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20SQ045-3G 20SQ045-3G Schottky Barrier Rectifier Diodes 3rd Generation Schottky-Gleichrichterdioden 3. Generation IFAV = 20 A VF@5A < 0.43 V Tjmax = 150°C VRRM = 45 V IFSM = 310/350 A VF125 ~ 0.25 V @ 5 A Version 2018-09-27 Typical Applications Solar Bypass Diodes, Polarity Protection, Free-wheeling diodes, Output Rectification in DC/DC Converters Commercial grade 1) Ø 5.4 x 7.5 Features Besonderheiten Best trade-off between VF and IR 2) Optimale Auswahl von VF und IR 2) Much smaller package outline Gehäusegröße sehr viel kleiner Halogen FREE than industry standard als Industriestandard Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, Pb Conflict Minerals 1) Konfliktmineralien 1) 7.5±0.1 R oH S WE EE EL V Type 62.5 ±0.5 Ø 5.4±0.1 Typische Anwendungen Solar-Bypassdioden, Verpolschutz, Freilaufdioden, Ausgangsgleichrichtung in Gleichstromwandlern Standardausführung 1) Mechanical Data 1) Ø 1.2±0.05 Dimensions - Maße [mm] Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack On request: on 13” reel 500 1000 Gegurtet in Ammo-Pack Auf Anfrage: auf 13” Rolle Weight approx. 1.7 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 3) Type Typ Grenzwerte 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 45 45 20SQ045-3G Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung TA = 50°C IFAV 20 A 4) 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 310 A 350 A t < 10 ms i2t 480 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+150°C ≤ 200°C 2,5) Storage temperature Lagerungstemperatur TS -50...+150°C Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle Rating for fusing Grenzlastintegral 1 2 3 4 5 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes” Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes” TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Meets the Requirements of IEC 61215 bypass diode thermal test Erfüllt die Anforderungen des IEC 61215 Bypass-Diodentests © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 20SQ045-3G Characteristics Kennwerte Type Typ Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] < 0.43 typ. 0.25 20SQ045-3G @ IF [A] Forward voltage Durchlass-Spannung @ Tj 25°C 125°C 5 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VF [V] @ IF [A] @ Tj < 0.55 20 25°C VR = VRRM IR < 200 µA typ. 10 mA VR = 4 V Cj 720 pF Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung RthA 12 K/W 1) Typical thermal resistance junction to lead (at the case) Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschlussdraht (am Gehäuse) RthL 2.5 K/W 2) 120 102 [%] [A] 100 10 80 1 60 40 10 -1 20 IF IFAV 0 10 Tj = 25°C Tj = 125°C -2 0 TA 100 50 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 10 2 0 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T j = 1 5 0 °C T j = 1 2 5 °C [mA] 10 1 T j = 1 0 0 °C 1 T j = 7 5 °C T j = 5 0 °C 10-1 IR T j = 2 5 °C 10 -2 0 VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG