| PMV15ENEAR | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):6.2A;功率(Pd):700mW；8.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@5.8A,10V; | | | 获取价格 |
| PMV20XNEAR | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6.3A;功率(Pd):460mW；6.94W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@6.3A,4.5V; | | | 获取价格 |
| PMBT5551,235 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):300mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V; | | | 获取价格 |
| PBHV8115T,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@500mA,10V; | | | 获取价格 |
| PMV65XPEA | Rubycon Corporation | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| PMV65XPEAR | Rubycon Corporation | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):480mW；6.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@2.8A,4.5V; | | | 获取价格 |
| BC848B,235 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| BCW61C,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| PMBT2222A,235 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V; | | | 获取价格 |
| PMBT4403,235 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| PMBTA06,235 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| BSR14,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V; | | | 获取价格 |
| BCW29,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| BCW70,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):215@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| BF550,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):25mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@1mA,10V; | | | 获取价格 |
| CJL2013 | Rubycon Corporation | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12.2mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):16nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):935pF@8V;反向传输电容(Crss@Vds):145pF@8V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| PMN280ENEAX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):1.2A;功率(Pd):667mW；7.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):385mΩ@1.2A,10V; | | | 获取价格 |
| PMN48XP,115 | Rubycon Corporation | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4.1A;功率(Pd):530mW；6.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@2.4A,4.5V; | | | 获取价格 |
| PBLS6003D,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP - 预偏压;集电极电流Ic:700mA,100mA;集射极击穿电压Vce:60V,50V;额定功率:400mW; | | | 获取价格 |
| BC817DS,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:2个NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
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