FD1000R33HL3KBPSA1

FD1000R33HL3-K IHM-BModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode IHM-BmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode VCES = 3300V IC nom = 1000A / ICRM = 2000A PotentielleAnwendungen • Chopper-Anwendungen • Mittelspannungsantriebe • Motorantriebe • Traktionsumrichter • USV-Systeme • Windgeneratoren PotentialApplications • Chopperapplications • Mediumvoltageconverters • Motordrives • Tractiondrives • UPSsystems • Windturbines ElektrischeEigenschaften • GroßeDC-Festigkeit • HoheKurzschlussrobustheit • NiedrigesVCEsat • SehrgroßeRobustheit • Tvjop=150°C • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten ElectricalFeatures • HighDCstability • Highshort-circuitcapability • LowVCEsat • Unbeatablerobustness • Tvjop=150°C • VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient MechanischeEigenschaften • AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische Lastwechselfestigkeit • GehäusemitCTI>600 • IHMBGehäuse • IsolierteBodenplatte MechanicalFeatures • AlSiC base plate for increased thermal cycling capability • PackagewithCTI>600 • IHMBhousing • Isolatedbaseplate ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.3 2019-07-24 FD1000R33HL3-K IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = -40°C Tvj = 150°C VCES  3300 3300  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 95°C, Tvj max = 150°C ICDC  1000  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  2000  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,40 2,95 3,10 2,85 3,50 V V V 5,80 6,40 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 1000 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 48,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 1800 V QG 28,0 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,63 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 190 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 4,00 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 3300 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 1000 A, VCE = 1800 V VGE = -15 / 15 V RGon = 0,75 Ω, CGE = 220 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 1000 A, VCE = 1800 V VGE = -15 / 15 V RGon = 0,75 Ω, CGE = 220 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 1000 A, VCE = 1800 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 4,1 Ω, CGE = 220 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 1000 A, VCE = 1800 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 4,1 Ω, CGE = 220 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 1000 A, VCE = 1800 V, Lσ = 85 nH di/dt = 3000 A/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 0,75 Ω CGE = 220 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 1000 A, VCE = 1800 V, Lσ = 85 nH du/dt = 1550 V/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 4,1 Ω CGE = 220 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 2500 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf Eon Eoff ISC 0,36 0,40 0,40 µs µs µs 0,37 0,40 0,40 µs µs µs 4,10 4,30 4,30 µs µs µs 0,40 0,40 0,40 µs µs µs 1550 2150 2400 mJ mJ mJ 1600 1950 2050 mJ mJ mJ 4300 A RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 5,20 2 11,0 K/kW 14,5 -40 K/kW 150 °C V3.3 2019-07-24 FD1000R33HL3-K Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = -40°C Tvj = 150°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 150°C Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM  3300 3300  V IF  1000  A IFRM  2000  A I²t  375 325  PRQM  1600  kW ton min  10,0  µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. kA²s kA²s typ. max. VF 2,25 2,20 2,20 2,85 2,75 IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 1100 1200 1250 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 1000 1750 1950 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 1100 2100 2500 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 1000 A, VGE = 0 V IF = 1000 A, VGE = 0 V IF = 1000 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 3 V V V 20,0 K/kW 16,5 -40 K/kW 150 °C V3.3 2019-07-24 FD1000R33HL3-K Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = -40°C Tvj = 150°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 150°C Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM  3300 3300  V IF  1000  A IFRM  2000  A I²t  375 325  PRQM  1600  kW ton min  10,0  µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. kA²s kA²s typ. max. VF 2,25 2,20 2,20 2,85 2,75 IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 1100 1200 1250 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 1000 1750 1950 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 1100 2100 2500 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 1000 A, VGE = 0 V IF = 1000 A, VGE = 0 V IF = 1000 