MC74VHCXXM

ON Semiconductort Hex Inverter MC74VHC04 The MC74VHC04 is an advanced high speed CMOS inverter fabricated with silicon gate CMOS technology. It achieves high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL while maintaining CMOS low power dissipation. The internal circuit is composed of three stages, including a buffer output which provides high noise immunity and stable output. The inputs tolerate voltages up to 7V, allowing the interface of 5V systems to 3V systems. • High Speed: tPD = 3.8ns (Typ) at VCC = 5V • Low Power Dissipation: ICC = 2μA (Max) at TA = 25°C • High Noise Immunity: VNIH = VNIL = 28% VCC • Power Down Protection Provided on Inputs • Balanced Propagation Delays • Designed for 2V to 5.5V Operating Range • Low Noise: VOLP = 0.8V (Max) • Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families • Latchup Performance Exceeds 300mA • ESD Performance: HBM > 2000V; Machine Model > 200V • Chip Complexity: 36 FETs or 9 Equivalent Gates D SUFFIX 14−LEAD SOIC PACKAGE CASE 751A−03 DT SUFFIX 14−LEAD TSSOP PACKAGE CASE 948G−01 M SUFFIX 14−LEAD SOIC EIAJ PACKAGE CASE 965−01 ORDERING INFORMATION MC74VHCXXD MC74VHCXXDT MC74VHCXXM SOIC TSSOP SOIC EIAJ w These devices are available in Pb−free package(s). Specifications herein apply to both standard and Pb−free devices. Please see our website at www.onsemi.com for specific Pb−free orderable part numbers, or contact your local ON Semiconductor sales office or representative. FUNCTION TABLE Inputs A1 1 2 Y1 A L H Outputs Y H L A2 3 4 Y2 A3 5 6 Y3 Y=A VCC 14 A6 13 Y6 12 A5 11 Y5 10 A4 9 Y4 8 A4 9 8 Y4 A5 11 10 Y5 A6 13 12 Y6 1 A1 2 Y1 3 A2 4 Y2 5 A3 6 Y3 7 GND Figure 1. LOGIC DIAGRAM Figure 2. Pinout: 14−Lead Packages (Top View) © Semiconductor Components Industries, LLC, 2006 March, 2006 − Rev. 4 1 Publication Order Number: MC74VHC04/D Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎ Î Î * Absolute maximum continuous ratings are those values beyond which damage to the device may occur. Exposure to these conditions or conditions beyond those indicated may adversely affect device reliability. Functional operation under absolute−maximum−rated conditions is not implied. †Derating — SOIC Packages: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C TSSOP Package: − 6.1 mW/_C from 65_ to 125_C ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎ Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ MAXIMUM RATINGS* Symbol VCC Vout Tstg ICC IOK Iout Vin PD IIK Storage Temperature Power Dissipation in Still Air, DC Supply Current, VCC and GND Pins DC Output Current, per Pin Output Diode Current Input Diode Current DC Output Voltage DC Input Voltage DC Supply Voltage Parameter SOIC Packages† TSSOP Package† –0.5 to VCC + 0.5 – 65 to + 150 –0.5 to + 7.0 –0.5 to + 7.0 Value ± 50 ± 25 ± 20 500 450 −20 Unit mW mA mA mA mA _C V V V DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS Symbol Symbol VOH VOL VCC Vout VIH tr, tf VIL Vin TA Maximum Low−Level Output Voltage Minimum High−Level Output Voltage Maximum Low−Level Input Voltage Minimum High−Level Input Voltage Input Rise and Fall Time Operating Temperature DC Output Voltage DC Input Voltage DC Supply Voltage Parameter Parameter Vin = VIH or VIL IOL = 4mA