NCE01H13D

厂商：
NCEPOWER(无锡新洁能)
封装：
TO-263
描述：
N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W

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Pb Free Product NCE01H13D http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01H13D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =100V,ID =130A RDS(ON)

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型号：NCE01H13D
品牌：NCE
封装：TO-263(D²Pak)
描述：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W

国内价格
1+3.05250
10+2.77500
30+2.59000
100+2.31250
500+2.18300
1000+2.09050

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