FP35R12W2T7BPSA1

FP35R12W2T7 EasyPIM™ModulmitTRENCHSTOP™IGBT7undEmitterControlled7DiodeundNTC EasyPIM™modulewithTRENCHSTOP™IGBT7andEmitterControlled7diodeandNTC VorläufigeDaten/PreliminaryData VCES = 1200V IC nom = 35A / ICRM = 70A PotentielleAnwendungen • Hilfsumrichter • Klimaanlagen • Motorantriebe PotentialApplications • Auxiliaryinverters • Airconditioning • Motordrives ElektrischeEigenschaften • NiedrigesVCEsat • TrenchstopTMIGBT7 • Überlastbetriebbiszu175°C ElectricalFeatures • LowVCEsat • TrenchstopTMIGBT7 • Overloadoperationupto175°C MechanischeEigenschaften • 2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • HoheLeistungsdichte • KompaktesDesign • Lötverbindungstechnik MechanicalFeatures • 2.5kVAC1mininsulation • Al2O3substratewithlowthermalresistance • Highpowerdensity • Compactdesign • Soldercontacttechnology ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.0 2020-05-12 FP35R12W2T7 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 65°C, Tvj max = 175°C ICDC  35  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  70  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 35 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,75 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V QG 0,548 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,62 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,023 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V ICES Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C VGEth Tvj = 25°C IC = 35 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 5,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 35 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 5,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 35 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 5,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 35 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 5,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 35 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH di/dt = 700 A/µs (Tvj = 175°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 5,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 35 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH du/dt = 3300 V/µs (Tvj = 175°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 5,6 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT Datasheet 5,80 V 6,45 0,0058 mA 100 nA 0,037 0,043 0,044 µs µs µs 0,035 0,037 0,038 µs µs µs 0,26 0,32 0,34 µs µs µs 0,14 0,24 0,30 µs µs µs Eon 2,62 3,73 4,45 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Eoff 2,39 3,73 4,56 mJ mJ mJ tP ≤ 8 µs, Tvj = 150°C tP ≤ 7 µs, Tvj = 175°C ISC 110 100 A A RthJH 1,20 K/W td on tr td off tf Tvj op 2 5,15 V V V IGES Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions VCE sat 1,60 t.b.d. 1,74 1,82 -40 175 °C V2.0 2020-05-12 FP35R12W2T7 VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C  35  A IFRM  70  A I²t  150 140  min. IF = 35 A, VGE = 0 V IF = 35 A, VGE = 0 V IF = 35 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 35 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=175°C) VR = 600 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink  V IF CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage 1200 typ. A²s A²s max. VF 1,72 t.b.d. 1,59 1,52 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C IRM 22,4 29,6 34,0 A A A IF = 35 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=175°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Qr 2,46 4,80 6,52 µC µC µC IF = 35 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=175°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Erec 1,12 2,02 2,63 mJ mJ mJ RthJH 1,65 K/W proDiode/perdiode TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 175 °C Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  1600  V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TH = 100°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM  45  A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TH = 100°C IRMSM  50  A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM  450 370  A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t  1010 685  A²s A²s Tvj = 25°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 35 A VF 0,95 V Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 1,36 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet Tvj op 3 -40 150 °C V2.0 2020-05-12 FP35R12W2T7 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 65°C, Tvj max = 175°C ICDC  35  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  70  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 35 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,75 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V QG 0,548 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,62 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,023 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V ICES Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C VGEth Tvj = 25°C IC = 35 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 5,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 35 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 5,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 35 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 5,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 35 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 5,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 35 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH di/dt = 700 A/µs (Tvj = 175°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 5,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 35 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH du/dt = 3300 V/µs (Tvj = 175°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 5,6 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT Datasheet 5,80 V 6,45 0,0039 mA 100 nA 0,035 0,041 0,043 µs µs µs 0,037 0,038 0,041 µs µs µs 0,25 0,31 0,33 µs µs µs 0,11 0,21 0,27 µs µs µs Eon 2,53 3,47 4,21 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Eoff 2,41 3,74 4,58 mJ mJ mJ tP ≤ 8 µs, Tvj = 150°C tP ≤ 7 µs, Tvj = 175°C ISC 110 100 A A RthJH 1,20 K/W td on tr td off tf Tvj op 4 5,15 V V V IGES Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions VCE sat 1,60 t.b.d. 1,74 1,82 -40 175 °C V2.0 2020-05-12 FP35R12W2T7 VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C  10  A IFRM  20  A I²t  27,5 24,0 min. IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=175°C) VR = 600 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink  V IF CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage 1200 typ.  