IOL = 8mA Vin = VIH or VIL IOL = 50μA Vin = VIH or VIL IOH = −4mA IOH = −8mA Vin = VIH or VIL IOH = −50μA Test Conditions VCC = 3.3V ±0.3V VCC = 5.0V ±0.5V http://onsemi.com 2.0 3.0 to 5.5 2.0 3.0 to 5.5 VCC V 3.0 4.5 2.0 3.0 4.5 3.0 4.5 2.0 3.0 4.5 Min −40 2.0 0 0 0 0 1.50 VCC x 0.7 2.58 3.94 Min 1.9 2.9 4.4 + 85 Max VCC 100 20 5.5 5.5 TA = 25°C Typ 0.0 0.0 0.0 2.0 3.0 4.5 ns/V Unit _C V V V 0.50 VCC x 0.3 0.36 0.36 Max 0.1 0.1 0.1 This device contains protection circuitry to guard against damage due to high static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this high−impedance circuit. For proper operation, Vin and Vout should be constrained to the range GND v (Vin or Vout) v VCC. Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level (e.g., either GND or V CC ). Unused outputs must be left open. 1.50 VCC x 0.7 TA = −40 to 85°C 2.48 3.80 Min 1.9 2.9 4.4 0.50 VCC x 0.3 0.44 0.44 Max 0.1 0.1 0.1 Unit V V V V 2 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS Symbol Iin Parameter Test Conditions VCC V TA = 25°C Typ TA = −40 to 85°C Min Max ± 0.1 20.0 Min Max Unit μA μA Maximum Input Leakage Current Vin = 5.5 or GND 0 to 5.5 5.5 ± 0.1 2.0 ICC Maximum Quiescent Supply Current Vin = VCC or GND AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns) Symbol tPLH, tPHL Parameter TA = 25°C Typ 5.0 7.5 3.8 5.3 4 TA = −40 to 85°C Min 1.0 1.0 1.0 1.0 Max 8.5 12.0 6.5 8.5 10 Test Conditions Min Max Unit ns Maximum Propagation Delay, A or B to Y VCC = 3.3 ± 0.3V VCC = 5.0 ± 0.5V CL = 15pF CL = 50pF CL = 15pF CL = 50pF 7.1 10.6 5.5 7.5 10 Cin Maximum Input Capacitance pF Typical @ 25°C, VCC = 5.0V 18 CPD Power Dissipation Capacitance (Per Inverter) (Note 1) pF 1. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load. Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD  VCC  fin + ICC / 6 (per buffer). CPD is used to determine the no−load dynamic power consumption; PD = CPD  VCC2  fin + ICC  VCC. NOISE CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns, CL = 50pF, VCC = 5.0V) TA = 25°C Symbol VOLP VOLV VIHD VILD Characteristic Quiet Output Maximum Dynamic VOL Quiet Output Minimum Dynamic VOL Minimum High Level Dynamic Input Voltage Maximum Low Level Dynamic Input Voltage Typ 0.4 −0.4 Max 0.8 −0.8 3.5 1.5 TEST POINT A 50% tPLH Y 50% VCC *Includes all probe and jig capacitance tPHL VCC GND DEVICE UNDER TEST OUTPUT CL* Unit V V V V Figure 3. Switching Waveforms Figure 4. Test Circuit INPUT Figure 5. Input Equivalent Circuit http://onsemi.com 3 OUTLINE DIMENSIONS D SUFFIX SOIC−14 CASE 751A−03 ISSUE F − A− 14 8 − B− 1 7 P 7 PL 0.25 (0.010) M B M NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 3. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE MOLD PROTRUSION. 4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006) PER SIDE. 5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION. G C R X 45 _ F −T− SEATING PLANE D 14 PL 0.25 (0.010) M K TB S M A S J DIM A B C D F G J K M P R MILLIMETERS MIN MAX 8.55 8.75 3.80 4.00 1.35 1.75 0.35 0.49 0.40 1.25 1.27 BSC 0.19 0.25 0.10 0.25 0_ 7_ 5.80 6.20 0.25 0.50 INCHES MIN MAX 0.337 0.344 0.150 0.157 0.054 0.068 0.014 0.019 0.016 0.049 0.050 BSC 0.008 0.009 0.004 0.009 0_ 7_ 0.228 0.244 0.010 0.019 http://onsemi.com 4 OUTLINE DIMENSIONS DT SUFFIX TSSOP CASE 948G−01 ISSUE O 14X K REF 0.10 (0.004) 0.15 (0.006) T U S M TU S V N S 2X L/2 14 8 0.25 (0.010) M L PIN 1 IDENT. 