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 4 V V V 21,5 K/kW 16,5 -40 K/kW 150 °C V3.3 2019-07-24 FD1000R33HL3-K Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  6,0  kV Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC VISOL  2,6  kV Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability Tvj = 25°C, 100 fit VCE D  2100  V  AlSiC  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  32,2  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  19,1  mm  > 600  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature max. LsCE 9,0 nH RCC'+EE' RAA'+CC' 0,19 0,28 mΩ Tstg -40 150 °C 4,25 5,75 Nm Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Gewicht Weight typ. G 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 1200 g Modulinduktivität: IGBT (Zweig 1+2 parallel): 9nH; Diode (Zweig 3): 18nH stray inductance module: IGBT (arm 1+2 parallel): 9nH; Diode (arm 3): 18nH Datasheet 5 V3.3 2019-07-24 FD1000R33HL3-K AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 2000 2000 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1800 1800 1400 1400 1200 1200 IC [A] 1600 IC [A] 1600 1000 1000 800 800 600 600 400 400 200 200 0 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 VCE [V] SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=0.75Ω,RGoff=4.1Ω,VCE=1800V,CGE=220 nF 9000 2000 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1800 0 5,0 Eon, Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C 8000 1600 7000 1400 6000 1200 IC [A] E [mJ] 5000 1000 4000 800 3000 600 2000 400 1000 200 0 5 Datasheet 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 6 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 IC [A] V3.3 2019-07-24 FD1000R33HL3-K SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=1000A,VCE=1800V,CGE=220nF TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 12000 100 Eon, Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT 10000 10 E [mJ] ZthJC [K/kW] 8000 6000 4000 1 2000 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 1,36 5,618 2,629 1,49 τi[s]: 0,002 0,036 0,227 4,942 0 0 1 2 3 4 5 RG [Ω] 6 7 8 0,1 0,001 9 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=4.1Ω,Tvj=150°C,CGE=220nF 2500 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 2000 IC, Modul IC, Chip Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1800 2000 1600 1400 1200 IF [A] IC [A] 1500 1000 1000 800 600 500 400 200 0 0 Datasheet 500 1000 1500 2000 VCE [V] 2500 3000 0 3500 7 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VF [V] 2,5 3,0 3,5 V3.3 2019-07-24 FD1000R33HL3-K SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=0.75Ω,VCE=1800V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=1000A,VCE=1800V 3000 3000 Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C 2700 2700 2100 2100 1800 1800 E [mJ] 2400 E [mJ] 2400 1500 1500 1200 1200 900 900 600 600 300 300 0 Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 0 2 4 6 8 10 RG [Ω] 12 14 16 18 SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=150°C 100 2500 ZthJC : Diode IR, Modul 2000 10 IR [A] ZthJC [K/kW] 1500 1000 1 500 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 2,915 5,496 8,721 2,631 τi[s]: 0,002 0,017 0,095 4,5 0,1 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 0 10 8 0 500 1000 1500 2000 VR [V] 2500 3000 3500 V3.3 2019-07-24 FD1000R33HL3-K DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=0.75Ω,VCE=1800V 2000 3000 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1800 2700 2400 1400 2100 1200 1800 IF [A] E [mJ] 1600 1000 1500 800 1200 600 900 400 600 200 300 0 Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VF [V] 2,5 3,0 0 3,5 SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=1000A,VCE=1800V 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Brems-Chopper transientthermalimpedanceDiode,Brake-Chopper ZthJC=f(t) 3000 100 Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C 2700 ZthJC : Diode 2400 2100 10 E [mJ] ZthJC [K/kW] 1800 1500 1200 1 900 600 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 3,099 7,74 6,721 4,002 τi[s]: 0,002 0,024 0,159 4,627 300 0 0 Datasheet 2 4 6 8 10 RG [Ω] 12 14 16 18 0,1 0,001 9 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.3 2019-07-24 FD1000R33HL3-K SichererArbeitsbereichDiode,Brems-Chopper(SOA) safeoperationareaDiode,Brake-Chopper(SOA) IR=f(VR) Tvj=150°C 2500 IR, Modul 2000 IR [A] 1500 1000 500 0 0 Datasheet 500 1000 1500 2000 VR [V] 2500 3000 3500 10 V3.3 2019-07-24 FD1000R33HL3-K Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Datasheet 11 V3.3 2019-07-24 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2019-07-24 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2019InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. 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