NCE55P04S

厂商：
NCEPOWER(无锡新洁能)
封装：
SOIC8_150MIL
描述：
2个P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W

数据手册：

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Pb Free Product NCE55P04S http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D1 D2 The NCE55P04S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G2 G1 can be used in a wide variety of applications. S1 General Features S2 Schematic diagram ● VDS =-55V,ID =-4A RDS(ON)

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型号：NCE55P04S
品牌：NCE
封装：SOIC8_150MIL
描述：2个P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W

国内价格
1+1.94736
10+1.77216
30+1.65536
100+1.48016
500+1.39840
1000+1.34000

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