DATA SHEET
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用桥谐振转换的率
FSFR-XS 系
说明
FSFR-XS 系列包括度成的电源开,效率半桥谐
振转换器而设计。它提构建可、强的谐振转换器所的
切,FSFR-XS 系列
简化设计,同时提生
力和性
能。FSFR-XS 系列将Power MOSFET 快恢复型极管、
栅极动电路、精确电流控制的振荡器、 率
制电路、
软启动和置护功能整合在 起。栅极动电路有
模噪声消功能,
卓越的抗噪能力确行稳定。
MOSFET的快恢复极管可提可性,止异常操情
况的发生,同时又能将反向恢复的影响至最。用电压
开(ZVS) 技术可显著开损耗并提效率。ZVS 可显
著开噪声,许用小尺寸的电磁干扰 (EMI) 滤波器。
SIP9 26x10.5
CASE 127EM
SIP9 26x10.5
CASE 127EN
特
•半桥谐振转换器拓扑提 50% 占空比的变 控制
•
电压开 (ZVS) 实现效率
•有快恢复极管的 UniFETt
• MOSFET 化的固定死区时 (350 ns)
•工 率最可 300 kHz
•利用外 LVCC 实现所有护的自动启动操
•护功能
压护 (OVP)、
流护 (OCP)、异常
流护
(AOCP)、热断 (TSD)
用
•等离子 (PDP) 液晶 (LCD) 电视
•台式计算机服务器
•器
•电源
MARKING DIAGRAM
$Y&Z &3&K
XXXXXXXXXX
$Y
= onsemi Logo
&Z
= Assembly Plant Code
&3
= 3−Digit Date Code
&K
= 2−Digits Lot Run Traceability Code
XXXXXXXXXX= Device Code
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information on page 2 of
this data sheet.
相资源
AN−4151 − 用FSFR系列功率开的半桥 LLC谐振转换器
设计
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010
January, 2022 − Rev. 2
1
Publication Order Number:
FSFR2100XSCN/D
订购
装
结温
RDS(ON_MAX)
散热片的最输率
(VIN = 350~400 V) ( 1, 2)
散热片的最输率
(VIN = 350~400 V) ( 1, 2)
9−SIP
-40 +130°C
0.51 W
180 W
400 W
FSFR1800XS
0.95 W
120 W
260 W
FSFR1700XS
1.25 W
100 W
200 W
1.55 W
80 W
160 W
0.51 W
180 W
400 W
0.95 W
120 W
260 W
FSFR1700XSL
1.25 W
100 W
200 W
FSFR1600XSL
1.55 W
80 W
160 W
编
FSFR2100XS
FSFR1600XS
FSFR2100XSL
FSFR1800XSL
9-SIP
L-
1.
。
2. 50°C 。
用电路
Cr
VIN
VCC
VO
LV CC
VDL
RMIN
RMAX
RT
RSS
CSS
AR
FSFR−XS
Series
HVCC
VCTR
CS
SG
PG
1.
用电路 (LLC 谐振桥转换)
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2
框
V REF
V REF
LVCC
V DL
7
1
9 HVCC
IRT
IRT
2I RT
3V
S
1V
R
LVCC good
Q
V REF
Internal
Bias
LUV+ / LUV−
HUV+ / HUV−
2V
Time
Delay
350 ns
RT 3
Level
Shifter
High−Side
Gate Driver
10 VCTR
Divider
AR 2
Time
Delay
350 ns
V CssH / V CssL
5k
S
R
LVCC good
Q
Balancing
Delay
Low−Side
Gate Driver
Shutdown
TSD
LV CC
VOVP
VAOCP
Delay
50 ns
6 PG
VOCP
Delay
1.5 ms
−1
5 SG
4
CS
2. 部框
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3
脚
2 3 4 5 6 7 8
RT
SG LVcc
1
V DL
AR
CS
9
PG
10
V
HVcc
3. 装
脚
脚
称
说明
1
VDL
MOSFET
2
AR
)*+,
-
./01234567897。:)*+7; 0.2 V ,
?
.@ABCDE。
3
RT
F*+,
GHI。JK,LMN%&F*+,,OPQ
7I。
4
CS
)*+RS(T MOSFET 7(。K,U70VF*+。
5
SG
F*+ AK。
6
PG
F*+7WK。F*+%& MOSFET W!。
7
LVCC
8
NC
9
HVCC
Y!Z7[ IC 7W7。
10
VCTR
MOSFET
!,#$%&'(
。
F*+A IC 77。
X%&。
!。K,\B%&F*+。
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4
绝!最额" (TA = 25°C,]^_?`a。)
符
#数
最$"
最"
%&
500
−
V
−0.3
25.0
V
−0.3
25.0
V
c7W7
−0.3
525.0
V
VAR
de6*+
7
−0.3
LVCC
V
VCS
7(fS (CS) *+
7
−5.0
1.0
V
VRT
RT *+
7
−0.3
5.0
V
−
50
V/ns
FSFR2100XS/L
−
12.0
W
FSFR1800XS/L
−
11.7
FSFR1700XS/L
−
11.6
FSFR1600XS/L
−
11.5
−
+150
klE ( 4)
−40
+130
mno
−55
+150
°C
500
−
V
VDS
LVCC
7W7
HVCC
VCTR
HVCC
dVCTR/dt
PD
!W!7 (VDL-VCTR b VCTR-PG)
VCC *+
g MOSFET
ij
!7
!7h
( 3)
( 4)
TJ
TSTG
°C
MOSFET 部'
VDGR
!Y!7 (RGS = 1 MW)
VGS
Y!W! (GND) 7
IDM
p
ID
%
7( ( 5)
!7(
−
±30
V
FSFR2100XS/L
−
32
A
FSFR1800XS/L
−
23
FSFR1700XS/L
−
20
FSFR1600XS/L
−
18
TC = 25°C
−
10.5
TC = 100°C
−
6.5
TC = 25°C
−
7.0
TC = 100°C
−
4.5
TC = 25°C
−
6.0
TC = 100°C
−
3.9
TC = 25°C
−
4.5
TC = 100°C
−
2.7
FSFR2100XS/L
FSFR1800XS/L
FSFR1700XS/L
FSFR1600XS/L
A
装部'
qr
5~7
stuvqr
kgf·cm
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality
should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.
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