FS10R12VT3BOMA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation FS10R12VT3 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 10 16  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  20  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  64,0  W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues  min. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 10 A, VGE = 15 V IC = 10 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C  V 1200 VCE sat A A typ. max. 1,90 2,15 2,45 V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG  0,10  µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  0,0  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  0,70  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,026  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   100 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 10 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on  0,037 0,037  µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 10 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr  0,02 0,025  µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 10 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off  0,29 0,39  µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 10 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf  0,09 0,15  µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 10 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH VGE = ±15 V RGon = 82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon  0,95 1,25  mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 10 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH VGE = ±15 V RGoff = 82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff  0,70 1,10  mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC  1,75 1,95 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,65 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:MB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:IG revision:2.0 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 35  125 A °C TechnischeInformation/TechnicalInformation FS10R12VT3 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent  PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM  1200  V IF  10  A IFRM  20  A I²t  33,0  A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,65 1,65 2,10 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 10 A, - diF/dt = 650 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C IRM  16,0 16,5  A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 10 A, - diF/dt = 650 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Qr  1,20 2,00  µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 10 A, - diF/dt = 650 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Erec  0,38 0,68  mJ mJ RthJC  2,25 2,50 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,70 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL  InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)   Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal   5,0 10,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal   3,2 7,0  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex  CTI  > 225 Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode VF V V 125 °C Modul/Module  kV 2,5    min. typ. max. LsCE  20  nH RCC'+EE' RAA'+CC'  9,00 9,00  mΩ  Tstg -40  125 °C Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp  F 30 - 50 N Gewicht Weight  G  10  g Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule  Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature With additional insulation of the mounting clamp higher values of creepage and clearance distances to the heatsink can be achieved. For more information call your responsible sales representative. preparedby:MB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:IG revision:2.0 2 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS10R12VT3 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 20 20 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 16 16 14 14 12 12 10 10 8 8 6 6 4 4 2 2 0 0,0 0,4 0,8 1,2 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 18 IC [A] IC [A] 18 1,6 2,0 2,4 VCE [V] 2,8 3,2 3,6 0 4,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 16 18 20 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=82Ω,RGoff=82Ω,VCE=600V 20 3,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 18 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 3,0 16 2,5 14 2,0 E [mJ] IC [A] 12 10 1,5 8 6 1,0 4 0,5 2 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0,0 13 preparedby:MB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:IG revision:2.0 3 0 2 4 6 8 10 12 IC [A] 14 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS10R12VT3 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=10A,VCE=600V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 3,5 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C ZthJH : IGBT 2,8 E [mJ] ZthJH [K/W] 2,1 1,4 1 0,7 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,1724 0,333 1,0295 0,865 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,0 50 100 150 200 250 RG [Ω] 300 350 0,1 0,001 400 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=82Ω,Tvj=125°C 22 IC, Modul IC, Chip 20 1 10 20 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 18 16 16 14 14 12 12 IF [A] IC [A] 0,1 t [s] DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 18 10 10 8 8 6 6 4 4 2 2 0 0,01 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] preparedby:MB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:IG revision:2.0 4 2,0 2,5 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS10R12VT3 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=82Ω,VCE=600V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=10A,VCE=600V 1,0 1,0 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C 0,6 0,6 E [mJ] 0,8 E [mJ] 0,8 0,4 0,4 0,2 0,2 0,0 0 2 4 6 8 10 12 IF [A] 14 16 18 0,0 20 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 10 ZthJH [K/W] ZthJH : Diode 1 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,2124 0,41 1,2685 1,069 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 preparedby:MB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:IG revision:2.0 5 50 100 150 200 250 RG [Ω] 300 350 400 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS10R12VT3 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines preparedby:MB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:IG revision:2.0 6 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS10R12VT3 VorläufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen  DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage  Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:MB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:IG revision:2.0 7