BAV70
BAV70
Surface Mount Small Signal Double-Diodes Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2005-9-28 Power dissipation – Verlustleistung
2.9 ±0.1 0.4 3 1.3±0.1 1.1
310 mW 70 V SOT-23 (TO-236) 0.01 g
Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Type Code
1 1.9 2
Dimensions - Maße [mm] 1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
Maximum ratings (TA = 25°C) per diode / pro Diode Power dissipation − Verlustleistung 1) Max. average forward current (dc) Dauergrenzstrom Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur tp ≤ 1 s tp ≤ 1 ms tp ≤ 1 µs Ptot IFAV IFRM IFSM IFSM IFSM VRRM Tj TS
2.5 max
Grenzwerte (TA = 25°C) BAV70 310 mW 2) 200 mA 2) 300 mA 2) 0.5 A 1A 2A 70 V -55...+150°C -55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung IF IF IF IF Tj = 25°C Tj = 150°C = = = = 1 mA 10 mA 50 mA 150 mA VF VF VF VF IR IR IR
Kennwerte (Tj = 25°C) < 715 mV < 855 mV < 1.0 V < 1.25 V < 5 µA < 60 µA < 100 µA
Leakage current 3) Sperrstrom
VR = 25 V VR = 25 V VR = 70 V
1 2 3
Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
BAV70 Characteristics (Tj = 25°C) Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft CT trr RthA Kennwerte (Tj = 25°C) 1.5 pF < 6 ns < 420 K/W 1)
Pinning – Anschlussbelegung
3
Marking – Stempelung
Double diode, common cathode Doppeldiode, gemeinsame Kathode
2
BAV70 = A4
1
1 = A1
2 = A2
3 = C1/C2
120 [%] 100
10 [A] 1
80
Tj = 125°C
60
10-1
40 10 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C]
1
-2
Tj = 25°C
IF 10-3
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Rated forward current versus ambient temperature ) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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