BAV18 ... BAV21
BAV18 ... BAV21
Superfast Switching Si-Planar Diodes Superschnelle Si-Planar-Dioden Version 2011-10-17 Max. power dissipation Max. Verlustleistung
Ø 1.9
500 mW 50...200 V DO-35 (SOD-27) 0.13 g BAV100...BAV102
Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Glass case Glasgehäuse Weight approx. Gewicht ca.
62.5
3.9
Ø 0.52
Equivalent SMD-version Äquvalente SMD-Ausführung Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings (TA =25°C) Type Typ BAV19 BAV20 BAV21 Max. power dissipation Max. Verlustleistung Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, t ≤ 1 s Stoßstrom, t ≤ 1 s Peak forward surge current, t ≤ 1 µs Stoßstrom, t ≤ 1 µs Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 100 150 200 TA = 25°C TA = 25°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C Ptot IFAV IFRM IFSM IFSM Tj TS
Grenzwerte (TA =25°C) Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1) 120 200 250 500 mW 2) 250 mA 2) 650 mA 2) 1A 5A -50...+200°C -50...+200°C
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Tested with pulses IR = 100 µA, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen IR = 100 µA, tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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BAV18 ... BAV21 Characteristics Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzug Tj = 25°C Tj = 25°C Tj = 100°C IF = 0.1 A VR = VRRM VR = VRRM VF IR IR trr RthA Kennwerte < 1.0 V < 100 nA < 15 µA < 50 ns < 300 K/W 1)
IF = 30 mA through/über IR = 30 mA to IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
120 [%] 100
10 [A] 1
80
Tj = 125°C
60
10
-1
40 10-2 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C]
1
Tj = 25°C
IF 10-3
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte)
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Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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