SG-710ECK

Crystal oscillator 高周波水晶発振器 シリーズ 製品型番（１ページを参照） 1.5 mm厚の薄型セラミックパッケージ 高密度実装で優れた耐環境特性 ● CMOS ICによる低消費電流 ● アウトプットイネーブル機能（OE）、スタンバイ機能 （ST） に  よる低消費電流対応が可能 ● ● 原寸大 ■仕 様（特性） 項     目 出力周波数範囲 電源電圧 最大供給電圧 動 作 電 圧 保 存 温 度 温度範囲 動 作 温 度 周波数安定度 記 号 f0 仕  様 SG-710PTK   ∼ SG-710PHK ∼ ∼ ∼   ∼ （ 、： × 単品での保存 P. 31製品別周波数帯を参照して ださい く B, C: -10 ∼+70 -40 ∼+85 F0 ≦ 25 MHz, 無負荷 ECK F0 ≦ 32 MHz, 無負荷） （： F0 ≦ 50 MHz, 無負荷 F0 ≦ 67 MHz, 無負荷 F0 ≦ 80 MHz, 無負荷 F0 ≦ 25 MHz, OE=GND (PTK, PHK) F0 ≦ 50 MHz, OE=GND (PTK, PHK) F0 ≦ 67 MHz, OE=GND (PTK, PHK) F0 ≦ 80 MHz, OE=GND (PTK, PHK) （ ∼ ー × × SG-710ECK ∼ 条    件 P. 31製品別周波数帯を参照して ださい く VDD-GND VDD TSTG TOPR △f / f0 ： × ∼ 、： ） × 消 費 電 流 lOP ー ー ー ー ー ー ー ー ∼ ∼ ディセーブル時電流 lOE ー ー ー ー ∼ スタンバイ時電流 デ ュー テ ィ “H”レベル出力電圧 “L”レベル出力電圧 出力負荷条件 T T L ） （ 出力負荷条件 C MO S ） （ “H”レベル入力電圧 “L”レベル入力電圧 出力上昇時間 出力下降時間 発振開始時間 経 時 変 化 耐 衝 撃 性 lST tW / t VOH VOL N CL VIH VIL tTLH tTHL tOSC fa S. R. 負荷： 負荷： （ （ ） ） ） レベル レベル （ （ ） ） ー × × 端子（ 端子（ 負荷： → ー ー ） ） レベル ー ー ー ５ × × ー 年 負荷： → レベル レベル 負荷： → 負荷： → レベル 最小値動作電圧時の を とする ， 硬木上 × × × 初年度 回または × 方向 ■外形寸法図 #4 #3 #3 1. 4 #4 （単位： NO. W 2. 6 2 ピン端子 GND ） ■推奨はんだ付けパターン図 （単位： 1. 8 ） 1  OE or ST 3   OUT 2. 0 4. 2 5. 08 #1 L #2 #2 5. 08 #1 4   VDD ■端子説明 5. 08 OE端子 PTK, PHK, PTW, PHW, PCW） （ OE端子= H” “Open”OUT端子に所定の周波数を出力 “ or ： OE端子= L ”出力停止、 UT端子は、 イ ン ーダンス “： O ハイピ W 4. 8±0. 2 5. 0±0. 2 H 1. 3±0. 1 1. 4   -0. 15 +0. 1 H L ＊ SG-710 ＊Ｋ ＊ SG-710 ＊W 7. 3±0. 2 7. 0±0. 2 ST端子 STW, SHW, SCW） （ ST端子= H” “Open”OUT端子に所定の周波数を出力 “ or ： ST端子= L ”発振停止、 UT端子は、 ィ ク ルダウ “： O ウー プ ン ST端子 ECK） （ ST端子= H” “Open”OUT端子に所定の周波数を出力 “ or ： ST端子= L ”発振停止、 UT端子は、 イ ン ーダンス “： O ハイピ 37 Crystal oscillator ■仕 様（特性） 項     目 出力周波数範囲 電源電圧 温度範囲 記 号 fO SG-710PTW SG-710STW 仕        様 SG-710PHW SG-710SHW SG-710PCW SG-710SCW 条      件 P. 31製品別周波数帯を参照して ださい く 80. 0001 MHz∼135. 0000 MHz -0. 5 V∼+7. 0 V 最 大 供 給 電 圧 VDD-GND 動 作 電 圧 VDD 保 存 温 度 TSTG 動 作 温 度 TOPR  f / fO lOE lST lOP 67. 0001 MHz ∼135. 0000 MHz 周波数安定度 ディセーブル時電流 スタンバイ時電流 デ ュー テ ィ 消 費 電 流 5. 0 V±0. 5 V 3. 3 V±0. 3 V -55 ˚C∼+125 ˚C -20 ˚C∼+70 ˚C -40 ˚C∼+85 ˚C Ｂ: ±50 × 10-6 Ｃ: ±100 × 10-6 ー 45 mA Max. P. 31製品別周波数帯を参照して ださい く -20 ˚C∼+70 ˚C -40 ˚C∼+80 ˚C 単品での保存 tW / t VOH VOL CL VIH VIL tTLH “H ”レベル出力電圧 “L ”レベル出力電圧 出力負荷条件（ C MO S ） “H ”レベル入力電圧 “L ”レベル入力電圧 出力上昇時間 30 mA Max. 16 mA Max. 50 µA Max. 40 %∼60 % ー 40 %∼60 % ー VDD-0. 4 V Min. 0. 4 V Max. – – 15 pF 25 pF M: ±100 × 10-6 28 mA Max. ST=GND (S＊W) CMOS負荷：1 / 2VDDレベル TTL負荷：1. 4 Vレベル I OH=-16 mA(＊TW/＊HW)/-8 mA(＊CW) I OL=16 mA(＊TW/＊HW)/8 mA(＊CW) f0≦135 MHz f0≦135 MHz f0≦125 MHz OE, ST端子 OE, ST端子 f0≦90 MHz 無負荷 (fo=Max. 値 ) OE=GND (P＊W) 5 TTL + 15 pF – – 2. 0 V Min. 0. 8 V Max. 2. 0 ns Max. 15 pF – – 15 pF – 0. 7 VDD Min. 0. 2 VDD Max. 出力下降時間 発振開始時間 経 時 変 化 耐 衝 撃 性 tTHL tOSC fa S. R. 4. 0 ns Max. ー 2. 0 ns Max. 4. 0 ns Max. ー ー ー 3. 0 ns Max. ー ー ー ー 3. 0 ns Max. 10 ms Max. -6 ±5 × 10 / 年 Max. ±20 × 10-6 Max. 3. 0 ns Max. ー ー 3. 0 ns Max. TTL負荷: 0. 8 V → 2. 0 V, CL=Max. TTL負荷: 0. 4 V → 2. 4 V, CL=Max. CMOS負荷: 20 % VDD → 80 % VDD, CL=Max. TTL負荷: 2. 0 V → 0. 8 V, CL=Max. TTL負荷: 2. 4 V → 0. 4 V, CL=Max. CMOS負荷: 80 % VDD → 20 % VDD, CL=Max. 最小値動作電圧のtを０とする Ta=+25 ˚C, VDD=5 V / 3. 3 V, 初年度 硬木上750 mm × 3回または 29400 m/s2 × 0.3 ms × 1/2 Sine Wave × 3方向 38