LS5114_TO-18

LS5114 P-CHANNEL JFET Linear Systems replaces discontinued Siliconix 2N5114 This analog switch is designed for inverting switching into inverting input of an Operational Amplifier. The hermetically sealed TO-18 package is well suited for hi-reliability and harsh environment applications. (See Packaging Information). FEATURES  DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX 2N5114  LOW ON RESISTANCE  rDS(on) ≤ 75Ω  LOW CAPACITANCE  6pF  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐55°C to +200°C  LS5114 Benefits: Operating Junction Temperature  ‐55°C to +200°C  Low On Resistance Maximum Power Dissipation  ID(off) ≤ 500 pA Continuous Power Dissipation   500mW  Switches directly from TTL logic MAXIMUM CURRENT LS5114 Applications: Gate Current (Note 1)  IG = ‐50mA  Analog Switches MAXIMUM VOLTAGES  Commutators Gate to Drain Voltage  VGDS = 30V  Choppers Gate to Source Voltage  VGSS = 30V  LS5114 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  BVGSS  Gate to Source Breakdown Voltage  30  ‐‐  ‐‐    IG = 1µA,   VDS = 0V    VGS(off)  Gate to Source Cutoff Voltage  4  ‐‐  10  VDS = ‐15V, ID = ‐1nA  V  VGS(F)  Gate to Source Forward Voltage  ‐‐  ‐0.7  ‐1  IG = ‐1mA,   VDS = 0V      ‐‐  ‐1.0  ‐1.3  VGS = 0V, ID = ‐15mA  VDS(on)  Drain to Source On Voltage  ‐‐  ‐0.7  ‐‐  VGS = 0V, ID = ‐7mA  ‐‐  ‐0.5  ‐‐  VGS = 0V, ID = ‐3mA  IDSS  Drain to Source Saturation Current (Note 2)  ‐30  ‐‐  ‐90  mA  VDS = ‐18V, VGS = 0V  IGSS  Gate Reverse Current  ‐‐  5  500    VGS = 20V,  VDS = 0V    IG  Gate Operating Current  ‐‐  ‐5  ‐‐  VDS = ‐15V,  ID = ‐1mA  pA      ‐‐  ‐10  ‐500  VDS = ‐15V, VGS = 12V    ID(off)  Drain Cutoff Current  ‐‐  ‐10  ‐‐  VDS = ‐15V, VGS = 7V  ‐‐  ‐10  ‐‐  VDS = ‐15V, VGS = 5V  rDS(on)  Drain to Source On Resistance  ‐‐  ‐‐  75  Ω  ID = ‐1mA,   VGS = 0V  LS5114 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  gfs  Forward Transconductance  ‐‐  4.5  ‐‐  mS  VDS = ‐15V,  ID = 1mA , f = 1kHz  gos  Output Conductance  ‐‐  20  ‐‐  µS  rDS(on)  Drain to Source On Resistance  ‐‐  ‐‐  75  Ω  ID = 0A,   VGS = 0V,   f = 1kHz  Ciss  Input Capacitance  ‐‐  20  25    VDS = ‐15V, VGS = 0V, f = 1MHz  pF      ‐‐  5  7  VDS = 0V, VGS = 12V, f = 1MHz  Crss  Reverse Transfer Capacitance  ‐‐  6  ‐‐  VDS = 0V, VGS = 7V, f = 1MHz  ‐‐  6  ‐‐  VDS = 0V, VGS = 5V, f = 1MHz  en  Equivalent Noise Voltage  ‐‐  20  ‐‐  nV/√Hz  VDG = 10V,  ID = 10mA , f = 1kHz  LS5114 SWITCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC    UNITS  CONDITIONS  Click To Buy Turn On Time  Turn On Rise Time  Turn Off Time  Turn Off Fall Time  6  10  6  15      ns  VGS(L) = ‐11V  VGS(H) = 0V    See Switching Circuit  ‐10V  20V  430Ω  100Ω  ‐15mA            Available Packages: LS5114 in TO-18 LS5114 in bare die. Please contact Micross for full package and die dimensions Tel: +44 1603 788967 Email: chipcomponents@micross.com Web: http://www.micross.com/distribution TO-18 (Bottom View) td(on)  tr  td(off)  tf  Note 1 ‐ Absolute maximum ratings are limiting values above which LS5114 serviceability may be impaired.  Note 2 – Pulse test: PW≤ 300 µs, Duty Cycle ≤                                                                                                                     3% LS5114 SWITCHING CIRCUIT PARAMETERS                                                                                                                           VDD  VGG  RL  RG  ID(on)  SWITCHING TEST CIRCUIT Micross Components Europe Information furnished by Linear Integrated Systems and Micross Components is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed for its use; nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Linear Integrated Systems.