D291S45TXPSA1

European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information D 291 S ø3,5+0, deepth = 4±0,2 on both C A Applikation: Beschaltungsdiode zu GTO - Vorrichtungen Application: Snubberdiode at GTO - Inverter VWK January Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 291 S Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage 3500V, 4000 V tvj = -40°C...140°C VRRM Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...140°C Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current Dauergrenzstrom / mean forward current 4500 V 3600V, 4100 tC = 85°C VRSM 4600 V IFRMSM 700 A IFAVM 290 A IFSM 5200 A tC = 51°C Stoßstrom-Grenzwert1) tvj = 25°C surge forward current1) tvj = 125°C Grenzlastintegral tvj = 25°C I²t-value tvj = 125°C Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit tvj = 125°C, IFM = 3000 A, VRM = 1600 V critical repetitive rate of fall of on - state C = 0,125 µF, R = 6Ω 445 A 4500 A I²t 135000 100000 A²s (-di/dt)com 700 A/µs Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung / forward voltage tvj = 125°C iFM = 1200 A VF Schleusenspannung / threshold voltage tvj = 125°c V(TO) Ersatzwiderstand / forward slope resistance tvj = 125°C rT 1,76 mΩ Sperrstrom / reverse current tvj = 125°C, vR = 0,67 VRRM iR ca. 30 mA tvj = 125°C, vR = VRRM Rückstromspitze / peak reverse recovery current iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/µs 4,15 V 1,9 V 50 mA IRM 500 A Qrr 950 µAs tvj = 125°C; vR(Spr) = 1000 V; C = 0,125 µF; R = 6Ω Sperrverzögerungsladung iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/µs recovered charge tvj = 125°C; vR(Spr) = 1000 V; C = 0,125 µF; R = 6Ω Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided RthJC 0,04 K/W einseitig / single-sided Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface 0,08 K/W RthCK beidseitig / two-sided 0,006 K/W einseitig / single-sided 0,012 K/W Höchstzulässige Sperrschichttemp. / max. junction temperat. tvjmax Betriebstemperatur / operating temperature tc op -40...+125 °C 125 °C Lagertemperatur / storage temperature tstg -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix Seite / page 1 Anpreßkraft /clamping force F Gewicht / weight G Luftstrecke / air distance 20 mm Kriechstrecke / creepage distance 30 mm Feuchteklasse / humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit / vibration resistance f = 50 Hz Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 9...13 kN ca. 250 g C 50 m/s² D 291 S 0,100 2000 2 iF [A] 0,075 Z(th)JC Z(th)p [K/W] 1500 1 0,050 1000 IFAY 60° 120° 500 IFAY 0,025 IFAY IFAY DC 180° 0 1 2 3 4 5 6 0 0,001 vF [V] D 291 S_01 2 34 68 2 34 68 0,01 0,1 180° 2 34 68 2 34 68 1 10 t [s] 2 34 68 100 D 291 S_02 Fig. 2 Transient thermal impedance DC and impuls current (f = 50 Hz) Fig. 1 On-state characteristics iF = f(VF) tvj = 125°C Parameter: Current wave form Upper limit of scatter range 1. single-sided cooling 2. both-sided cooling Lower limit of scatter range 0,030 300 f = 50 Hz 0,025 ∆rth [K/W] VFRM [V] f = 60 Hz 0,020 200 0,015 f = 100 Hz 100 0,010 f = 200 Hz VFRM 0,005 f = 500 Hz 0 0 10 20 30 40 D 291 S_03 Fig. 3 ∆ rth = f(ED, frequency) Both-sided and one-sided cooling Current wave form:: squarewave Parameter: frequency 50 60 70 80 ED [%] λ [°el] 90 500 100 1000 1500 2000 -di/dt [A/µs] D 291 S_08 Fig. 4 Peak forward recovery voltage (typical values) tvj = 125°C tvj = 25°C 2500 D 291 S 1000 1000 9 IFM = 3000A 4 1000A 600A 300A 3 100A 5 IRM [A] 9 7 7 5 IFM = 3000A 4 IRM [A] 3 1000A 600A 300A 100A 2 2 100 100 9 9 7 7 5 5 4 4 IFM 3 2 10 10 Qrr -di/dt IRM 2 3 4 5 6 7 89 2 3 3 IFM 2 VR(Spr) 4 100 5 6 7 89 1000 10 10 Qrr -di/dt IRM 2 3 4 5 6 7 89 2 VR(Spr) 3 4 100 -di/dt [A/µs] 5 6 7 89 1000 -di/dt [A/µs] D 291 S_04 D 291 S_05 Fig. 5 Reverse recovery current (upper limit ca. 98% value) IRM = f(di/dt) Fig. 6 Reverse recovery current (lower limit ca. 2% value) IRM = f(di/dt) Parameter: IFM tvj ≤ 125°C; CS = 0,125 µF RS = 6 Ω; VR(Spr) = 1000 V Parameter: IFM tvj ≤ 125°C; CS = 0,125 µF RS = 6 Ω; VR(Spr) = 1000 V 1000 2 IFM = 3000A 2000A 1000 1000A 600A Qrr [µAs] 700 IFM = 3000A 2000A 700 1000A Qrr [µAs] 500 300A 500 600A 400 300A 5 400 2 100A 5 300 2 100A 300 200 IFM 200 -di/dt IRM 7 5 4 3 2 2 3 4 10 5 6 7 8 9 2 7 Qrr 3 VR(Spr) 4 100 IFM 5 4 3 5 6 7 89 1000 Qrr -di/dt IRM VR(Spr) 2 100 10 2 3 4 5 6 7 89 2 3 4 100 1000 -di/dt [A/µs] -di/dt [A/µs] 5 6 7 89 D 291 S_07 D 291 S_06 Fig. 7 Reverse recovery charge (upper limit ca. 98% value) Qrr = f(di/dt) Fig. 8 Reverse recovery charge (lower limit ca. 2% value) Qrr = f(di/dt) Parameter: IFM tvj ≤ 125°C; CS = 0,1 µF RS = 6 Ω; VR(Spr) = 1000 V Parameter: IFM tvj ≤ 125°C; CS = 0,1 µF RS = 6 Ω; VR(Spr) = 1000 V Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produkte s für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale besch rieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließl ich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaft en keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenbl atts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessent en halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produktsundheitsgefährdende ge Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenenubstanzen S setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichennzusetzen, ei bitten wir um Mitteilung. Wir we isen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen ualitätssicherungsvereinbarungen; Q - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung onvder Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produkt datenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product dataheet s is exclusively intended for technically trained staff. You and your technicalartments dep will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty granted is exclusively pursuant the terms and conditi ons of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product nd its a characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet which or concerns the specific application of our product, pleaseontact c the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact).orF those that are specifically interested we may provide application notes. 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