FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS501-00012-5v0-J
メモリ FRAM
64 K (8 K×8) ビット SPI
MB85RS64
■ 概 要
MB85RS64 は , 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲート CMOS プロセスを用いた 8,192 ワー
ド ×8 ビット構成の FRAM (Ferroelectric Random Access Memory：強誘電体ランダムアクセスメモリ ) です。
MB85RS64 は , シリアルペリフェラルインタフェース (SPI) を採用しています。
MB85RS64 は , SRAM のようにデータバックアップ用バッテリを使用することなくデータ保持が可能です。
MB85RS64 に採用しているメモリセルは 1012 回の書込み / 読出し動作が可能で , フラッシュメモリや E2PROM の書換え
可能回数を大きく上回ります。
MB85RS64 はフラッシュメモリや E2PROM のような長い書込み時間は必要とせず , 書込みの待ち時間はゼロです。した
がって , 書込み完了待ちのシーケンスを必要としません。
■ 特 長
・ ビット構成
: 8,192 ワード ×8 ビット
・ シリアルペリフェラルインタフェース : SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード 0 (0, 0) とモード 3 (1, 1) に対応
・ 動作周波数
: 20 MHz(Max)
・ 書込み / 読出し耐性
: 1012 回 / バイト
・ データ保持特性
: 10 年 ( ＋ 85 °C), 95 年 ( ＋ 55 °C), 200 年以上 ( ＋ 35 °C)
・ 動作電源電圧
: 2.7 V ∼ 3.6 V
・ 低消費電力
: 動作電源電流 1.5 mA (Typ@20 MHz)
スタンバイ電流 5 μA (Typ)
・ 動作周囲温度
: − 40 °C ∼＋ 85 °C
・ パッケージ
: プラスチック・SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。
Copyright©2011-2013 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2013.9
MB85RS64
■ 端子配列図
(TOP VIEW)
CS
1
8
VDD
SO
2
7
HOLD
WP
3
6
SCK
GND
4
5
SI
(FPT-8P-M02)
■ 端子機能説明
端子番号
1
3
2
端子名
機能説明
CS
チップセレクト端子
チップを選択状態にするための入力端子です。CS が “H” レベルのとき , チップは非選択 ( ス
タンバイ ) 状態となり , SO は High-Z になります。このとき , ほかの端子の入力は無視されま
す。CS が “L” レベルのとき , チップは選択 ( アクティブ ) 状態となります。オペコード入力前
に CS を立ち下げる必要があります。本端子は , 内部で VDD 端子にプルアップされています。
WP
ライトプロテクト端子
ステータスレジスタへの書込みを制御する端子です。WP と WPEN (「■ ステータスレジス
タ」参照 ) とが関連して , ステータスレジスタの書込みをプロテクトします。詳細な説明は ,
「■ 書込みプロテクト」を参照してください。
7
HOLD
ホールド端子
チップを非選択状態にせずにシリアル入出力を休止するときに使用します。HOLD が “L” レ
ベルのとき , ホールド動作となり , SO は High-Z に , SCK, SI は don’t care になります。ホール
ド動作中は CS を “L” レベルに保たなければなりません。
6
SCK
シリアルクロック端子
シリアルデータの入出力のためのクロック入力端子です。SI は SCK の立上りエッジに同期し
て取り込まれ , SO は SCK の立下りエッジに同期して出力されます。
5
SI
シリアルデータ入力端子
シリアルデータの入力端子です。オペコード , アドレス , 書込みデータを入力します。
2
SO
シリアルデータ出力端子
シリアルデータの出力端子です。FRAM メモリセルアレイの読出しデータ , ステータスレジス
タのデータが出力されます。スタンバイ時は High-Z です。
8
VDD
電源電圧端子
4
GND
グランド端子
DS501-00012-5v0-J
MB85RS64
■ ブロックダイヤグラム
コントロール回路
CS
SCK
HOLD
ローデコーダ
シリアル・パラレル・コンバータ
アドレスカウンタ
SI
FRAM アレイ
8,192×8
FRAM
ステータスレジスタ
コラムデコーダ / センスアンプ /
ライトアンプ
WP
データレジスタ
SO
パラレル・シリアル・コンバータ
■ SPI モード
MB85RS64 は SPI モード 0 (CPOL ＝ 0, CPHA ＝ 0) と SPI モード 3 (CPOL ＝ 1, CPHA ＝ 1) に対応します。
CS
SCK
SI
7
6
5
4
3
2
1
MSB
0
LSB
SPI モード 0
CS
SCK
SI
7
6
5
4
MSB
3
2
1
0
LSB
SPI モード 3
DS501-00012-5v0-J
3
MB85RS64
■ シリアルペリフェラルインタフェース (SPI)
MB85RS64 は SPI のスレーブとして動作します。SPI ポートを備えたマイクロコントローラを用いて複数のチップを接
続できます。また, SPIポートを備えていないマイクロコントローラではSIとSOをバス接続して使用することもできます。
SCK
MOSI
MISO
SO
SI
SO
SCK
MB85RS64
SPI マイクロ
