JCS650

R N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JCS650 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson @Vgs=10V） （ Qg 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 28.0 A 200 V 0.085Ω 103 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS FEATURES Low gate charge Low Crss (typical 81pF ) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product 产品特性 低栅极电荷 低 Crss (典型值 81pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 Order codes JCS650C-O-C-N-B JCS650F-O-F-N-B 印 记 封 装 无卤素 Halogen Free 否 否 NO NO 包 装 器件重量 Device Weight 2.15 g(typ) 2.20 g(typ) Marking JCS650C JCS650F Package TO-220C TO-220MF Packaging 条管 Tube 条管 Tube 版本：201008A 1/10 R JCS650 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 符 号 JCS650C 200 28 17.7 28* 17.7* 数 值 JCS650F Value 单 位 Unit V A A 项 目 绝对最大额定值 Parameter 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current Symbol VDSS ID T=25℃ T=100℃ IDM -continuous 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current - pulse （note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） 雪崩电流（注 1） Avalanche Current（note 1） 重复雪崩能量（注 1） Repetitive Avalanche Current （note 1） 二极管反向恢复最大电压变化 速率（注 3） Peak Diode Recovery dv/dt （note 3） 112 112* A VGSS ±30 V EAS 575 mJ IAR 28 A EAR 15.8 mJ dv/dt 5.5 V/ns 耗散功率 Power Dissipation PD TC=25℃ -Derate above 25℃ TJ，TSTG 158 50 W 1.265 0.40 W/℃ 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes -55～+150 ℃ TL 300 ℃ *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 版本：201008A 2/10 R JCS650 项 目 符 号 测试条件 Tests conditions 最大 典型 最 大 单 位 Min Typ Max Units Parameter Symbol 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse 通态特性 On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resistance 正向跨导 Forward Transconductance 输入电容 Input capacitance 输出电容 Output capacitance 反向传输电容 Reverse transfer capacitance VGS(th) VDS = VGS , ID=250μA 2.0 4.0 V BVDSS ID=250μA, VGS=0V 200 V ΔBVDSS/Δ ID=250μA, referenced to 25℃ TJ VDS=200V,VGS=0V, TC=25 ℃ VDS=160V, IGSSF VDS=0V, TC=125℃ - 0.19 - V/℃ IDSS - - 1 10 100 μA μA nA VGS =30V IGSSR VDS=0V, VGS =-30V - - -100 nA RDS(ON) VGS =10V , ID=14A VDS = 40V, ID=14A（note 4） VDS=25V, VGS =0V, f=1.0MHZ - 0.068 0.085 Ω gfs - 24 - S 动态特性 Dynamic Characteristics Ciss Coss Crss 2879 3742 362 470 81 105 pF pF pF 版本：201008A 3/10 R JCS650 td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VDS =160V , ID=28A VGS =10V （note 4，5） VDD=100V,ID=28A,RG=25Ω （note 4，5） 28 69 ns ns ns ns nC nC nC 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 开关特性 Switching Characteristics 延迟时间 Turn-On delay time 上升时间 Turn-On rise time 延迟时间 Turn-Off delay time 下降时间 Turn-Off Fall time 栅极电荷总量 Total Gate Charge 栅－源电荷 Gate-Source charge 栅－漏电荷 Gate-Drain charge 251 494 309 617 220 412 103 136 16 53 - 漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain -Source Diode Forward Current 正向最大脉冲电流 Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current 正向压降 Drain-Source Diode Forward Voltage 反向恢复时间 Reverse recovery time 反向恢复电荷 Reverse recovery charge VSD IS 28 A ISM - - 112 A VGS=0V, IS=28.0A - - 1.40 V trr Qrr VGS=0V, IS=28.0A dIF/dt=100A/μs (note 4) - 218 1.91 - ns μC 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 符 号 JCS650C 0.79 62.5 Notes: 1：Pulse width limited by maximum junction temperature 2：L=1.1mH, IAS=28A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting TJ=25℃ 3：ISD ≤28A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％ 5：Essentially independent of operating temperature 最大 Max JCS650F 2.48 62.5 Parameter 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case Symbol Rth(j-c) 单 位 Unit ℃/W ℃/W 结到环境的热阻 Rth(j-A) Thermal Resistance, Junction to Ambient 注释： 1：脉冲宽度由最高结温限制 2：L=1.1mH, IAS=28A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结 温 TJ=25℃ 3：ISD ≤28A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃ 4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％ 5：基本与工作温度无关 版本：201008A 4/10 R JCS650 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Transfer Characteristics On-Region Characteristics ID Drain Current[A] ID [A] VGS 15V 10V 9V 8V 7V 6.5V 6V 5.5V Bottom 5V Top 10 25℃ 150℃ 1 10 Notes: 1. 