GM9012

桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9012 ■FEATURES 特點 Excellent HFE Linearity HFE 線性特性極好 hFE(2)=25(Min.) at VCE=6V,Ic=400mA. Complementary to GM9013 与 GM9013 互补 ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值(Ta=25℃) Symbol 符號 VCBO VCEO VEBO Ic IB PC Tj Tstg Rating 額定值 -40 -30 -5.0 -500 -50 300 150 -55〜150 Unit 單位 Vdc Vdc Vdc mAdc mAdc mW ℃ Characteristic 特性參數 Collector-Base voltage 集電極-基極電壓 -Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Emitter-Base voltage 發射極-基極電壓 Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Base-Current 基極電流 Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 Junction Temperature 結溫 Storage Temperature Range 儲存溫度 ■DEVICE ℃ MARKING 打標 GM9012=2T1 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9012 CHARACRTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) ■ELECTRICAL Characteristic 特性參數 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 Collect-Base Breakdown Voltage Symbol 符號 ICBO IEBO V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO hFE(1) hFE(2) VCE(sat) Test Condition 測試條件 VCB= -35V,IE=0 VEB= -5V,IC=0 IC= -100μA IC= -1.0mA IE= -100μA VCE= -1V, IC= -100mA VCE= -6V, IC= -400mA IC= -500mA, IB= -50mA VCE= -1V, IC= -100mA VCE= -6V, IC= -20mA VCB= -6V,IE=0, f=1MHz Min TYP Max 最小值 典型值 最大值 — Unit 單位 — -0.1 μA μA V — — -0.1 集電極-基極擊穿電壓 Collect-Base Breakdown Voltage -40 — — 集電極-基極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage -30 — — V 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 -5 — — — — V 70 25 400 — — Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極電壓 Transition Frequency 特徵頻率 Collector Output Capacitance 輸出電容 — — -0.6 V VBE — -0.8 -1.0 V fT 150 300 — MHz Cob — 7.0 10 pF 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9012 ■DIMENSION 外形封裝尺寸