SBJ2640

SBJ2620 ... SBJ2645 SBJ2620 ... SBJ2645 Schottky Barrier Rectifier Diodes – Single Diode Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden – Einzeldiode Version 2010-09-30 10.1±0.3 Ø 3.2 15 4.5±0.2 ± 0 .3 ±0.2 2.6±0.2 ± 0 .2 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Isolated plastic case Isoliertes Kunststoffgehäuse 1 3 26 A 20...45 V ITO-220AC 1.8 g ±0 . 3 1 2.6±0.2 13.6 3 1.3 8.4 Type Typ 2.7 Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen 0.6 ±0.1 0.7±0.2 5.08±0.1 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 20 30 40 45 Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 20 30 40 45 3. 8 Grenz- und Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A IF = 26 A < 0.58 < 0.58 < 0.58 < 0.58 < 0.50 < 0.50 < 0.50 < 0.50 SBJ2620 SBJ2630 SBJ2640 SBJ2645 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb TC = 100°C f > 15 Hz SBJ2620... TA = 25°C SBJ2645 TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj Tj 18 A 55 A 2) 280/320 A 390 A2s -50...+150°C ≤ 200°C 1 2 Tj = 25°C Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 SBJ2620 ... SBJ2645 Characteristics Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR RthC Kennwerte < 500 µA < 20 mA < 3.0 K/W 120 [%] 100 102 [A] SBJ2620...SBJ2645 10 80 1 60 40 10-1 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 [°C] IF 10 -2 0 Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG