DI2579N

DI2579N DI2579N IC =1A hFE = 15 ... 30 Tjmax = 150°C SMD High Voltage NPN Transistors SMD Hochspannungs-NPN-Transistoren VCES = 700 V Ptot = 1.25 W Version 2019-12-17 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) 6.5 ±0.2 1.65 ±0.1 3 0.7 2.3 2 3 3.25 Features High collector emitter voltage Low saturation voltage Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Mechanical Data 1) Taped and reeled 1 = B 2/4 = C 3 = E Dimensions - Maße [mm] RoHS Pb EE WE 1 7 ±0.3 Type Code 3.5 ±0.2 4 EL V SOT-223 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) Besonderheiten Hohe Kollektor-Emitterspannung Niedrige Sättigungsspannung Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanische Daten 1) 4000 / 13“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.04 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) DI83003N Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B-E short VCES 700 V Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 400 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 9V Ptot 1.25 W 3) Power dissipation Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom DC IC 1A Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom t < 5 ms ICM 2A Base current – Basisstrom DC IB 500 mA Peak Base current – Basis-Spitzenstrom t < 5 ms IBM 1000 mA Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 100 mm2 copper pad at collector terminal 4 Montage auf Leiterplatte mit 100 mm2 Kupferbelag (Lötpad) am Kollektor-Anschluss 4 © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 DI2579N Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. hFE 15 4 20 – 30 – ) VCEsat – – 1V ) VBEsat – – 1V ICES – – 1 mA tr ts – 1.5 µs – 0.1 µs 2.9 µs DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis IC = 350 mA IC = 1000 mA VCE = 5 V ) 1 Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 350 mA IB = 50 mA 1 Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung IC = 350 mA IB = 50 mA 1 Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 700 V B-E short Switching times – Schaltzeiten IC = 100 mA resistive load Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA 80 K/W 2) 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) 1 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 100 mm2 copper pad at the collector terminal Montage auf Leiterplatte mit 100 mm2 Kupferbelag (Lötpad) am Kollektor-Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG