BC848C

BC846A ... BC850C BC846A ... BC850C IC = 100 mA hFE = 180/290/520 Tjmax = 150°C SMD General Purpose NPN Transistors SMD Universal-NPN-Transistoren VCEO = 30...65 V Ptot = 250 mW Version 2021-11-08 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial / industrial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1) 3 1 2 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1) Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) RoHS Pb EE WE SPICE Model & STEP File 1) Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) EL V SOT-23 TO-236 1 Mechanische Daten 1) Mechanical Data ) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Marking Code See below | Siehe unten 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 HS-Code 85412100 Type = Code BC846A/-Q/-AQ = 1A BC846B/-Q/-AQ = 1B BC846C/-AQ = 1C Gegurtet auf Rolle Complementary PNP transistors Komplementäre PNP-Transistoren BC847A/-Q/-AQ = 1E BC847B/-Q/-AQ = 1F BC847C/-Q/-AQ = 1G BC848A/-AQ = 1E BC848B/-AQ = 1F BC848C/-AQ = 1G BC850A/-AQ = 1E BC850B/-AQ = 1F BC850C/-AQ = 1G BC849A/-AQ = 1E BC849B/-AQ = 1F BC849C/-AQ = 1G BC856 ... BC860 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BC846 BC847 BC850 BC848 BC849 Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 65 V 45 V 45 V 30 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 80 V 50 V 50 V 30 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO Power dissipation – Verlustleistung 6V 5V 3 Ptot 250 mW ) IC 100 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 200 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Collector current – Kollektorstrom 1 2 3 DC Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BC846A ... BC850C Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis VCE = 5 V, IC = 10 µA Group A Group B Group C hFE – – – 90 150 270 – – – VCE = 5 V, IC = 2 mA Group A Group B Group C hFE 110 200 420 180 290 520 220 450 800 VCEsat – – 90 mV 200 mV 250 mV 600 mV VBEsat – – 700 mV 900 mV – – VBE 580 mV – 660 mV – 700 mV 720 mV ICBO – – – – 15 nA 5 µA IEBO – – 100 nA fT – 300 MHz – CCBO – 3.5 pF 6 pF CEBO – 9 pF – Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 1) IC = 10 mA, IB = 0.5 mA IC = 100 mA, IB = 5 mA Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 2) IC = 10 mA, IB = 0.5 mA IC = 100 mA, IB = 5 mA Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 2) VCE = 5 V, IC = 2 mA VCE = 5 V, IC = 10 mA Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 30 V, (E open) VCE = 30 V, Tj = 125°C, (E open) Emitter-Base cutoff current VEB = 5 V, (C open) Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität VEB = 0.5 V, IC = ic = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 420 K/W 2) Dimensions - Maße [mm] 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG BC846A ... BC850C 800 -1 10 hFE V CE = 5V VCE = 5 V 700 600 [A] Ta = 150°C T j = 1 2 5 °C Ta = 125°C 500 400 -2 10 Ta = 75°C T j = -2 5 °C Ta = 25°C 300 200 Ta = -25°C T j = 2 5 °C 100 0 10-3 IC IC 10 -2 [A] 10 T j = 1 5 0 °C T j = 7 5 °C -3 10 -1 0 Typ. DC Current gain vs Collector Current (B) Typ. Kollektor-Basis Stromverhältnis in Abhängigkeit des Kolletorstroms (B) VBE 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 [V] Typical Base-Emitter voltage Typ. Basis-Emitter Spannung 1 IC/IB=20 [V] Ta = 150°C 10-1 Ta = 125°C Ta = 75°C Ta = 25°C Ta = -25°C 10-2 10-3 IC 10 -2 [A] 10 -1 Typ. collector - emitter saturation Voltage Typ. Kollektor - Emitter Sättigungsspannnung 1 10 IC/IB=20 [V] Ta = -25°C Ta = 25°C Ta = 75°C 1 Ta = 125°C 10-1 10-3 IC 10 -2 [A] Ta = 150°C 10 -1 Typical Base-Emitter saturation voltage Typ. Basis-Emitter Sättigungsspannung Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3