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2N3772

2N3772

  • 厂商:

    NTE

  • 封装:

    TO204AA

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 20A TO204

  • 数据手册
  • 价格&库存
2N3772 数据手册
2N3771 & 2N3772 Silicon NPN Transistor High Power Audio Amplifier TO−3 Type Package Description: The 2N3771 and 2N3772 are silicon epitaxial−base NPN transistors in a TO−3 type case intended for linear amplifiers and inductive switching applications Absolute Maximum Ratings: Collector−Emitter Voltage (IE = 0), VCEO 2N3771 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V 2N3772 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V Collector−Emitter Voltage (VBE = −1.5V), VCEV 2N3771 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V 2N3772 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V Collector−Base Voltage (IB = 0), VCBO 2N3771 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V 2N3772 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Emitter−Base Voltage (IC = 0), VEBO 2N3771 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V 2N3772 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V Collector Current, IC 2N3771 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A 2N3772 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A Peak Collector Current, ICM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A Base Current, IB 2N3771 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.5A 2N3772 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A Peak Base Current, IBM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A Total Device Dissipation (TC  +25C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65 to +200C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65 to +200C Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.17C/W Electrical Characteristics: (TC =+25C unless otherwise specified) Parameter Min Typ Max Unit VCB = 50V − − 2 mA 2N3772 VCB = 100V − − 5 mA All Devices VCB = 30V, TJ = +150C − − 10 mA VCB = 30V − − 10 mA VCB = 50V − − 10 mA VCB = 50V − − 4 mA VCB = 100V − − 5 mA VCB = 5V − − 5 mA VCB = 7V − − 5 mA 40 − − V 60 − − V VCEV(sus) VBE = −1.5V, IC = 200mA, RBE = 100, Note 1 50 − − V 80 − − V VCER(sus) IC = 200mA, RBE = 100, Note 1 45 − − V 70 − − V IC = 15A, IB = 1.5A − − 2 V IC = 30A, IB = 6A − − 4 V IC = 10A, IB = 1A − − 1.4 V IC = 20A, IB = 4A − − 4 V VCE = 4V, Note 1 IC = 15A − − 2.7 V IC = 10A − − 2.7 V VCE = 4V, Note 1 IC = 15A 15 − 60 IC = 30A 5 − − IC = 10A 15 − 60 IC = 20A 5 − − Collector Cutoff Current 2N3771 Collector Cutoff Current 2N3771 Symbol ICEV ICEO Test Conditions VBE = −1.5V IB = 0 2N3772 Collector Cutoff Current 2N3771 ICBO IE = 0 2N3772 Emitter Cutoff Current 2N3771 IEBO IC = 0 2N3772 Collector−Emitter Sustaining Voltage 2N3771 VCEO(sus) IC = 200mA, IB = 0, Note 1 2N3772 Collector−Emitter Sustaining Voltage 2N3771 2N3772 Collector−Emitter Sustaining Voltage 2N3771 2N3772 Collector−Emitter Saturation Voltage 2N3771 VCE(sat) Note 1 2N3772 Base−Emitter Voltage 2N3771 VBE 2N3772 DC Current Gain 2N3771 hFE 2N3772 Small Signal Current Gain hFE IC = 1A, VCE = 4V, f = 1kHz 40 − − Transition Frequency fT IC = 1A, VCE = 4V, f = 50kHz 0.2 − − MHz Second Breakdown Collector Current Is/b VCE = 25V, t = 1s (non−repetitive) 6 − − A Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300s. Duty Cycle  2%. .135 (3.45) Max .350 (8.89) .875 (22.2) Dia Max Seating Plane .312 (7.93) Min Emitter .040 (1.02) 1.187 (30.16) .665 (16.9) .215 (5.45) .156 (3.96) Dia (2 Holes) .430 (10.92) .188 (4.8) R Max Base .525 (13.35) R Max Collector/Case
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