| PXT2222A,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):800mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BCX55-16,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| BCX51-16TF | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| PBSS4021NX,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):137mV@7A,350mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@8A,2V;特征频率(fT):115MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| PBSS4032NX,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):4.7A;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):240mV@5.4A,270mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):275@6A,2V;特征频率(fT):145MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| PBSS306PX,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3.7A;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):210mV@4A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| PBSS9110X,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.4W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):150@500mA,5V; | | | 获取价格 |
| BCX55TF | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):155MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BCX56-10,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| PBSS5350X,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.4W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,2V; | | | 获取价格 |
| BCX53-16TX | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| BCX54-16,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| BCX54-16TF | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| BCX56-16TX | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):155MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BZV85-C5V1,113 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):5.4V;稳压值(范围):4.8V~10V;精度:±5%;功率:1W;反向电流(Ir):3uA@2V;阻抗(Zzt):-; | | | 获取价格 |
| DSS210 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):850mV@2A;反向电流(Ir):100uA@100V; | | | 获取价格 |
| PDTD123TT,215 | Rubycon Corporation | Pre Biased Triodes NPN Ic=500mA Vceo=50V hfe=100 P=250mW SOT23 | | | 获取价格 |
| PDTC144WT,215 | Rubycon Corporation | 1 NPN - Pre Biased 250mW 100mA 50V SOT-23-3L Digital Transistors ROHS | | | 获取价格 |
| PDTD113ZT,215 | Rubycon Corporation | 1 NPN - Pre Biased 250mW 500mA 50V SOT-23-3L Digital Transistors ROHS | | | 获取价格 |
| PDTD123YT,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):250mW;集电极电流(Ic):500mA;集射极击穿电压(Vceo):50V; | | | 获取价格 |
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