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G2S065100B

G2S065100B

  • 厂商:

    GPT

  • 封装:

  • 描述:

    碳化硅肖特基二极管

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G2S065100B 数据手册
产品规格书 V2016.1.0 G2S065100B 650V/50A 碳 硅肖特基功率 极管 产品特性 • • • • • 产品概览 正温度系数,易于并联使用 不 温度影响的开关特性 最高工作温度 1陆5℃ 零反向恢复电流 零正向恢复电压 VRRM 650 V IF, Tc≤100℃ 100 A QC 170 nC 产品优点 • • • • 单极器件 极大降 开关损耗 并联器件中没 热崩溃 降 系统对散热 的依赖 应用领域 • 开关模式电源(SMPS),功率因数校正(PFC) • 电机驱动,光伏逆 器,不间断电源, 风力发动机,列车牵引系统,电动汽车 产品型 G3S065100B G2S065100B Package: TO-247 封装形式 打标 TO-247 2/3pin G3S065100B ©2016 泰科天润半导体科技 京 限公 - 权所 650V/100A 碳 G2S065100B 硅肖特基功率 极管 额定值 参数 标识 反向重复峰值电压 反向浪涌峰值电压 反向直流电压 正向 均电流 VRRM VRSM VDC IF 正向重复峰值电流 IFRM 正向不重复峰值电流 IFSM 耗散功率 PTOT 工作温度 Tj 贮藏温度 测试条件 数值 Tstg TC=100℃ TC=25℃, tp=10ms , Half Sine Wave,D=0.3 TC=25℃, tp=10ms , Half Sine Wave TC=25℃ TC=110℃ 650 650 650 100 TBD A A TBD A 238 103 -55℃ to 175℃ W W V ℃ -55℃ to 175℃ M3 Screw 6-32 Screw 安装扭矩 单 ℃ 1 8.8 Nm lbf-in 热特性 参数 标识 测试条件 数值 单 典型值 结到管壳的热阻 G2S065100B Rth JC ℃/W 0.63 ©2016 泰科天润半导体科技 京 限公 - 权所 650V/100A 碳 G2S065100B 硅肖特基功率 极管 电学特性,无特殊说明时结温 TTT25℃ 参数 标识 VF 正向压降 IR 反向电流 总存储电荷 QC 数值 典型值 最大值 1.5 1.8 1.9 2.2 2 100 10 200 测试条件 IF=100A, Tj=25℃ IF=100A, Tj=175℃ VR=650V, Tj=25℃ VR=650V, Tj=175℃ VR=400V, Tj=150℃ VR Qc = ∫ 0 399 总电容 C VR=200V, Tj=25℃, f=1MH= VR=400V, Tj=25℃, f=1MH= uA 15100 700 685 VR=0V, Tj=25℃, f=1MH= V - 14200 C (V )dV 单 nC 710 693 pF 性能曲线 1) 典型正向特性 IF=f(VF),结温 Tj 为参数 2)典型反向特性 IR=f(VR),结温 Tj 为参数 0.12 0.1 IR(mA) 0.0片 0.0际 0.04 Tj=25℃ Tj=陆5℃ Tj=125℃ 0.02 Tj=1陆5℃ 0 0 100 200 300 400 500 际00 陆00 片00 VR(V) 3)典型电容-反向电压曲线 15 14 13 12 11 10 C(nF) 版 片 陆 际 5 4 3 2 1 0 0.01 0.1 1 10 100 1000 V R (V ) G2S065100B ©2016 泰科天润半导体科技 京 限公 - 权所 650V/100A 碳 G2S065100B 硅肖特基功率 极管 3)典型电容-反向电压曲线 封装形式:TO-247 DIM N A1 O A1 B1 C1 M D P L B1 C1 A H K E F D E F G H I J K L M N J G O P Millimeters Min. Max. 15.45 15.75 20.3 20.6 24.8 25.1 6 1.8 2.2 2.8 3.2 5.45 41.08 41.12 1 1.4 0.5 0.7 2.2 2.6 3.5 2.1 2.3 4.85 5.15 0 0.3 3.6 Inches Min. 0.608 0.799 0.976 Max. 0.620 0.811 0.988 0.236 0.071 0.110 0.087 0.126 0.215 1.617 0.039 0.020 0.087 1.619 0.055 0.028 0.102 0.138 0.083 0.191 0.000 0.091 0.203 0.012 0.142 I G2S065100B ©2016 泰科天润半导体科技 京 限公 - 权所 650V/100A 碳 G2S065100B 硅肖特基功率 极管 说明: ISO9001:2008 质量管理体系要求于 2009 3 1 日实施 ISO9000 族标准是 标准 组织 ISO 于 1987 颁布的在全世界 范围内通用的关于质量管理和质量保证方面的系列标准 ISO9001 质量体系认证是指第三方 认证机构 对企业的质量体系进行 审核 评定和注册活动,其目的在于通过审核 授予合格证书并予以注册的全部活动 过公 评定和 后监督来证明企业的质量体系符合 ISO9001 标准,对符合标准要求者 泰科天润半导体科技 京 限公 的 ISO9001:2008 以及其他资质证书信息可以通 官网查询:http://www.globalpowertech.cn/CompVisuali=e.asp 更多的产品信息和公 信息敬请登 官网: http://www.globalpowertech.cn/ G2S065100B ©2016 泰科天润半导体科技 京 限公 - 权所
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