コントローラ
CS
SI
SCK
MB85RS64
CS
HOLD
HOLD
SS1
SS2
HOLD1
HOLD2
MOSI ：マスタアウトスレーブイン
MISO ：マスタインスレーブアウト
SS ：スレーブセレクト
SPI ポートがある場合のシステム構成図
マイクロ
コントローラ
SO
SI
SCK
MB85RS64
CS
HOLD
SPI ポートがない場合のシステム構成図
4
DS501-00012-5v0-J
MB85RS64
■ ステータスレジスタ
ビット番号
7
ビット名
説明
WPEN
ステータスレジスタライトプロテクト
不揮発性メモリ (FRAM) からなるビットです。WPEN は WP 入力と関連し
てステータスレジスタの書込みをプロテクトします (「■ 書込みプロテク
ト」を参照 ) 。WRSR コマンドによる書込み , RDSR コマンドによる読出し
が可能です。
6∼4
⎯
3
BP1
2
BP0
1
WEL
0
0
未使用
不揮発性メモリからなるビットで WRSR コマンドによる書込みが可能で
す。出荷時は “000” が書き込まれています。これらのビットは使用しませ
んが RDSR コマンドで読み出されます。
ブロックプロテクト
不揮発性メモリからなるビットです。WRITE コマンドにおける書込みプロ
テクトのブロックサイズを定義します (「■ ブロックプロテクト」を参照 ) 。
WRSR コマンドによる書込み , RDSR コマンドによる読出しが可能です。
ライトイネーブルラッチ
FRAM アレイおよびステータスレジスタが書込み可能であることを示しま
す。WREN コマンドでセット , WRDI コマンドでリセットします。RDSR コ
マンドで読出しが可能ですが WRSR コマンドで書き込むことはできませ
ん。WEL は以下の動作の後リセットされます。
電源立上げ後
WRDI コマンド認識後
WRSR コマンド認識後の CS の立ち上り時
WRITE コマンド認識後の CS の立ち上り時
“0” 固定です。
■ オペコード
MB85RS64 はオペコードで指定される 6 種のコマンドを受け付けます。オペコードは下表に示す 8 ビットからなるコー
ドです。これ以外の無効なコードは入力しないでください。オペコード入力中に CS を立ち上げるとコマンドは実行されま
せん。
コード名
機能
オペコード
WREN
セットライトイネーブルラッチ
0000 0110B
WRDI
リセットライトイネーブルラッチ
0000 0100B
RDSR
リードステータスレジスタ
0000 0101B
WRSR
ライトステータスレジスタ
0000 0001B
READ
リードメモリコード
0000 0011B
WRITE
ライトメモリコード
0000 0010B
DS501-00012-5v0-J
5
MB85RS64
■ コマンド
・WREN
WREN コマンドは WEL ( ライトイネーブルラッチ ) をセットします。書込み動作 (WRSR コマンドと WRITE コマンド )
を行う前には WREN コマンドで WEL をセットする必要があります。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
Invalid
0
0
0
0
0
1
1
Invalid
0
High-Z
SO
・WRDI
WRDI コマンドは WEL ( ライトイネーブルラッチ ) をリセットします。WEL がリセットされると書込み動作 (WRITE コ
マンドと WRSR コマンド ) が実行されなくなります。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
SO
6
Invalid
0
0
0
0
0
1
0
0
Invalid
High-Z
DS501-00012-5v0-J
MB85RS64
・RDSR
RDSR コマンドはステータスレジスタのデータを読み出します。SI に RDSR のオペコードを入力後 , SCK に 8 サイクル
のクロックを入力します。このとき , SI の値は無効です。SO は SCK の立下りエッジに同期して出力されます。RDSR コマ
ンドでは CS の立上げ前に SCK を送り続けることでステータスレジスタを繰り返し読み出すことも可能です。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
0
0
0
0
0
1
0
Invalid
1
Data Out
High-Z
SO
Invalid
MSB
LSB
・WRSR
WRSR コマンドはステータスレジスタの不揮発性メモリビットにデータを書き込みます。SI 端子に WRSR のオペコード
の後 , 8 ビットの書込みデータを入力します。WEL ( ライトイネーブルラッチ ) は WRSR コマンドでは書込みできません。
ビット 1 に対応する SI の値は無視されます。ステータスレジスタのビット 0 は “0” 固定であり書込みできません。ビット
0 に対応する SI の値は無視されます。WP 端子は , WRSR コマンドの発行前までに必ず値を確定し , コマンドシーケンス終
了まで変更しないでください。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
Data In
Instruction
SI
0
0
SO
DS501-00012-5v0-J
0
0
0
0
0
1
7
MSB
High-Z
6
5
4
3
2
1
0
LSB
7
MB85RS64
・READ
READ コマンドは FRAM メモリセルアレイのデータを読み出します。SI に READ のオペコードと任意の 16 ビットのア
ドレスを入力します。アドレスの上位 3 ビットは無効です。その後 , SCK に 8 サイクルのクロックを入力します。SO は SCK
の立下りエッジに同期して出力されます。この読出し中 , SI の値は無効です。CS を立ち上げると READ コマンドは終了し
