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ER3B

ER3B

  • 厂商:

    DIOTEC(德欧泰克)

  • 封装:

    SMC(DO-214AB)

  • 描述:

    DIODE SFR SMC 100V 3A

  • 数据手册
  • 价格&库存
ER3B 数据手册
ER3A ... ER3M ER3A ... ER3M IFAV = 3.0 A VF1 < 1.0 V Tjmax = 150°C Superfast Recovery SMD Rectifier Diodes SMD-Gleichrichterdioden mit superschnellem Sperrverzug VRRM = 50...1000 V IFSM = 100 A trr < 35...75 ns Version 2015-10-26 2.2±0.3 2.1±0.2 7.9±0.2 0.15 Besonderheiten VRRM bis zu 1000 V Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb Mechanical Data 1) 3 Type Typ Features VRRM up to 1000 V Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Gleichrichtung hoher Frequenzen Schnelles Schalten Standardausführung 1) EE WE 5.8±0.2 1.2 Typical Applications Rectification of higher frequencies, High speed switching Commercial grade 1) EL V ~ SMC / ~ DO-214AB Taped and reeled Weight approx. 7.2 ±0.5 Dimensions - Maße [mm] Mechanische Daten 1) 3000 / 13“ Gegurtet auf Rolle 0.21 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] ER3A 50 50 ER3B 100 100 ER3D 200 200 ER3G 400 400 ER3J 600 600 ER3K 800 800 ER3M 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 3A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 15 A 3) Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 100 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 50 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 ER3A ... ER3M Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] ER3A...ER3D < 35 < 1.0 3 ER3G < 35 < 1.25 3 ER3J...ER3M < 75 < 1.7 3 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapzität VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 300 µA VR = 4 V Cj 20 pF Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 40 K/W 2) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthL < 10 K/W 10 120 [%] [A] 100 ER3A...D 1 ER3G 80 ER3J...M 0.1 60 40 10 20 -2 IF IFAV 0 0 TT 50 100 150 10 -3 0 .2 V F 0 .6 [°C] Tj = 25°C 1 .0 1 .4 1 .8 [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG

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