UNR411E00A

物料型号: UNR411x系列，包括UNR4110至UNR411N和UNR411D至UNR411F等型号。

器件简介: 这些是带有内置电阻的PNP外延平面型晶体管，专为数字电路设计。

引脚分配: 引脚从1到3分别代表发射极(Emitter)、集电极(Collector)和基极(Base)。

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO)：-50V - 集电极-发射极电压(VCEO)：-50V - 集电极电流(IC)：最大-100mA - 总功率耗散(PT)：300mW - 结温(Tj)：最高150°C - 存储温度(Tstg)：-55至+150°C

功能详解: - 这些晶体管设计用于降低设备成本，通过缩小设备尺寸和减少零件数量。 - 提供新的S型封装，允许径向卷带供应。

应用信息: - 这些晶体管适用于需要内置电阻的数字电路应用。

封装信息: 提供NS-B1封装类型。

此外，文档还包含了电气特性表，包括不同条件下的最小、典型和最大值，如集电极-基极电压(VCBO)、集电极-发射极电压(VCEO)、集电极-基极截止电流(ICBO)等。还包括了不同型号晶体管的正向电流传输比(hFE)和集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))等参数的图表。