ますが , CS 立上げ前に引き続き SCK に 8 サイクルずつクロックを送り続けることで , アドレスを自動インクリメントし
て読出しを続けることが可能です。最上位アドレスに達するとロールオーバして 0 番地に戻り , 読出しサイクルは際限な
く続けられます。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
SCK
オペコード
SI
SO
16 ビットアドレス
0 0 0 0 0 0 1 1 X X X 12 11 10
MSB
High-Z
5
4
3
2
1
Invalid
0
LSB MSB
7
6
LSB
Data Out
5
4
3
2
1
0
Invalid
・WRITE
WRITE コマンドは FRAM メモリセルアレイにデータを書き込みます。SI に WRITE のオペコードと任意の 16 ビットの
アドレスおよび 8 ビットの書込みデータを入力します。アドレスの上位 3 ビットは無効です。8 ビットの書込みデータを入
力した時点で FRAM メモリセルアレイにデータを書き込みます。CS を立ち上げると WRITE コマンドは終了しますが , CS
立上げ前に引き続き書込みデータを 8 ビットずつ送り続けることで , アドレスを自動インクリメントして書込みを続ける
ことが可能です。最上位アドレスに達するとロールオーバして 0 番地に戻り , 書込みサイクルは際限なく続けられます。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
SCK
SI
SO
8
16 ビットアドレス
オペコード
0 0 0 0 0 0 1 0 X X X 12 11 10
5 4 3
MSB
High-Z
Data In
2
1
0
7
6
LSB MSB
5
4
3
2
1
0
LSB
DS501-00012-5v0-J
MB85RS64
■ ブロックプロテクト
ステータスレジスタの BP1, BP0 の値により WRITE コマンドでの書込みプロテクトブロックを設定できます。
BP1
BP0
0
0
なし
0
1
1800H ∼ 1FFFH ( 上位 1/4)
1
0
1000H ∼ 1FFFH ( 上位 1/2)
1
1
0000H ∼ 1FFFH ( すべて )
プロテクトブロック
■ 書込みプロテクト
WEL, WPEN, WP の値により WRITE コマンドおよび WRSR コマンドの書込み動作がプロテクトされます。
WEL
WPEN
WP
プロテクトブロック
アンプロテクトブロック
ステータスレジスタ
0
X
X
プロテクト
プロテクト
プロテクト
1
0
X
プロテクト
アンプロテクト
アンプロテクト
1
1
0
プロテクト
アンプロテクト
プロテクト
1
1
1
プロテクト
アンプロテクト
アンプロテクト
■ ホールド動作
CSを“L”レベルに保ったままHOLDを“L”レベルにすると, コマンドが中止されることなくホールド状態に保たれます。
ホールド状態の始まりと終わりのタイミングは , 下図に示すように HOLD 端子入力がホールド状態に遷移したとき , SCK
が “H” レベルか “L” レベルかで異なります。SCK が “L” レベルの時に HOLD 端子を “L” レベルにした場合は , SCK が “L”
レベルの時に HOLD 端子を “H” レベルに戻してください。同様に , SCK が “H” レベルの時に HOLD 端子を “L” レベルに
した場合は ,SCK が “H” レベルの時に HOLD 端子を “H” レベルに戻してください。ホールド状態では任意のコマンドの動
作は中断され , SCK, SI 入力は don’t care となります。また読出しコマンド (RDSR, READ) において SO が High-Z になりま
す。ホールド状態において CS を立ち上げると , コマンド処理を終了します。ただし , コマンド認識前に終了した場合 , WEL
はホールド状態に遷移する前の値を保持します。
CS
SCK
HOLD
ホールド状態
DS501-00012-5v0-J
ホールド状態
9
MB85RS64
■ 絶対最大定格
項目
定格値
記号
最小
最大
単位
電源電圧 *
VDD
− 0.5
＋ 4.0
V
入力電圧 *
VIN
− 0.5
VDD ＋ 0.5
V
出力電圧 *
VOUT
− 0.5
VDD ＋ 0.5
V
TA
− 40
＋ 85
°C
Tstg
− 55
＋ 125
°C
動作周囲温度
保存温度
＊ :VSS ＝ 0 V を基準にした値です。
＜注意事項＞ 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ
ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
■ 推奨動作条件
項目
記号
規格値
最小
標準
最大
単位
電源電圧 *
VDD
2.7
3.3
3.6
V
“H” レベル入力電圧 *
VIH
VDD×0.8
⎯
VDD ＋ 0.3
V
“L” レベル入力電圧 *
VIL
− 0.5
⎯
VDD×0.2
V
動作周囲温度
TA
− 40
⎯
＋ 85
°C
＊ :VSS ＝ 0 V を基準にした値です。
＜注意事項＞ 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は , すべてこの条
件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超えて使用すると , 信頼
性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。記載され
ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。
10
