R
肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR20200S
主要参数
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
MAIN
CHARACTERISTICS
20(2×10)A 200 V 175 ℃ 0.80V (@Tj=125℃)
封装 Package
TO-3PB
用途
高频开关电源 低压续流电路和保护电 路
APPLICATIONS
High frequency switch power supply Free wheeling diodes, polarity protection applications
产品特性
共阴结构 低功耗,高效率 良好的高温特性 有过压保护环, 高可靠性 环保(RoHS)产品
FEATURES
Common cathode structure Low power loss, high efficiency High Operating Junction Temperature Guard ring for overvoltage protection,High reliability RoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号 Order codes HBR20200SAB HBR20200SABR 印 记 封 装 否 是 无卤素 Halogen Free NO YES 包 装 器件重量 Device Weight 5.20 g(typ) 5.20 g(typ) Marking HBR20200S HBR20200S Package TO-3PB TO-3PB Packaging 条管 Tube 条管 Tube
版本(Rev.):201003A
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HBR20200S
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项 目
绝对最大额定值
符
号
数
值
单
位
Parameter 最大反向重复峰值电压 Repetitive peak reverse voltage 最大直流阻断电压 Maximum DC blocking voltage 正向平均整流电流 Average forward current TC=150℃ (TO-3PB) 整个器件 per device
Symbol VRRM VDC
Value 200 200 20
Unit V V
IF(AV) 单 侧 per diode 10
A
正向峰值浪涌电流 Surge non repetitive forward current (额定负载 8.3ms 半正弦波—按 JEDEC 方法) 8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method) 最高结温 Maximum junction temperature 储存温度 Storage temperature range
IFSM
120
A
Tj TSTG
175 -40~+150
℃ ℃
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项 目 测试条件 Tests conditions Tj =25℃ Tj =125℃ Tj =25℃ Tj =125℃ VR=VRRM IF=10A 0.88 0.75 最小值 典型值 最大值 10 6 0.95 0.80 单位 Unit μA mA V V Parameter IR VF Value(min) Value(typ) Value(max)
热特性 THERMAL CHARACTERISTICS
项 目 符 号 最小值 Value(min) 最大值 Value(max) 单 位 Parameter 结到管壳的热阻 Thermal resistance from junction to case Symbol Unit
TO-3PB
Rth(j-c)
3.0
℃/W
版本(Rev.):201003A
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HBR20200S
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) IF vs VF IR vs VR
特征曲线
IF(AV) vs TC
CT vs VR
版本(Rev.):201003A
3/5
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HBR20200S
单位 Unit :mm
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-3PB
3 0°
E φP F Q
A
B
B1 L
L2
D
符
号
Symbol A B B1 b c D E e F L L2 ΦP Q Q1
Min 4.6 2.9 1.9 0.9 0.5 19.4 15.4 1.4 19.5 3.3 3.1 5.8 1.3
Max 5.0 3.2 2.2 1.10 0.70 20.4 15.8 1.60 20.5 3.7 3.5 6.2 1.5
e
b
Q1
c
5.45(typ)
版本(Rev.):201003A
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HBR20200S
NOTE
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注意事项
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3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大 额定值,否则会影响整机的可靠性。 4.本说明书如有版本变更不另外告知
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附录(Appendix) :修订记录(Revision History)
日期 Date 旧版本 新版本 Last Rev. New Rev. 修订内容 Description of Changes
版本(Rev.):201003A
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