DF200R12W1H3FB11BOMA1

DF200R12W1H3F_B11 EasyPACKModulmitschnellemTrench/FeldstoppHigh-Speed3IGBTundSiCDiodeundPressFIT/NTC EasyPACKmodulewithfastTrench/FieldstopHigh-Speed3IGBTandSiCdiodeandPressFIT/NTC J VCES = 1200V IC nom = 30A / ICRM = 60A TypischeAnwendungen • SolarAnwendungen TypicalApplications • Solarapplications ElektrischeEigenschaften • CoolSiC(TM)SchottkyDiodeGen5 • HighSpeedIGBTH3 • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • CoolSiC(TM)Schottkydiodegen5 • HighspeedIGBTH3 • Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • IntegrierterNTCTemperaturSensor • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik MechanicalFeatures • Al2O3substratewithlowthermalresistance • IntegratedNTCtemperaturesensor • Compactdesign • PressFITcontacttechnology ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.1 2017-03-31 DF200R12W1H3F_B11 VerpolschutzDiodeA/Inverse-polarityprotectiondiodeA HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  1200  V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TH = 60°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM  50  A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TH = 60°C IRMSM  60  A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM  360 290  A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t  650 420  A²s A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 30 A VF 0,95 V Ersatzwiderstand Sloperesistance Tvj = 150°C rT 0,10 mΩ Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1200 V IR 0,10 mA Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 1,60 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet Tvj op 2 -40 150 °C V3.1 2017-03-31 DF200R12W1H3F_B11 IGBT-Chopper/IGBT-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES  1200  V ICN  100  A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom  30  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  200  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,30 1,35 1,35 1,45 V V V 5,80 6,45 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 3,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,80 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,15 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,345 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 600 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 2200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 4,7 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,05 0,018 0,017 0,017 µs µs µs 0,01 0,01 0,01 µs µs µs 0,30 0,40 0,44 µs µs µs 0,014 0,03 0,035 µs µs µs Eon 0,73 0,78 0,80 mJ mJ mJ IC = 30 A, VCE = 600 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 4,7 Ω Tvj = 150°C Eoff 1,30 2,00 2,40 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 360 A Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT 0,700 K/W tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C tr td off tf RthJH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet td on Tvj op 3 -40 150 °C V3.1 2017-03-31 DF200R12W1H3F_B11 Diode-Chopper/Diode-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 25°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 1200  V IF  30  A IFRM  30  A I²t  295 215  CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 1,75 VF 1,45 1,75 1,85 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 10,0 10,0 10,0 A A A IF = 30 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 0,30 0,50 0,50 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 30 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,06 0,06 0,06 mJ mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 0,872 K/W Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 V V V °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 4 V3.1 2017-03-31 DF200R12W1H3F_B11 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  11,5 6,3  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0 5,0  mm  > 200  VISOL  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature typ. max. LsCE 30 nH RCC'+EE' 5,00 mΩ Tstg Gewicht Weight  kV 2,5 G -40 125 24 °C g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin. Datasheet 5 V3.1 2017-03-31 DF200R12W1H3F_B11 DurchlasskennliniederVerpolschutzDiodeA(typisch) forwardcharacteristicofInverse-polarityprotectiondiodeA (typical) IF=f(VF) AusgangskennlinieIGBT-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 60 60 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 50 50 40 40 IC [A] IF [A] Tvj = 25°C Tvj = 150°C 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 VF [V] 1,0 1,2 0 1,4 AusgangskennlinienfeldIGBT-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VCE [V] 1,4 1,6 1,8 2,0 60 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 50 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 50 40 IC [A] 40 IC [A] 0,2 ÜbertragungscharakteristikIGBT-Chopper(typisch) transfercharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 60 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,0 Datasheet 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 5 6 7 8 9 10 VGE [V] 6 V3.1 2017-03-31 DF200R12W1H3F_B11 SchaltverlusteIGBT-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=4.7Ω,RGoff=4.7Ω,VCE=600V SchaltverlusteIGBT-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=30A,VCE=600V 4,5 6,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 4,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 5,5 5,0 3,5 4,5 4,0 3,5 2,5 E [mJ] E [mJ] 3,0 2,0 3,0 2,5 1,5 2,0 1,5 1,0 1,0 0,5 0,0 0,5 0 10 20 30 IC [V] 40 50 0,0 60 TransienterWärmewiderstandIGBT-Chopper transientthermalimpedanceIGBT-Chopper ZthJH=f(t) 0 5 10 15 20 25 30 RG [Ω] 35 40 45 50 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT-Chopper(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT-Chopper(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=4.7Ω,Tvj=150°C 10 70 ZthJH : IGBT IC, Modul IC, Chip 60 50 1 IC [A] ZthJH [K/W] 40 30 0,1 20 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,02368 0,04588 0,23088 0,40182 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,01 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 0 10 7 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 1400 V3.1 2017-03-31 DF200R12W1H3F_B11 DurchlasskennliniederDiode-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode-Chopper(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch) switchinglossesDiode-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=4.7Ω,VCE=600V 60 0,100 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 50 0,075 E [mJ] IF [A] 40 30 0,050 20 0,025 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch) switchinglossesDiode-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=600V 0,000 0 10 20 30 IF [A] 40 50 60 TransienterWärmewiderstandDiode-Chopper transientthermalimpedanceDiode-Chopper ZthJH=f(t) 0,100 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJH : Diode 0,075 ZthJH [K/W] E [mJ] 1 0,050 0,1 0,025 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0826 0,1677 0,1406 0,4811 τi[s]: 0,0006689 0,006093 0,03314 0,1735 0,000 0 Datasheet 5 10 15 20 25 RG [Ω] 30 35 40 45 0,01 0,001 8 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.1 2017-03-31 DF200R12W1H3F_B11 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 Datasheet 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 9 V3.1 2017-03-31 DF200R12W1H3F_B11 Schaltplan/Circuitdiagram J Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 10 V3.1 2017-03-31 TrademarksofInfineonTechnologiesAG µHVIC™,µIPM™,µPFC™,AU-ConvertIR™,AURIX™,C166™,CanPAK™,CIPOS™,CIPURSE™,CoolDP™,CoolGaN™,COOLiR™, CoolMOS™,CoolSET™,CoolSiC™,DAVE™,DI-POL™,DirectFET™,DrBlade™,EasyPIM™,EconoBRIDGE™,EconoDUAL™, EconoPACK™,EconoPIM™,EiceDRIVER™,eupec™,FCOS™,GaNpowIR™,HEXFET™,HITFET™,HybridPACK™,iMOTION™, IRAM™,ISOFACE™,IsoPACK™,LEDrivIR™,LITIX™,MIPAQ™,ModSTACK™,my-d™,NovalithIC™,OPTIGA™,OptiMOS™, ORIGA™,PowIRaudio™,PowIRStage™,PrimePACK™,PrimeSTACK™,PROFET™,PRO-SIL™,RASIC™,REAL3™,SmartLEWIS™, SOLIDFLASH™,SPOC™,StrongIRFET™,SupIRBuck™,TEMPFET™,TRENCHSTOP™,TriCore™,UHVIC™,XHP™,XMC™  TrademarksupdatedNovember2015  OtherTrademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2017-03-31 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2017InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. 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