DS501-00012-5v0-J
MB85RS64
■ 電気的特性
1. 直流特性
( 推奨動作条件において )
項目
記号
|ILI|
入力リーク電流
規格値
条件
最小
標準
最大
0 ≦ CS ＜ VDD
⎯
⎯
200
CS ＝ VDD
⎯
⎯
10
WP, HOLD, SCK,
SI ＝ 0 V ∼ VDD
⎯
⎯
10
単位
μA
出力リーク電流
|ILO|
SO ＝ 0 V ∼ VDD
⎯
⎯
10
μA
動作電源電流
IDD
SCK ＝ 20 MHz
⎯
1.5
2.4
mA
スタンバイ電流
ISB
SCK ＝ SI ＝ CS ＝ VDD
⎯
5
15
μA
“H” レベル出力電圧
VOH
IOH ＝− 2 mA
VDD - 0.5
⎯
VDD
V
“L” レベル出力電圧
VOL
IOL ＝ 2 mA
VSS
⎯
0.4
V
CS 端子のプルアップ抵抗
RP
18
33
80
kΩ
⎯
2. 交流特性
項目
記号
規格値
最小
最大
単位
SCK クロック周波数
fCK
0
20
MHz
クロックハイ時間
tCH
25
⎯
ns
クロックロー時間
tCL
25
⎯
ns
チップセレクトセットアップ時間
tCSU
10
⎯
ns
チップセレクトホールド時間
tCSH
10
⎯
ns
出力ディセーブル時間
tOD
⎯
20
ns
出力データ確定時間
tODV
⎯
18
ns
出力ホールド時間
tOH
0
⎯
ns
非選択時間
tD
60
⎯
ns
データ立上り時間
tR
⎯
50
ns
データ立下り時間
tF
⎯
50
ns
データセットアップ時間
tSU
5
⎯
ns
データホールド時間
tH
5
⎯
ns
HOLD セットアップ時間
tHS
10
⎯
ns
HOLD ホールド時間
tHH
10
⎯
ns
HOLD 出力フローティング時間
tHZ
⎯
20
ns
HOLD 出力アクティブ時間
tLZ
⎯
20
ns
交流特性測定条件
電源電圧
動作周囲温度
入力電圧振幅
入力立上り時間
入力立下り時間
入力判定レベル
DS501-00012-5v0-J
：2.7 V ∼ 3.6 V
：− 40 °C ∼＋ 85 °C
：0.3 V ∼ 2.7 V
：5 ns
：5 ns
：VDD/2
11
MB85RS64
出力判定レベル
：VDD/2
交流負荷等価回路
3.3 V
1.2 k
Output
30 pF
0.95 k
3. 端子容量
項目
記号
条件
出力容量
CO
入力容量
CI
VDD ＝ VIN ＝ VOUT ＝ 0 V
f ＝ 1 MHz, TA ＝＋ 25 °C
12
規格値
単位
最小
最大
⎯
10
pF
⎯
10
pF
DS501-00012-5v0-J
MB85RS64
■ タイミングダイヤグラム
・シリアルデータタイミング
tD
CS
tCSH
tCSU
tCH
tCL
tCH
SCK
tSU
tH
Valid in
SI
tODV
SO
tOH
tOD
High-Z
High-Z
: H or L
・ホールドタイミング
CS
SCK
tHS
tHH
tHS
tHS
tHH
tHS
tHH
tHH
HOLD
High-Z
SO
tHZ
DS501-00012-5v0-J
tLZ
High-Z
tHZ
tLZ
13
MB85RS64
■ 電源投入・切断シーケンス
tpd
tf
tr
tpu
VDD
VDD
2.7 V
2.7 V
VIH (Min)
VIH (Min)
1.0 V
1.0 V
VIL (Max)
VIL (Max)
GND
GND
CS >VDD × 0.8 *
CS
CS >VDD × 0.8 *
CS : don't care
CS
＊：CS (Max) ＜ VDD ＋ 0.3 V
項目
規格値
記号
最小
最大
単位
電源 OFF 時の CS レベル保持時間
tpd
400
⎯
ns
電源 ON 時の CS レベル保持時間
tpu
0.1
⎯
ms
電源の立下げ時間
tf
100
⎯
μs/V
電源の立上げ時間
tr
30
⎯
μs/V
規定されたリードサイクル, ライトサイクルまたは電源投入・切断シーケンスを守らない動作が実行された場合, 記憶デー
タの保証はできません。
■ FRAM の特性
項目
最小
1
書込み / 読出し耐性 *
データ保持特性 *
2
最大
10
⎯
10
⎯
95
⎯
≧ 200
⎯
12
単位
パラメータ
回 / バイト 動作周囲温度
TA ＝＋ 85 °C
動作周囲温度 TA ＝＋ 85 °C
年
動作周囲温度 TA ＝＋ 55 °C
動作周囲温度 TA ＝＋ 35 °C
＊ 1： FRAM は破壊読出しを行っているため , 書込みおよび読出し回数の合計が書込み / 読出し耐性の最小値です。
＊ 2：データ保持特性の最小年数は , 出荷直後に初めて読み書きしたデータの保持時間です。
これらの保持時間は , 信頼性評価結果からの換算値です。
■ 使用上の注意
リフロー後にデータの書き込みを行ってください。リフロー前に書き込まれたデータは保証できません。
14
DS501-00012-5v0-J
MB85RS64
■ ESD・ラッチアップ
DUT
試験項目
規格値
ESD HBM( 人体帯電モデル )
JESD22-A114 準拠
＋ 2000 V 以上
− 2000 V 以下
ESD MM( マシンモデル )
JESD22-A115 準拠
＋ 200 V 以上
− 200 V 以下
ESD CDM( デバイス帯電モデル )
JESD22-C101 準拠
＋ 1000 V 以上
− 1000 V 以下
ラッチアップ ( パルス電流注入法 )
JESD78 準拠
MB85RS64PNF-G-JNE1
⎯
ラッチアップ ( 電源過電圧法 )
JESD78 準拠
⎯
ラッチアップ ( 電流法 )
Proprietary method
⎯
ラッチアップ (C-V 法 )
Proprietary method
＋ 200V 以上
− 200V 以下
・ ラッチアップ ( 電流法 )
保護抵抗
A
供試端子
IIN
