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创作活动
1N5822

1N5822

  • 厂商:

    NTE

  • 封装:

    DO-201AD

  • 描述:

    直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):525mV@3A

  • 数据手册
  • 价格&库存
1N5822 数据手册
1N5820, 1N5821, 1N5822 Silicon Rectifier Diodes Schottky Barrier, Fast Switching Features: D 3.0 Ampere Operation at TA = +95C Application: D For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters Free Wheeling, and Polarity Protection Applications Maximum Ratings and Electrical Characteristics: (TA = +25C unless otherwise specified) Maximum Repetitive Reverse Voltage, VRRM 1N5820 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V 1N5821 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V 1N5822 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V Maximum Average Forward Rectified Current, IF(AV) (.375” (9.5mm) lead length at TL = +95C), . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0A Non−Repetitive Peak Forward Surge Current (8.3ms single half sine−wave), IFSM . . . . . . . . . . 80A Maximum Instantaneous Forward Voltage, VF IF = 3.0A 1N5820 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .475mV 1N5821 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .500mV 1N5822 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .525mV IF = 9.4A 1N5820 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .850mV 1N5821 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .900mV 1N5822 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .950mV Maximum Average Reverse Current, IR TA = +25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5mA TA = +100C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA Power Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.6W Typical Junction Capacitance (VR = 4V, f = 1MHz) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190pF Operating Junction Temperature Range TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65 to +125C Storage Temperature Range TSTG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65 to +125C Typical Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28C/W 1.000 (25.4) Min .371 (9.4) Max .050 (1.27) Dia Max Color Band Denotes Cathode .250 (6.35) Dia Max
1N5822 价格&库存

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