A²s A²s max. VF 1,72 t.b.d. 1,59 1,52 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C IRM 9,83 14,7 16,1 A A A IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=175°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Qr 0,93 1,66 2,13 µC µC µC IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=175°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Erec 0,26 0,51 0,73 mJ mJ mJ RthJH 2,44 K/W proDiode/perdiode TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 175 °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 5 V2.0 2020-05-12 FP35R12W2T7 VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  11,5 6,3  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0 5,0  mm CTI  > 200  RTI  VISOL  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Gehäuse housing Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature  °C 140 min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule  kV 2,5 typ. max. LsCE 30 nH RCC'+EE' RAA'+CC' 5,00 6,00 mΩ Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 Gewicht Weight G 39 125 °C 80 N g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 30 A rms per connector pin. Tvj op > 150°C ist im Überlastbetrieb zulässig. Detaillierte Angaben sind AN 2018-14 zu entnehmen Tvj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14. Datasheet 6 V2.0 2020-05-12 FP35R12W2T7 VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=175°C 70 70 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 60 60 55 55 50 50 45 45 40 40 35 35 30 30 25 25 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0,0 0,5 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 65 IC [A] IC [A] 65 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=5.6Ω,RGoff=5.6Ω,VCE=600V 70 16 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 65 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 175°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 175°C 14 60 55 12 50 45 10 E [mJ] IC [A] 40 35 8 30 6 25 20 4 15 10 2 5 0 5 Datasheet 6 7 8 9 10 VGE [V] 11 12 13 0 14 7 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 IC [A] V2.0 2020-05-12 FP35R12W2T7 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=35A,VCE=600V SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch) switchingtimesIGBT,Inverter(typical) tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC) VGE=±15V,RGon=5.6Ω,RGoff=5.6Ω,VCE=600V,Tvj=175°C 18 10 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 175°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 175°C 16 tdon tr tdoff tf 14 1 10 t [µs] E [mJ] 12 0,1 8 6 0,01 4 2 0 0 10 20 30 RG [Ω] 40 50 60 SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch) switchingtimesIGBT,Inverter(typical) tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG) VGE=±15V,IC=35A,VCE=600V,Tvj=175°C 0,001 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 IC [A] dv/dtIGBT,Wechselrichter(typisch) dv/dtIGBT,Inverter(typical) dv/dt=f(RG) VGE=±15V,IC=35A,VCE=600V,Tvj=25°C 10 13 tdon tr tdoff tf dv/dt-on at 1/10 × Ic dv/dt-off at Ic 12 11 10 9 1 t [µs] dv/dt [V/ns] 8 7 6 5 0,1 4 3 2 1 0,01 0 Datasheet 10 20 30 RG [Ω] 40 50 0 60 8 0 10 20 30 RG [Ohm] 40 50 60 V2.0 2020-05-12 FP35R12W2T7 VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=5.6Ω,Tvj=175°C 80 10 ZthJH : IGBT IC, Modul IC, Chip 70 60 1 IC [A] ZthJH [K/W] 50 40 30 0,1 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,047 0,159 0,289 0,705 τi[s]: 0,000595 0,00866 0,0505 0,198 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 0 10 KapazitätsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) capacitycharacteristicIGBT,Inverter(typical) C=f(VCE) VGE=0V,Tvj=25°C,f=100kHz 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 1400 GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical) VGE=f(QG) IC=35A,Tvj=25°C 100 15 Cies Coes Cres VCE = 600 V 10 10 5 C [nF] VGE [V] 1 0 0,1 -5 0,01 0,001 -10 0 Datasheet 10 20 30 40 50 60 VCE [V] 70 80 90 100 -15 0,00 9 0,10 0,20 0,30 QG [µC] 0,40 0,50 0,60 V2.0 2020-05-12 FP35R12W2T7 VorläufigeDaten PreliminaryData DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=5.6Ω,VCE=600V 70 3,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 65 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 175°C 60 3,0 55 50 2,5 45 2,0 E [mJ] IF [A] 40 35 30 1,5 25 20 1,0 15 10 0,5 5 0 0,00 0,50 1,00 1,50 2,00 0,0 2,50 0 VF [V] SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=35A,VCE=600V 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 3,0 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 175°C ZthJH : Diode 2,5 1 ZthJH [K/W] E [mJ] 2,0 1,5 1,0 0,1 0,5 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,1 0,348 0,747 0,455 τi[s]: 0,000685 0,0115 0,0786 0,323 0,0 0 Datasheet 10 20 30 RG [Ω] 40 50 60 0,01 0,001 10 0,01 0,1 t [s] 1 10 V2.0 2020-05-12 FP35R12W2T7 VorläufigeDaten PreliminaryData DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical) IF=f(VF) TransienterWärmewiderstandDiode,Gleichrichter transientthermalimpedanceDiode,Rectifier ZthJH=f(t) 70 10 Tvj = 25°C Tvj = 150°C 65 ZthJH: Diode 60 55 50 1 45 ZthJH [K/W] IF [A] 40 35 30 25 0,1 20 15 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,066 0,199 0,458 0,637 τi[s]: 0,00216 0,0181 0,0786 0,251 5 0 0,2 0,4 0,6 0,8 VF [V] 1,0 1,2 0,01 0,001 1,4 AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) 70 20 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 65 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 18 60 55 16 50 14 45 12 IF [A] IC [A] 40 35 10 30 8 25 20 6 15 4 10 2 5 0 0,0 Datasheet 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VCE [V] 3,0 3,5 0 4,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VF [V] 11 V2.0 2020-05-12 FP35R12W2T7 VorläufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(TNTC) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 10 0 Datasheet 25 50 75 100 TNTC [°C] 125 150 175 12 V2.0 2020-05-12 FP35R12W2T7 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram J Gehäuseabmessungen/Packageoutlines In fin e o n Datasheet 13 V2.0 2020-05-12 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2020-05-12 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2020InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. 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