| BCP51,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| BCP51-16,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):145MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| PZT2907A,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):1.15W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V; | | | 获取价格 |
| BCP53-10,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| PZT3904 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BCP68,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):650mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V;特征频率(fT):170MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| UMH2N | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| CJ16-400001210B20 | Rubycon Corporation | 频率:40MHz;负载电容:12pF; | | | 获取价格 |
| CJ13-271201010B20 | Rubycon Corporation | 频率:27.12MHz;负载电容:10pF; | | | 获取价格 |
| CJU30P10 | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| 74LVC1G17GV-Q100,1 | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| 74AUP1G17GVH | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| BC557-TA | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| 1N4148WT | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:150mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):150mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向恢复时间(trr):4ns; | | | 获取价格 |
| CJT1117B-1.8 | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| 2SA1020-TA | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| 2SA1300 | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| SD103AX | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):350mA;正向压降(Vf):600mV@200mA;反向电流(Ir):5uA@30V; | | | 获取价格 |
| PSMN7R6-100BSEJ | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):296W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.6mΩ@25A,10V; | | | 获取价格 |
| 2SD1815 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@1.5A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,5V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
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