UGB8AT

UGB8AT ... UGB8JT UGB8AT ... UGB8JT Superfast Efficient SMD Rectifier Diodes Superschnelle SMD-Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad IFAV = 8 A VF1 < 0.90 V Tjmax = 150°C VRRM = 50...600 V IFSM = 112/125 A trr1 < 25 ns Version 2017-12-19 TO-263AB (D²PAK) 1.2 4.5 4 Type Typ 1 2 3 1.3 0.8 RoHS Mechanical Data 1) 5.08 0.4 Besonderheiten Extrem niedrige Sperrverzugszeit Niedrige Fluss-Spannung Hohe Leistungsfähigkeit Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Pb EE WE Features Extremely low reverse recovery time Low forward voltage drop High power dissipation Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) 10.25 ±0.5 ±0.2 Typische Anwendungen Gleichrichtung hoher Frequenzen Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad Standardausführung 1) EL V Typical Applications Rectification of higher frequencies High efficient switching stages Commercial grade 1) Packed in tubes/cardboards On request: on 13” reel 4 K Weight approx. 1 2 3 Dimensions - Maße [mm] Mechanische Daten 1) 50/1000 800 Verpackt in Stangen/Kartons Auf Anfrage: uf 13” Rolle 1.6 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 245°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] UGB8AT 50 50 UGB8BT 100 100 UGB8DT 200 200 UGB8GT 400 400 UGB8JT 600 600 Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung TC = 100°C 3) IFAV 8A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TC = 100°C 3) IFRM 22 A Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 112 A 125 A t < 10 ms i2t 62 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+175°C Rating for fusing Grenzlastintegral Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 UGB8AT ... UGB8JT Characteristics Kennwerte Type Typ Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C Forward voltage Durchlass-Spannung Reverse recovery time Sperrverzugszeit VF [V] @ IF [A] VF [V] @ IF [A] trr [ns] 1) trr [ns] 2) UGB8AT ... UGB8DT < 0.90 5 < 1.0 8 < 25 < 35 UGB8GT < 1.15 5 < 1.25 8 < 35 < 45 UGB8JT < 1.60 5 < 1.75 8 < 35 < 45 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazität VR = VRRM IR < 5 µA VR = 4 V Cj 50 pF Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 2.5 K/W 3) 102 120 [%] [A] 100 10 80 Tj = 125°C Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TC 50 100 150 10-2 0.4 [°C] 200a-(5a-0.95v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 3 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A IF = 1.0 A, di/dt = -50 A/µs, VR = 30 V Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG