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BZT52C5V6

BZT52C5V6

  • 厂商:

    JIANGSU(长晶)

  • 封装:

    SOD123

  • 描述:

    稳压二极管 Vz=5.6V 5.2V~6V Izt=5mA P=500mW SOD123

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BZT52C5V6 数据手册
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes BZT52C2V4-BZT52C43 ZENER DIODE SOD-123 FEATURES: + z Planar Die Construction z 350mW Power Dissipation on Ceramic PCB z General Purpose, Medium Current z Ideally Suited for Automated Assembly Processes z Available in Lead Free Version - Maximum Ratings(Ta=25℃ unless otherwise specified) Characteristic Forward Voltage (Note 2) @ IF = 10mA Symbol Value Unit VF 0.9 V PD 350 mW Thermal Resistance, Junction to Ambient Air RθJA 357 ℃/W Operating and Storage Temperature Range Tj,TSTG -65~ +150 Power Dissipation(Note 1) Notes: ℃ 1. Device mounted on ceramic PCB: 7.6mm x 9.4mm x 0.87mm with pad areas 25mm2 2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect 3. f=1KHZ A,Jun,2011 Electrical Characteristics ( Ta= 25℃ unless otherwise specified ) Type Type Number Code Zener Voltage Range (Note 2) Maximum Typical Maximum Zener Impedance Reverse Temperature (Note 3) Current Coefficent (Note 2) VZ@IZT IZT Nom(V) Min(V) Max(V) mA ZZT@IZT ZZK@IZK Ω @IZTC Test Current IZTC IZK IR VR mV/°C mA uA V Min Max mA BZT52C2V4 WX 2.4 2.20 2.60 5 100 600 1.0 50 1.0 -3.5 0 5 BZT52C2V7 W1 2.7 2.5 2.9 5 100 600 1.0 20 1.0 -3.5 0 5 BZT52C3V0 W2 3.0 2.8 3.2 5 95 600 1.0 10 1.0 -3.5 0 5 BZT52C3V3 W3 3.3 3.1 3.5 5 95 600 1.0 5 1.0 -3.5 0 5 BZT52C3V6 W4 3.6 3.4 3.8 5 90 600 1.0 5 1.0 -3.5 0 5 BZT52C3V9 W5 3.9 3.7 4.1 5 90 600 1.0 3 1.0 -3.5 0 5 BZT52C4V3 W6 4.3 4.0 4.6 5 90 600 1.0 3 1.0 -3.5 0 5 BZT52C4V7 W7 4.7 4.4 5.0 5 80 500 1.0 3 2.0 -3.5 0.2 5 BZT52C5V1 W8 5.1 4.8 5.4 5 60 480 1.0 2 2.0 -2.7 1.2 5 BZT52C5V6 W9 5.6 5.2 6.0 5 40 400 1.0 1 2.0 -2.0 2.5 5 BZT52C6V2 WA 6.2 5.8 6.6 5 10 150 1.0 3 4.0 0.4 3.7 5 BZT52C6V8 WB 6.8 6.4 7.2 5 15 80 1.0 2 4.0 1.2 4.5 5 BZT52C7V5 WC 7.5 7.0 7.9 5 15 80 1.0 1 5.0 2.5 5.3 5 BZT52C8V2 WD 8.2 7.7 8.7 5 15 80 1.0 0.7 5.0 3.2 6.2 5 BZT52C9V1 WE 9.1 8.5 9.6 5 15 100 1.0 0.5 6.0 3.8 7.0 5 BZT52C10 WF 10 9.4 10.6 5 20 150 1.0 0.2 7.0 4.5 8.0 5 BZT52C11 WG 11 10.4 11.6 5 20 150 1.0 0.1 8.0 5.4 9.0 5 BZT52C12 WH 12 11.4 12.7 5 25 150 1.0 0.1 8.0 6.0 10.0 5 BZT52C13 WI 13 12.4 14.1 5 30 170 1.0 0.1 8.0 7.0 11.0 5 BZT52C15 WJ 15 13.8 15.6 5 30 200 1.0 0.1 10.5 9.2 13.0 5 BZT52C16 WK 16 15.3 17.1 5 40 200 1.0 0.1 11.2 10.4 14.0 5 BZT52C18 WL 18 16.8 19.1 5 45 225 1.0 0.1 12.6 12.4 16.0 5 BZT52C20 WM 20 18.8 21.2 5 55 225 1.0 0.1 14.0 14.4 18.0 5 BZT52C22 WN 22 20.8 23.3 5 55 250 1.0 0.1 15.4 16.4 20.0 5 BZT52C24 WO 24 22.8 25.6 5 70 250 1.0 0.1 16.8 18.4 22.0 5 BZT52C27 WP 27 25.1 28.9 2 80 300 0.5 0.1 18.9 21.4 25.3 2 BZT52C30 WQ 30 28.0 32.0 2 80 300 0.5 0.1 21.0 24.4 29.4 2 BZT52C33 WR 33 31.0 35.0 2 80 325 0.5 0.1 23.1 27.4 33.4 2 BZT52C36 WS 36 34.0 38.0 2 90 350 0.5 0.1 25.2 30.4 37.4 2 BZT52C39 WT 39 37.0 41.0 2 130 350 0.5 0.1 27.3 33.4 41.2 2 BZT52C43 WU 43 40.0 46.0 5 100 700 1.0 0.1 32 10.0 12.0 5 A,Jun,2011
BZT52C5V6
物料型号:BZT52

器件简介:BZT52 是一款由罗姆半导体(ROHM Semiconductor)生产的瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)和浪涌电压的损害。

引脚分配:BZT52 通常采用SOD-123封装,具有两个引脚,分别是阳极(Anode)和阴极(Cathode)。

参数特性:BZT52 的主要参数包括工作电压(Vrwm)、反向工作电压(Vbr)、最大箝位电压(Vc)和最大脉冲峰值电流(Ip)。

功能详解:BZT52 利用其非线性特性,在正常工作电压下呈现高阻抗,而在电压超过其阈值时迅速降低阻抗,吸收浪涌能量,从而保护后级电路。

应用信息:BZT52 广泛应用于各种电子设备的ESD保护,如手机、电脑、USB接口等。
BZT52C5V6 价格&库存

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BZT52C5V6
  •  国内价格
  • 50+0.10561
  • 200+0.09901
  • 600+0.09241
  • 2000+0.08581
  • 5000+0.07920
  • 10000+0.07458

库存:1222