GM8550

桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM8550 特點 Low Frequency Power Amplifier 低頻功率放大 Suitable for Driver Stage lf Small Motor 小馬達驅動 Complementary to GM8050 与 GM8050 互补 ■FEATURES ■最大額定值(Ta=25℃) CHARACTERISTIC 特性參數 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Collect-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 Collector Current 集電極電流 Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 Junction Temperature 結溫 Storage Temperature Range 儲存溫度 ■DEVICE Symbol 符號 VCBO VCEO VEBO Rating 額定值 -40 -25(GMA6801) -25 -18(GMA6801) -5.0 -500(S8550A,S8550) -1000(M8550) -1200(MMT8550) -1500(SS8550) -1800(GMA6801) 225 150 -55〜150 Unit 單位 Vdc Vdc Vdc Ic mAdc PC Tj Tstg mW ℃ ℃ MARKING 打標 S8550=2TY M8550=Y2. SS8550=Y.2 GMA6801=6801 放大倍數分檔 S8550A=2TY. MMT8550=Y2 ■HFE RANGE HFE (85〜150), (120〜220) (200~300), (280~400) 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM8550 CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) ■ELECTRICAL Characterstic 特性參數 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 Collector-Base Breakdown Voltage Symbol 符號 Test Condition 測試條件 Min. Typ. Max. Unit 最小值 典型值 最大值 單位 μA μA V ICBO IEBO V(BR)CBOO V(BR)CEO V(BR)EBO HFE(1) VCB=-30V,IE=0 VEB=-5V,IC=0 IC=-100μA (GMA6801) — — -0.1 — -40 (-25) -25 (-18) -5 — -0.1 集電極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage — — IC=-10mA (GMA6801) 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage — — V 發射極-基極擊穿電壓 IE=-100μA VCE=-1V,IC=-100mA VCE=-1V, IC=-1800mA(GMA6801) — — V 85 — 400 DC Current Gain 直流電流增益 50 40 40 30 — — — HFE(2) IC=-800mA (SS8550,MMT8550，M8550) — Ic=-500mA(S8550) Ic=-500mA(S8550A) Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Voltage 基極-發射極電壓 Transition Frequency 特徵頻率 Collector Output Capacitance 輸出電容 VCE(sat) VBE fT Cob IC=-500mA, IB=-50mA VCE=-1V,IC=-10mA VCE=-5V,IC=-10mA VCB=-10V,IE=0,f=1MHz — -0.6 V — -0.8 -1.0 V 100 120 — MHz — 13 30 pF 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM8550 ■DIMENSION 外形封裝尺寸