T553N

N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T 553N Tvj = -40°C... Tvj max VRRM 7000 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak and reverse voltages Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Stoßstrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral I²t-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage ElektrischeT Eigenschaften = 0°C... T vj vj max V V V V 1200 A 550 A 765 A 12100 A 11700 A 732 10³ A²s 684 10³ A²s 300 A/µs VRRM ITRMSM 7200 TC = 85 °C TC = 60 °C Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms DIN IEC 60747-6 f = 50 Hz, PLM = 40mW, trise = 0,5µs Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM th 5.Kennbuchstabe / 5 letter H ITAVM ITSM I²t (diT/dt)cr (dvD/dt)cr 2000 V/µs Charakteristische Werte / Characteristic values Schutzzündspannung (statisch) Protective break over voltage Tvj = 25°C … Tvj max Typischer Degradationsfaktor ist 0,16%/K für Tvj = 0°C..25°C Typical de-rating factor of 0,16%/K is applicable for Tvj = 0°C..25°C VBO min. 6500 V Durchlaßspannung on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Durchlaßkennlinie on-state characteristic Tvj = Tvj max , iT = 1000A, vD = 150V Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max vT V(TO) rT typ. A B C D A B C D typ. max. typ. max. typ. max. 2,55 V 2,65 V 1,25 V 1,3 V 1,3 mΩ 1,35 mΩ v T = A + B ⋅ i T + C ⋅ Ln ( i T + 1) + D ⋅ iT max. minimale Zündlichtleistung minimum gate trigger light power Haltestrom holding current Einraststrom latching current Rückwärts-Sperrstrom reverse blocking current Zündverzug gate controlled delay time Tvj = 25°C, vD = 150V Tvj = 25°C Tvj = 25°C, vD = 150V, PLM = 40mW, trise = 0,5µs Tvj = Tvj max vR = VRRM DIN IEC 60747-6 Tvj = 25 °C, vD = 1000V , PLM = 40mW, trise = 0,5µs date of publication: 2005-04-15 revision: 8 PLM IH IL iR tgd -0,0927 0,000967 0,1815 0,01334 -0,0921 0,001 0,1841 0,0149 40 mW max. max. max. max. max. 100 mA 1A 200 mA 5 µs prepared by: C. Schneider approved by: J. Przybilla BIP AM / SM PB, 2002-05-23, Przybilla J. / Keller Seite /page 1/8 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T 553N = 100 V, v = 0,67 V ThermischevvEigenschaften d /dt = 20 V/µs, -di /dt = 10 A/µs 4.Kennbuchstabe / 4 letter O Mechanische =Eigenschaften T T RM DM DRM D T th vj vj max Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM tq typ. Qr max. IRM max. 650 µs Sperrverzögerungsladung recovered charge Rückstromspitze peak reverse recovery current iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM Tvj = Tvj max iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM 7,2 mAs 210 A Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode / cathode, DC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided RthJC max. max. max. max. 0,0200 0,0190 0,0305 0,0500 °C/W °C/W °C/W °C/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature RthCH Tvj max Tc op Tstg °C/W max. 0,005 max. 0,010 °C/W 120 °C -40...+120 °C -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz F G typ. Seite 3 page 3 15...24 kN 650 g 25 mm 50 m/s² Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AM / SM PB, 2002-05-23, Przybilla J. / Keller Seite /page 2/8 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T 553N Maßbild 4.1 1 2 1: Anode/Anode 2: Kathode/Cathode 4.1: Gate BIP AM / SM PB, 2002-05-23, Przybilla J. / Keller Seite /page 3/8 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T 553N R,t – Werte R R,T-Werte beidseitig two-sided Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC Pos. n Rthn [°C/W] 1 0,01048 0,84 0,01917 3,5 0,0396 5,82 2 0,00243 0,132 0,00232 0,45 0,00106 0,45 3 0,00304 0,062 0,0028 0,154 0,00487 0,126 4 0,00272 0,0134 0,00366 0,061 0,00237 0,037 5 0,00033 0,0019 0,00255 0,01 0,0021 0,009 6 7 τn [s] Rthn [°C/W] anodenseitg anode-sided τn [s] Rthn [°C/W] kathodenseitig cathode-sided τn [s] Analytische Funktion / Analytical function: ZthJC = nmax n=1 Σ Rthn 1 − e τn -t 0 ,0 6 c 0 ,0 5 0 ,0 4 Zth JC [K/W] a 0 ,0 3 0 ,0 2 d 0 ,0 1 0 0 ,0 0 1 0 ,0 1 0 ,1 t [s ] 1 10 100 Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling BIP AM / SM PB, 2002-05-23, Przybilla J. / Keller Seite /page 4/8 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor 1200 Datenblatt / Data sheet T 553N Diagramme Diagramme Durchlasskennlinie 1000 800 typ . m a x. iT [V] 600 400 200 0 0 0,5 1 1,5 v T [V ] 2 2,5 3 Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvj max BIP AM / SM PB, 2002-05-23, Przybilla J. / Keller Seite /page 5/8 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor 14 Datenblatt / Data sheet T 553N beidseitig 12 10 8 Q [mAs] r 6 4 2 0 0 5 10 15 - d i/d t [ A /µ s ] 20 25 30 35 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM BIP AM / SM PB, 2002-05-23, Przybilla J. / Keller Seite /page 6/8 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor 600 Datenblatt / Data sheet T 553N Ta bei Sinus 500 400 [A] I RM 300 200 100 0 0 5 10 15 - d i/d t [ A /µ s ] 20 25 30 35 Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM BIP AM / SM PB, 2002-05-23, Przybilla J. / Keller Seite /page 7/8 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. 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