VIN
VDD
+
DUT
-
VSS
VDD
( 最大定格 )
V
基準端子
( 注意事項 ) VIN の電圧を徐々に増加させ , IIN を最大 300 mA まで流し込みます ( または流し出します )。
IIN ＝ ±300 mA まで , ラッチアップが発生しないことを確認します。
ただし , I/O に特別な規格があり IIN を 300 mA とすることができない場合は , その特別な規格値まで電圧レベ
ルをあげます。
DS501-00012-5v0-J
15
MB85RS64
・ ラッチアップ (C-V 法 )
保護抵抗
A
1
2 供試端子
SW
+
VIN
V
-
VDD
DUT
C
200pF
VDD
( 最大定格 )
VSS
基準端子
( 注意事項 ) SW を約 2 秒間隔で 1 ∼ 2 に交互に切り換え , 電圧を印加します。
これを 1 回とし , 5 回行います。
ただし , 5 回までにラッチアップ現象が発生した場合は , 直ちに試験を中止します。
■ リフロー条件および保管期限
JEDEC 条件 , Moisture Sensitivity Level 3 (IPC / JEDEC J-STD-020D)。
■ 含有規制化学物質対応
本製品は , REACH 規則 , EU RoHS 指令および中国 RoHS に準拠しております。
尚 , 本製品における含有規制化学物質対応の詳細は , 次のリンク先をご確認ください。
http://jp.fujitsu.com/microelectronics/environment/products/
16
DS501-00012-5v0-J
MB85RS64
■ オーダ型格
型格
パッケージ
出荷形態
最小出荷単位
MB85RS64PNF-G-JNE1
プラスチック・SOP, 8 ピン
(FPT-8P-M02)
チューブ
⎯*
MB85RS64PNF-G-JNERE1
プラスチック・SOP, 8 ピン
(FPT-8P-M02)
エンボステーピング
1500
＊：最小出荷単位については , 営業部門にご確認ください。
DS501-00012-5v0-J
17
MB85RS64
■ パッケージ・外形寸法図
ࡊࠬ࠴࠶ࠢSOP, 8 ࡇࡦ
࠼ࡇ࠶࠴
1.27mm
ࡄ࠶ࠤࠫ
ࡄ࠶ࠤࠫ㐳ߐ
3.9mm 5.05mm
࠼ᒻ⁁
ࠟ࡞࠙ࠖࡦࠣ
ኽᱛᣇᴺ
ࡊࠬ࠴࠶ࠢࡕ࡞࠼
ขઃߌ㜞ߐ
1.75mm MAX
⾰㊂
0.06g
(FPT-8P-M02)
ࡇࡦ
ࡊࠬ࠴࠶ࠢ
㧔FPT-8P-M02㧕
+0.25
ᵈ 1㧕* ශኸᴺߪࠫࡦᱷࠅࠍޕ
ᵈ 2㧕* ශኸᴺߪࠫࡦᱷࠅࠍ߹ߕޕ
ᵈ 3㧕┵ሶ߅ࠃ߮┵ሶෘߐߪࡔ࠶ࠠෘࠍޕ
ᵈ 4㧕┵ሶߪ࠲ࠗࡃಾᢿᱷࠅࠍ߹ߕޕ
+.010
+0.03
*1 5.05 –0.20 .199 –.008
0.22 –0.07
+.001
.009 –.003
8
5
*2 3.90±0.30 6.00±0.20
(.154±.012) (.236±.008)
Details of "A" part
45°
1.55±0.20
(Mounting height)
(.061±.008)
0.25(.010)
0.40(.016)
1
"A"
4
1.27(.050)
0.44±0.08
(.017±.003)
0.13(.005)
0~8°
M
0.50±0.20
(.020±.008)
0.60±0.15
(.024±.006)
0.15±0.10
(.006±.004)
(Stand off)
0.10(.004)
C
2002-2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F08004S-c-5-10
න㧦mm 㧔inches㧕
ᵈᗧ㧦ᒐౝߩ୯ߪෳ⠨୯ߢߔޕ
最新の外形寸法図については , 下記 URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
18
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MB85RS64
■ 捺印図
[MB85RS64PNF-G-JNE1]
[MB85RS64PNF-G-JNERE1]
RS64
E11150
300
[FPT-8P-M02]
DS501-00012-5v0-J
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MB85RS64
■ 包装
1. チューブ
1.1 チューブ寸法図
・ チューブ・ストッパ形状
チューブ
透明ポリエチレンテレフタレート
( 帯電防止処理有 )
ストッパ
( 帯電防止処理有 )
チューブ長さ 520 mm
・チューブ断面形状 , 最大収納数
パッケージ形状
パッケージコード
SOP, 8 プラスチック (2)
FPT-8P-M02
最大収納個数
個 / チューブ
個 / 内装箱
個 / 外装箱
95
7600
30400
1.8
2.6
7.4
6.4
4.4
C
©2006-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
2006 FUJITSU LIMITED F08008-SET1-PET:FJ99L-0022-E0008-1-K-1
F08008-SET1-PET:FJ99L-0022-E0008-1-K-3
t ＝ 0.5
透明ポリエチレンテレフタレート
( 単位：mm)
20
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MB85RS64
1.2 チューブ防湿包装仕様書
IC
チューブ
ストッパ
SOP 用
Index mark
アルミラミネート袋
表示Ⅰ＊ 1 ＊ *3
アルミラミネート袋
防湿
袋詰め
乾燥剤
湿度インジケータ
熱シール
アルミラミネート袋 ( チューブ入 )
内装箱
気泡クッション
内装箱
表示Ⅰ＊ 1 ＊ 3
気泡クッション
外装箱 ( 段ボール ) ＊ 2