250μs pulse test 2. TC=25℃ 1 10 0.1 Notes: 1.250μs pulse test 2.VDS=40V 2 4 6 8 10 VDS [V] VGS Gate-Source Voltage[V] On-Resistance Variation vs. Drain Current and Gate Voltage 0.10 Body Diode Forward Voltage Variation vs. Source Current and Temperature R DS (on ) Drain-Source On Resistance [Ω] VGS=10V 0.08 IDR Reverse Drain Current[A] 0.09 10 150℃ 25℃ 0.07 1 VGS=20V 0.06 Note:Tj=25℃ 0.05 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 ID [A] V S D Source-Drain voltage[V] Capacitance Characteristics 8x10 7x10 3 Gate Charge Characteristics 12 3 Capacitance [pF] VGS Gate Source Voltage[V] 6x10 5x10 4x10 3x10 2x10 3 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd VDS=160V 10 VDS=100V VDS=40V 8 3 3 6 3 4 3 2 1x10 3 0 10 -1 0 V DS Drain-Source Voltage [V] 10 0 10 1 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 Qg Toltal Gate Charge [nC] 版本：201008A 5/10 R JCS650 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Breakdown Voltage Variation On-Resistance Variation vs. Temperature vs. Temperature 1.2 4.0 3.5 BVDS(Normalized) (Normalized) ( on ) 1.1 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 -75 1.0 0.9 Notes: 1. VGS=0V 2. ID=250μA -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 RD 0.8 -75 Notes: 1. VGS=10V 2. ID=14A -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 T j [℃] T j [℃ ] Maximum Safe Operating Area For JCS650C 10 2 Maximum Safe Operating Area For JCS650F 10 2 Operation in This Area is Limited by RDS(ON) 10μs 100μs 1ms 10ms 100ms Operation in This Area is Limited by RDS(ON) 10μs 100μs I D Drain Current [A] ID Drain Current [A] 10 1 10 1 1ms 10ms 10 0 10 -1 Note: 1 TC=25 ℃ 2 TJ=150 ℃ 3 Single Pulse 0 DC 10 0 100ms Note: 1 TC=25 ℃ 2 TJ=150 ℃ 3 Single Pulse 0 DC 10 VD S Drain-Source Voltage [V] 10 1 10 2 10 -1 10 VD S Drain-Source Voltage [V] 10 1 10 2 Maximum Drain Current vs. Case Temperature 30 25 ID Drain Current [A] 20 15 10 5 0 25 50 75 100 125 150 TC Case Temperature [℃] 版本：201008A 6/10 R JCS650 Transient Thermal Response Curve For JCS650C 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) (t) Thermal Response 1 D = 0 .5 0 .2 0 .1 0 .1 0 .0 5 0 .0 2 0 .0 1 N 1 2 3 o te s : Z θ J C (t)= 0 .7 9 ℃ /W M a x D u ty F a c to r , D = t1 /t2 T J M -T c = P D M * Z θ J C(t) θ JC 0 .0 1 s in g le p u ls e P Z DM t1 t2 1 E -5 1 E -4 1 E -3 0 .0 1 0 .1 1 10 t1 S q u a r e W a v e P u ls e D u r a tio n [s e c ] Transient Thermal Response Curve For JCS650F (t) Thermal Response D = 0 .5 1 0 .2 0 .1 0 .0 5 0 .0 2 0 .0 1 0 .1 N 1 2 3 o te s : Z θ J C (t)= 2 .4 8 ℃ /W M a x D u ty F a c to r , D = t1 /t2 T J M -T c = P D M * Z θ J C(t) θ JC P Z DM s in g le p u ls e 0 .0 1 1 E -5 1 E -4 1 E -3 0 .0 1 0 .1 t1 t2 1 10 t1 S q u a r e W a v e P u ls e D u r a tio n [s e c ] 版本：201008A 7/10 R JCS650 单位 Unit：mm 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220C 版本：201008A 8/10 R JCS650 单位 Unit：mm 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220MF 版本：201008A 9/10 R JCS650 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 注意事项 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分 为直销和销售代理，无论哪种方式，订货 时请与公司核实。 2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公 司本部联系。 3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大 额定值，否则会影响整机的可靠性。 4.本说明书如有版本变更不另外告知 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn 市场营销部 地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 电话： 86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 传真: 86-432-64671533 CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 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