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BZT52B10

BZT52B10

  • 厂商:

    DIOTEC(德欧泰克)

  • 封装:

    SOD123F

  • 描述:

    DIODE ZENER 10V 500MW SOD123F

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BZT52B10 数据手册
BZT52B2V4 ... BZT52B39 BZT52B2V4 ... BZT52B39 Ptot = 500 mW VZ = 2.4 V ... 39 V Tjmax = 150°C SMD Planar Zener Diodes SMD Planar Zener-Dioden Version 2021-11-09 Typical Applications Voltage stabilization and regulators (For overvoltage protection see TVS diodes SMF series) Commercial / industrial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) Features ~ ±2% tolerance of Zener voltage Sharp Zener voltage breakdown Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) SPICE Model & STEP File 1) Typische Anwendungen Spannungsstabilisierung und -regler (Für Überspannungsschutz siehe TVS-Diodenreihe SMF) Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) RoHS EE WE Pb EL V SOD-123F Besonderheiten ~ ±2% Toleranz der Zener-Spannung Scharfer Zenerspannungsabbruch Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled Marking Type Code 3000 / 7“ Weight approx. HS Code 85411000 Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Zener voltages and Type Codes see table on next page Zener-Spannungen und Typ-Kodierungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Power dissipation – Verlustleistung Ptot 500 mW 3) Junction/Storage temperature – Lagerungs-/Sperrschichttemperatur Tj/S -50...+150°C Characteristics Kennwerte Typ. thermal resistance junction to ambient – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung RthA 300 K/W 3) Typ. thermal resistance junction to terminal – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss RthT 240 K/W 120 15 [%] 5,1 [mA] 100 4,7 10 80 5,6 8,2 6,8 6,2 7,5 10 9,1 4,3 3,9 60 I Z = 5 mA 5 40 IZ 20 3,0 2,7 2,4 2,0 0 Ptot 0 3,6 3,3 0 VZ 2 3 4 5 6 7 8 10 [V] Zener Voltage vs. Zener current – Abbruchspannung über Zenerstrom 0 TA 50 100 150 [°C] 3 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.3) 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Lötpads je Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BZT52B2V4 ... BZT52B39 Characteristics (Tj = 25°C unless otherwise specified) Type Typ Q ) -Q ) Code 1) 1 ) -AQ A Kennwerte (Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben) Z-voltage range 2) Dynamic resistance Z-Spannungs-Bereich 1) Diff. Widerstand IZ = 5 mA rzj [Ω] at f = 1 kHz VZ min [V] Temp. Coefficient of Z-voltage …der Z-Spannung Reverse voltage Sperrspannung VR at/bei IR Z-current 3) Z-Strom 2) TA = 25°C VZ max [V] IZ = 5 mA αVZ [10-4 /°C] VR [V] IR [µA] IZmax [mA] -9...-6 1 120 189 BZT52B2V4 9C/5Y1 2.20 2.65 < 100 BZT52B2V7 9D/5Z1 2.65 2.95 < 110 -9...-6 1 120 169 BZT52B3V0 9E/6A1 2.95 3.25 < 120 -8...-5 1 120 154 BZT52B3V3 9F/6B1 3.25 3.55 < 120 -8...-5 1 50 141 BZT52B3V6 9H/6C1 3.60 3.84 < 100 -8...-5 1 20 130 BZT52B3V9 9J/6D1 3.89 4.16 < 100 -8...-5 1 10 120 BZT52B4V3 9K/6E1 4.17 4.43 < 100 -6...-3 1 5 113 BZT52B4V7 9M/6F1 4.55 4.75 < 100 -5...+2 1 5 105 -2...+2 1 2 96 BZT52B5V1 9N/6G1/tbd 4.98 5.20 < 80 BZT52B5V6 Q) 9P/6H1 5.49 5.73 < 60 -5...+5 1.5 2 87 BZT52B6V2 9R/6J1 6.06 6.33 < 60 -3...+6 2.5 1 79 BZT52B6V8 Q) 9X/6K1 6.65 6.93 < 40 +3...+7 3 1 72 BZT52B7V5 Q) 9Y/6L1 7.28 7.60 < 30 +3...+7 3.5 0.5 66 BZT52B8V2 9Z/6M1 8.02 8.36 < 30 +8...+7 4 0.5 60 BZT52B9V1 Q) 0A/6N1 8.85 9.23 < 30 +3...+9 5 0.5 54 Q QA ) BZT52B10 ) 0B/6P1 9.77 10.21 < 30 +3...+10 6 0.5 49 BZT52B11 0C/6Q1 10.76 11.22 < 30 +3...+11 7 0.1 45 BZT52B12 0D/6R1 11.74 12.24 < 30 +3...+11 8 0.1 41 BZT52B13 0E/6S1 12.91 13.49 < 37 +3...+11 9 0.1 37 BZT52B15 0F/6T1 14.34 14.98 < 42 +3...+11 10 0.1 33 BZT52B16 Q) 0H/6U1 15.85 16.51 < 50 +3...+11 11 0.1 30 BZT52B18 0J/6W1 17.56 18.35 < 65 +3...+11 12 0.1 27 BZT52B20 Q) 0K/6X1 19.52 20.39 < 85 +3...+11 13 0.1 25 BZT52B22 0M/6Y1 21.54 22.47 < 100 +4...+12 15 0.1 22 BZT52B24 Q) 0N/6Z1 23.72 24.78 < 120 +4...+12 17 0.1 20 BZT52B27 0P/7A1 26.19 27.53 < 150 +4...+12 19 0.1 18 BZT52B30 0R/7B1 29.19 30.69 < 200 +4...+12 21 0.1 16 BZT52B33 0X/7C1 32.15 33.79 < 250 +4...+12 23 0.1 15 BZT52B36 0Y/7D1 35.07 36.87 < 300 +4...+12 25 0.1 14 BZT52B39 0Z/7E1 41.00
BZT52B10
物料型号:BZT52B2V4至BZT52B39,这些是不同电压等级的齐纳二极管。

器件简介:这些二极管用于电压稳定和调节,具有±2%的齐纳电压容差,尖锐的齐纳电压击穿,低漏电流,符合RoHS、REACH和冲突矿产法规。

引脚分配:文档中未明确说明引脚分配,但通常SOD-123F封装的二极管有一个阳极和一个阴极。

参数特性:包括最大功耗(500 mW)、结温/储存温度(-50°C至+150°C)、典型热阻(RtA为300 K/W,RtT为240 K/W)。

功能详解:文档提供了详细的电气特性表,包括在5 mA下的齐纳电压范围、动态电阻、温度系数、反向电压和最大反向电流。

应用信息:适用于商业/工业级应用,有符合AEC-Q101标准的型号。

封装信息:SOD-123F封装,重量大约3000/7",外壳材料为UL 94V-0,焊接和组装条件为260°C/10s,MSL等级为1。
BZT52B10 价格&库存

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BZT52B10
  •  国内价格
  • 25+0.27406
  • 100+0.22111
  • 500+0.19919
  • 725+0.15092
  • 1950+0.14254
  • 12000+0.14218

库存:3000

BZT52B10
    •  国内价格
    • 25+1.74519
    • 100+0.77764
    • 500+0.43887
    • 700+0.33706
    • 1625+0.24467

    库存:3000