外装箱
包装テープ
表示Ⅱ -A ＊ 3
表示Ⅱ -B ＊ 3
＊ 1：製品末尾に「E1」が付与された製品には , 内装製品表示ラベルに鉛フリー表示マーク「 G Pb 」が付きます。
＊ 2：内装箱が端数の場合には , 空内装箱 , 緩衝材またはスペーサー等により , 隙間を調整いたします。
＊ 3：表示ラベルは別紙参照
( 注意事項 ) 上記は , 富士通セミコンダクター株式会社から出荷される包装形態を示しているため , 特約店経由の場合に
は , 異なる場合があります。
DS501-00012-5v0-J
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MB85RS64
1.3 製品表示ラベル
表示Ⅰ：内装箱／アルミラミネート袋／ ( エンボステーピングの場合には , リールにも貼付 )
製品表示 [C-3 ラベル (50mm×100mm) ＋補助ラベル (20mm×100mm)]
::::::::::::::
0 ::::::::::::::
0 :::::::::: ::::::
:::REU
::::::::::::::
㘈ቴຠဳᩰޓߪޔን჻ㅢຠဳᩰ
C-3 ラベル
㋦㩖㩢㨺㩙㨺㩂
:::
⸥ຠဳᩰ
ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
㧽㧯ޓ㧼㧭㧿㧿
ᬌᩏޓᷣ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
ຠᢙ㊂
㘈ቴຠဳᩰޓߪޔን჻ㅢຠဳᩰ
⸥ຠဳᩰߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
::::::::
൮ⵝᐕᣣ
#55'/$.'&+0ZZZZZ
:::::::::::::::
㘈ቴຠဳᩰޓߪޔን჻ㅢຠဳᩰ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
::::
::::::::::
൮ⵝㅊ⇟
::::::::::
::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
ຠ㩥㨹㩎ᖱႎ㧗ຠᢙ㊂
::::::::::::::
․⸥㗄
ミシン目
補助ラベル
表示Ⅱ -A：外装箱製品表示 [D ラベル ] (100mm×100mm)
⊒ᵈ⠪ޓޓ:::::::::::::
ㅍઃవฬ
%756
ን჻ㅢ
ࡒࠦࡦ࠳ࠢ࠲ᩣᑼળ␠
ฃᷰ႐ᚲฬޓޓ:::::::::
ㅍઃవᚲ
&'.+8'4;21+06㧕
⚊ຠࠠ⇟ภޓ::::::::::::::
64#0501
ຠฬ㩄㨺㩎㩨ޓޓޓ::::::::::::::
2#4601
ޓޓޓຠဳᩰ
ຠฬ
2#460#/' ::::::::::::::
ຠဳᩰ
:::㧛:::
ᢙ㧛⚊ᢙ㊂
3 6;616#.3 6;
%7561/'4 54'/#4-5
⊒ᵈ⠪↪⠨
::::::::::::::::::::
D ラベル
ฃᵈ⠪
8'0&14
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::::::::::
ޓຠဳᩰ
න
70+6
::
2#%-#)'%1706
ᪿ൮ᢙ
:::㧛:::
0 :::::::::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
ຠᢙ㊂
0 :::::::::::::::::
ຠဳᩰ
ຠᢙ㊂
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
ຠဳᩰ
ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
0 ::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
表示Ⅱ -B：外装箱製品表示
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㧔ຠ㩥㨹㩎ᖱႎ㧕
ޓޓޓ:::::::
ޓޓޓ:::::::
㧔▫ᢙ㧕ޓޓޓ㧔ᢙ㊂㧕
ޓ:▫ޓޓޓޓޓ:::
ޓ:▫ޓޓޓޓޓ:::
ޓޓޓޓޓ⸘ޓޓ:::
( 注意事項 ) 発送状況により , 外装箱製品表示Ⅱ -A, B は貼付されない場合があります。
22
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MB85RS64
1.4 包装箱外形寸法図
(1) 内装箱
H
W
L
L
W
H
540
125
75
( 単位：mm)
(2) 外装箱
H
W
L
L
W
H
565
270
180
( 単位：mm)
DS501-00012-5v0-J
23
MB85RS64
2. エンボステープ
2.1 テープ寸法図
パッケージコード
リール No
FPT-8P-M02
3
最大収納個数
個 / リール
個 / 内装箱
個 / 外装箱
1500
1500
10500
ø1.5 +0.1
–0
8±0.1
1.75±0.1
2±0.05
4±0.1
B
0.3±0.05
A
B
A
5.5±0.1
12 +0.3
–0.1
5.5±0.05
ø1.5 +0.1
–0
SEC.B-B
2.1±0.1
6.4±0.1
0.4
3.9±0.2
SEC.A-A
C
2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED SOL8-EMBOSSTAPE9 : NFME-EMB-X0084-1-P-1
単位：mm
材質：導電性ポリスチレン
耐熱温度：耐熱性ではありません。
テープ，リールでのベーキング処理はできません。
24
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MB85RS64
2.2 IC の方向
Index mark
・ER タイプ
( 引出側 )
( リール側 )
( 引出側 )
2.3 リールの寸法
࡞ⓣኸᴺ
