3DD5606-O-Z-N-C

R 低频放大管壳额定的双极型晶体管 CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR 3DD5606 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION 3DD5606 主要参数 BVCBO IC PC MAIN CHARACTERISTICS 1600V 6A 60W 封装 Package TO-220 用途 节能灯 电子镇流器 高频开关电源 高频功率变换 一般功率放大电路 APPLICATIONS Electronic ballasts High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit 等效电路 EQUIVALENT CIRCUIT 产品特性 高耐压 高电流容量 高开关速度 高可靠性 环保（RoHS）产品 FEATURES High breakdown voltage High current capability High switching speed High reliability RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 Order codes 3DD5606-O-Z-N-C 印 记 无卤素 Halogen Free 含卤素 封 装 包 装 器件重量 Device Weight Marking D5606 Package TO-220 Packaging 袋装 Bag 印记说明 MARKING 商标 Trademark 型号 Part No. 生产信息 product message 版本：201102A 1/3 R 3DD5606 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项 目 Parameter 绝对最大额定值 符号 Symbol 数值 Value 1600 800 9 6 10 3 60 150 -55~+150 单位 Unit V V V A A W 集电极—基极直流电压 Collector−Base Voltage 集电极—发射极直流电压 Collector−Emitter Voltage 发射极—基极直流电压 Emitter−Base Voltage 最大集电极电流 Collector Current 最大基极直流电流 Base Current 最大集电极耗散功率 Collector Power Dissipation 最高结温 Max. Junction Temperature 储存温度 Storage Temperature Range 直流 DC 脉冲 Pulse BVCES BVCEO BVEBO IC ICP IB PC Tj TSTG ℃ ℃ 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25℃) 项 目 Parameter 测试条件 Tests conditions IC=10mA,IB=0 IC=1mA,IE=0 IE=1mA,IC=0 VCE = 5V, IC = 1A VCE = 5V, IC = 0.01A IC=2A, IB=0.4A IC=2A, IB=0.4A IC=3A,2IB1=-IB2=1A fH=15.75kHz 最小值 Min 最大值 Max 单位 Unit V V V V V μs μs V(BR)CEO V(BR)CES V(BR)EBO HFE VCE(sat) VBE(sat) tf ts 800 1600 9 20 10 - 40 1.0 1.2 0.3 2 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符号 Symbo Rth(j-c) 最小值 min 最大值 max 单位 Unit ℃/W 结到管壳的热阻 TO-220 Thermal Resistance Junction CaseTO-220 - 2.08 版本：201012B 2/3 R 3DD5606 单位 Unit ：mm 符号 A B1 b c D D2 E e F L L2 P Q Q1 尺寸（mm） 4.4-4.8 1.1-1.4 0.7-0.95 0.3-0.55 14.45-16.0 8.2-9.2 9.6-10.4 2.54（typ） 1.2-1.35 13.05-14.05 3.7-3.9 3.5-4.0 2.4-3.0 2.2-2.9 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220 附录（Appendix）：修订记录（Revision History） 日期 Date 旧版本 Last Rev. 新版本 New Rev. 修订内容 Description of Changes 版本：201012B 3/3