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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
1N5344BRLGMurata Manufacturing Co., Ltd.二极管配置:独立式;稳压值(标称值):8.2V;稳压值(范围):7.79V~8.61V;精度:±5%;功率:5W;反向电流(Ir):10uA@6.2V;阻抗(Zzt):1.5Ω;获取价格
MURB1620CTRT4GMurata Manufacturing Co., Ltd.二极管配置:1对共阳极;功率:-;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):8A;正向压降(Vf):1.2V@8A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):85ns;工作温度:-65℃~+175℃@(Tj);获取价格
SBCP56-16T1GMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;获取价格
1N5931BRLGMurata Manufacturing Co., Ltd.This is a complete series of 3.0 Watt Zener?Diode?Voltage Regulators with tight limits and better operating characteristics that reflect the superior capabilities of silicon-oxide passivated junctions. All this is in an axial-lead, transfer-molded plastic获取价格
1N5921BRLGMurata Manufacturing Co., Ltd.获取价格
KSC945CYTAMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@100mA,10mA;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
NJT4030PT3GMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@3A,300mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,1V;特征频率(fT):160MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
KSC945YTAMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,6V;获取价格
2N3906TARMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;获取价格
LM431CCZMurata Manufacturing Co., Ltd.电压基准类型:并联;输出类型:可调;输入电压:-;输出电流:100mA;精度:±0.5%;温度系数:50ppm/℃;静态电流:-;噪声(0.1Hz-10Hz):-;噪声(10Hz-10kHz):-;工作温度:-25℃~+85℃@(Ta);获取价格
1N5913BRLGMurata Manufacturing Co., Ltd.获取价格
PN2222ATAMurata Manufacturing Co., Ltd.The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the TO-92 package, which is designed for medium power applications.获取价格
NSV45020JZT1GMurata Manufacturing Co., Ltd.获取价格
1N4003GMurata Manufacturing Co., Ltd.二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):930mV@1A;反向电流(Ir):50nA@200V;获取价格
2N3904TARMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;获取价格
LM317MBSTT3GMurata Manufacturing Co., Ltd.输出类型:可调;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:40V;输出电压:1.2V~37V;压差:-;输出电流:500mA;电源纹波抑制比(PSRR):80dB@(120Hz);获取价格
NSS1C300ET4GMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2.1W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@1A,2V;获取价格
NCP3334AMTADJTBGMurata Manufacturing Co., Ltd.输出类型:-;获取价格
NCP81151BMNTBGMurata Manufacturing Co., Ltd.获取价格
CAT24AA02TDI-GT3Murata Manufacturing Co., Ltd.接口类型:I2C;存储容量:2Kbit;获取价格