E
D
W2
C
B
A
W1
12
13
14
15
56
12
16
24
r
W3
㧦ࡂࡉㇱߩኸᴺ
単位：mm
リール No
テープ幅
記号
A
1
2
8
254
±2
3
4
12
254
±2
5
6
7
16
330
±2
254
±2
9
24
330
±2
254
±2
10
11
32
44
330
±2
100 +2
-0
B
8
330±2
100 +2
-0
150 +2
-0
100 +2
-0
150 +2
-0
100 +2
-0
100±2
C
13±0.2
13 +0.5
-0.2
D
21±0.8
20.5 +1
-0.2
E
2±0.5
W1
8.4 +2
-0
12.4 +2
-0
16.4 +2
-0
24.4 +2
-0
32.4 +2
-0
44.4 +2
-0
W2
W3
14.4
以下
18.4 以下
22.4 以下
30.4 以下
38.4 以下
7.9 ∼
10.9
11.9 ∼ 15.4
15.9 ∼ 19.4
23.9 ∼ 27.4
31.9 ∼ 35.4
r
DS501-00012-5v0-J
56.4 +2
-0
12.4 +1
-0
+0.1
16.4 +1
-0 24.4 -0
50.4 以下
62.4
以下
18.4
以下
22.4
以下
30.4
以下
43.9 ∼ 47.4
55.9 ∼
59.4
12.4 ∼
14.4
16.4 ∼
18.4
24.4 ∼
26.4
1.0
25
MB85RS64
2.4 テーピング (φ330mm リール ) 防湿包装仕様書
外径：φ330 mm リール
表示Ⅰ＊ 1, ＊ 4
エンボス
テーピング
表示Ⅰ＊ 1, ＊ 4
乾燥剤
湿度インジケータ
防湿
袋詰め
アルミラミネート袋
表示Ⅰ＊ 1, ＊ 4
熱シール
内装箱
内装箱
表示Ⅰ＊ 1, ＊ 4
テープ止め
外装箱 ( 段ボール ) ＊ 2, ＊ 3
外装箱
包装テープ
表示Ⅱ -A ＊ 4
表示Ⅱ -B ＊ 4
＊ 1：製品末尾に「E1」が付与された製品には , 内装製品表示ラベルに鉛フリー表示マーク「 G Pb 」が付きます。
＊ 2：出荷数量により , 他の外装箱を使用する場合があります。
＊ 3：内装箱が端数の場合には , 空内装箱 , 緩衝材またはスペーサー等により , 隙間を調整いたします。
＊ 4：表示ラベルは別紙参照
( 注意事項 ) 上記は , 富士通セミコンダクター株式会社から出荷される包装形態を示しているため , 特約店経由の場合に
は , 異なる場合があります。
26
DS501-00012-5v0-J
MB85RS64
2.5 製品表示ラベル
表示Ⅰ：内装箱／アルミラミネート袋／ ( エンボステーピングの場合には , リールにも貼付 )
製品表示 [C-3 ラベル (50mm×100mm) ＋補助ラベル (20mm×100mm)]
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0 ::::::::::::::
0 :::::::::: ::::::
:::REU
::::::::::::::
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㋦㩖㩢㨺㩙㨺㩂
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⸥ຠဳᩰ
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㧽㧯ޓ㧼㧭㧿㧿
C-3 ラベル
ᬌᩏޓᷣ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
ຠᢙ㊂
㘈ቴຠဳᩰޓߪޔን჻ㅢຠဳᩰ
⸥ຠဳᩰߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
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൮ⵝᐕᣣ
#55'/$.'&+0ZZZZZ
:::::::::::::::
㘈ቴຠဳᩰޓߪޔን჻ㅢຠဳᩰ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
::::
::::::::::
൮ⵝㅊ⇟
::::::::::
::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
ຠ㩥㨹㩎ᖱႎ㧗ຠᢙ㊂
::::::::::::::
․⸥㗄
ミシン目
補助ラベル
表示Ⅱ -A：外装箱製品表示 [D ラベル ] (100mm×100mm)
⊒ᵈ⠪ޓޓ:::::::::::::
ㅍઃవฬ
%756
ን჻ㅢ
ࡒࠦࡦ࠳ࠢ࠲ᩣᑼળ␠
ฃᷰ႐ᚲฬޓޓ:::::::::
ㅍઃవᚲ
&'.+8'4;21+06㧕
⚊ຠࠠ⇟ภޓ::::::::::::::
64#0501
ຠฬ㩄㨺㩎㩨ޓޓޓ::::::::::::::
2#4601
ޓޓޓຠဳᩰ
ຠฬ
2#460#/' ::::::::::::::
ຠဳᩰ
:::㧛:::
ᢙ㧛⚊ᢙ㊂
3 6;616#.3 6;
%7561/'4 54'/#4-5
⊒ᵈ⠪↪⠨
::::::::::::::::::::
D ラベル
ฃᵈ⠪
8'0&14
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::::::::::
ޓຠဳᩰ
න
70+6
::
2#%-#)'%1706
ᪿ൮ᢙ
:::㧛:::
0 :::::::::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
ຠᢙ㊂
0 :::::::::::::::::
ຠဳᩰ
ຠᢙ㊂
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
ຠဳᩰ
ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
