1N4937

1N4933 ... 1N4937 1N4933 ... 1N4937 Fast Silicon Rectifier Diodes – Schnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2009-10-16 Nominal current Nennstrom Ø 2.6 -0.1 1A 50...600 V DO-41 DO-204AL 0.4 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack 62.5 -2.5 +0.5 Type Ø 0.77±0.07 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ 1N4933 1N4934 1N4935 1N4936 1N4937 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 TA = 75°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 5.1-0.1 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 1 A 1) 10 A 1) 30/33 A 4.5 A2s -50...+150°C -50...+175°C 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 1N4933 ... 1N4937 Characteristics Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzugszeit Tj = 25°C IF = 1 A VF IR IR trr RthA RthL Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 100°C VR = VRRM IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Kennwerte < 1.2 V < 5 µA < 100 µA < 200 ns < 45 K/W 1) < 15 K/W Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht 120 [%] 100 102 [A] 10 Tj = 125°C 80 1 Tj = 25°C 60 40 10-1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 IF 10-2 0.4 30a-(1a-1.2v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2