1N5391

1N5391 thru 1N5399 Axial Lead General Purpose Silicon Rectifiers, 1.5 Amp, DO−15 Features: D 1.5 Amp Operation at TA = +70C with no Thermal Runaway D High Current Capability D Low Leakage Absolute Maximum Ratings: (TA = +25C unless otherwise specified, Note 1) Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM 1N5391 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V 1N5392 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V 1N5393 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V 1N5395 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V 1N5396 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V 1N5397 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V 1N5398 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V 1N5399 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V Average Rectified Current (.375” Lead Length, TA = +75C), IO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5A Non−Repetitive Peak Forward Surge Current (8.3ms Single Half−Sine Wave), IFSM . . . . . . . . . 50A Total Device Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.8W Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +150C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +150C Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +26C/W Note 1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired. Electrical Characteristics: (TA = +25C unless otherwise specified) Parameter Maximum Reverse Current Symbol IR Test Conditions Min Typ Max Unit − − 5.0 A − − 300 A iF = 1.5A − − 1.4 V VR = 4V, f = 1MHz − 25 − pF Rated DC Voltage TA = +25C TA = +100C Maximum Forward Voltage Junction Capacitance VF 1.075 (27.3) Min .250 (6.35) Max .130 (3.3) Dia Max .030 (0.76) Dia Max Color Band Denotes Cathode