1 7 B − U− N F DETAIL E K K1 J J1 0.15 (0.006) T U S NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 3. DIMENSION A DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH, PROTRUSIONS OR GATE BURRS. MOLD FLASH OR GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.15 (0.006) PER SIDE. 4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION. INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION SHALL NOT EXCEED 0.25 (0.010) PER SIDE. 5. DIMENSION K DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003) TOTAL IN EXCESS OF THE K DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION. 6. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR REFERENCE ONLY. 7. DIMENSION A AND B ARE TO BE DETERMINED AT DATUM PLANE −W−. DIM A B C D F G H J J1 K K1 L M MILLIMETERS MIN MAX 4.90 5.10 4.30 4.50 −−− 1.20 0.05 0.15 0.50 0.75 0.65 BSC 0.50 0.60 0.09 0.20 0.09 0.16 0.19 0.30 0.19 0.25 6.40 BSC 0_ 8_ INCHES MIN MAX 0.193 0.200 0.169 0.177 −−− 0.047 0.002 0.006 0.020 0.030 0.026 BSC 0.020 0.024 0.004 0.008 0.004 0.006 0.007 0.012 0.007 0.010 0.252 BSC 0_ 8_ A −V− C 0.10 (0.004) −T− SEATING PLANE D G H DETAIL E http://onsemi.com 5 ÉÉÇ ÇÇ ÉÉÇ ÇÇ SECTION N−N −W− OUTLINE DIMENSIONS M SUFFIX SO−14 CASE 965−01 ISSUE O 14 8 LE Q1 E HE M_ L DETAIL P 1 7 Z D e A VIEW P NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH OR PROTRUSIONS AND ARE MEASURED AT THE PARTING LINE. MOLD FLASH OR PROTRUSIONS SHALL NOT EXCEED 0.15 (0.006) PER SIDE. 4. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR REFERENCE ONLY. 5. THE LEAD WIDTH DIMENSION (b) DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003) TOTAL IN EXCESS OF THE LEAD WIDTH DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION. DAMBAR CANNOT BE LOCATED ON THE LOWER RADIUS OR THE FOOT. MINIMUM SPACE BETWEEN PROTRUSIONS AND ADJACENT LEAD TO BE 0.46 ( 0.018). DIM A A1 b c D E e HE 0.50 LE M Q1 Z MILLIMETERS MIN MAX −−− 2.05 0.05 0.20 0.35 0.50 0.18 0.27 9.90 10.50 5.10 5.45 1.27 BSC 7.40 8.20 0.50 0.85 1.10 1.50 10 _ 0_ 0.70 0.90 −−− 1.42 INCHES MIN MAX −−− 0.081 0.002 0.008 0.014 0.020 0.007 0.011 0.390 0.413 0.201 0.215 0.050 BSC 0.291 0.323 0.020 0.033 0.043 0.059 10 _ 0_ 0.028 0.035 −−− 0.056 c b 0.13 (0.005) M A1 0.10 (0.004) http://onsemi.com 6 Notes ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner. PUBLICATION ORDERING INFORMATION LITERATURE FULFILLMENT: Literature Distribution Center for ON Semiconductor P.O. Box 61312, Phoenix, Arizona 85082−1312 USA Phone: 480−829−7710 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada Fax: 480−829−7709 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada Email: orderlit@onsemi.com N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free USA/Canada Japan: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center 2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051 Phone: 81−3−5773−3850 ON Semiconductor Website: http://onsemi.com Order Literature: http://www.onsemi.com/litorder For additional information, please contact your local Sales Representative. http://onsemi.com 7 MC74VHC04/D