0 ::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
表示Ⅱ -B：外装箱製品表示
::::::::::::::㧔ຠဳᩰ㧕
㧔ຠ㩥㨹㩎ᖱႎ㧕
ޓޓޓ:::::::
ޓޓޓ:::::::
㧔▫ᢙ㧕ޓޓޓ㧔ᢙ㊂㧕
ޓ:▫ޓޓޓޓޓ:::
ޓ:▫ޓޓޓޓޓ:::
ޓޓޓޓޓ⸘ޓޓ:::
( 注意事項 ) 発送状況により , 外装箱製品表示Ⅱ -A, B は貼付されない場合があります。
DS501-00012-5v0-J
27
MB85RS64
2.6 包装箱外形寸法図
(1) 内装箱
H
W
L
L
テープ幅
W
12, 16
H
40
24, 32
365
44
345
56
50
65
75
( 単位：mm)
(2) 外装箱
H
W
L
L
W
H
415
400
315
( 単位：mm)
28
DS501-00012-5v0-J
MB85RS64
■ 本版での主な変更内容
変更箇所は , 本文中のページ左側の｜によって示しています。
ページ
場所
■使用上の注意
14
16
次の記述を変更。
IR リフロー前に書き込まれたデータを IR リフロー後に保持することは , 保
証していません。
→リフロー後にデータの書き込みを行ってください。リフロー前に書き込
まれたデータは保証できません。
■リフロー条件および保管期 次の記述に変更。
限
JEDEC 条件 , Moisture Sensitivity Level 3 (IPC / JEDEC J-STD-020D)。
■含有規制化学物質対応
項目を規制物質から含有規制化学物質対応と変更し , リンク先を参照する方法
に変更。
■オーダ型格
チューブの最小出荷単位を変更。
1 → ⎯*
表の下に注記を追加。
＊：最小出荷単位については , 営業部門にご確認ください。
1.2 チューブ防湿包装仕様書
湿度インジケータの位置を変更。
17
21
変更箇所
DS501-00012-5v0-J
29
MB85RS64
MEMO
30
DS501-00012-5v0-J
MB85RS64
MEMO
DS501-00012-5v0-J
31
MB85RS64
富士通セミコンダクター株式会社
〒 222-0033
神奈川県横浜市港北区新横浜 2-10-23 野村不動産新横浜ビル
http://jp.fujitsu.com/fsl/
電子デバイス製品に関するお問い合わせ先
0120-198-610
受付時間 : 平日 9 時∼ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます )
携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。
※ 電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。
本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , 製品のご購入やご使用などのご用命の際は , 当社営業窓口にご確認ください。
本資料に記載された動作概要や応用回路例などの情報は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を
保証するものではありません。したがって , お客様の機器の設計においてこれらを使用する場合は , お客様の責任において行ってください。これらの
使用に起因する損害などについては , 当社はその責任を負いません。
本資料は , 本資料に記載された製品および動作概要・回路図を含む技術情報について , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその
他の権利の使用権または実施権を許諾するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができるこ
との保証を行うものではありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害などについて , 当社はその責任
を負いません。
本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい
ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 直接生命・身体に対する重大な危険性を伴う用途（原子力施設における
核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵器システムにおけるミサイル発
射制御など）, または極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星など）に使用されるよう設計・製造されたものではありません。し
たがって , これらの用途へのご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に当社営業窓口までご相談ください。ご相談なく使用されたことにより発生した損
害などについては , 当社は責任を負いません。
半導体デバイスには , ある確率で故障や誤動作が発生します。本資料に記載の製品を含め当社半導体デバイスをご使用いただく場合は , 当社半導体
デバイスに故障や誤動作が発生した場合も , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害などを生じさせないよう , お客様の責任において , 装置の冗長
設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
本資料に記載された製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規などの規制
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