BAL99

BAL99 BAL99 Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2006-04-07 Power dissipation – Verlustleistung 2.9 ±0.1 0.4 3 max 310 mW 70 V SOT-23 (TO-236) 0.01 g 1.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle ±0.1 1 2 1.9 Dimensions - Maße [mm] 1 = n.c. /frei 2 = C 3 = A Maximum ratings (TA = 25°C) Power dissipation – Verlustleistung Max. average forward current (dc) Dauergrenzstrom Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur tp ≤ 1 s tp ≤ 1 ms tp ≤ 1 µs Ptot IFAV IFSM IFSM IFSM VRRM Tj TS 2.5 1.3 Type Code Grenzwerte (TA = 25°C) BAL99 310 mW 1) 250 mA 1) 0.5 A 1A 2A 70 V -55...+150°C -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung IF IF IF IF Tj = 25°C Tj = 150°C = = = = 1 mA 10 mA 50 mA 150 mA VF VF VF VF IR IR IR CT trr RthA Kennwerte (Tj = 25°C) < 715 mV < 855 mV < 1000 mV < 1250 mV < 2.5 µA < 30 µA < 100 µA 1.5 pF < 6 ns 400 K/W 1) Leakage current 2) Sperrstrom VR = 70 V VR = 25 V VR = 70 V Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BAL99 Outline – Gehäuse 3 Pinning – Anschlussbelegung Single Diode Einzeldiode Marking – Stempelung BAL99 = JF 1 2 1 = n.c./frei 2 = C 3 = A 120 [%] 100 1 [A] 10-1 80 Tj = 125°C 60 10 -2 40 10-3 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 Tj = 25°C IF 10-4 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG