃~+150℃;获取价格
MS5N100FDMASPOWER类型:N沟道;漏源电压(Vdss):1kV;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):68W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,1.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@100μA;栅极电荷(Qg@Vgs):42nC;输入电容(Ciss@Vds):1.154nF;反向传输电容(Crss@Vds):21.3pF;工作温度:-55℃~+175℃;获取价格
MS3N100HGD0MASPOWER类型:N沟道;漏源电压(Vdss):1kV;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.2Ω@10V,1A;获取价格