| 1 | 27T332C | 3.3 µH 无屏蔽 绕线 电感器 1.2 A 160 毫欧最大 非标准 | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 2 | 27T152C | 1.5 µH 无屏蔽 绕线 电感器 1.6 A 100 毫欧最大 非标准 | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 3 | 23330C | 33 µH 无屏蔽 绕线 电感器 640 mA 497 毫欧最大 非标准 | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 4 | 2EDGVC-5.08-12P-14-130A(H) | 接线端子 P=5.08mm 12Pin | 下载 | Degson Electronical Co., Ltd. |
| 5 | 2N60G-CB-AA3-R | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;阈值电... | 下载 | Unisonic Technology Co., Ltd. |
| 6 | 2200148 | UM-PRO 72 Length 22.5 Color GY7035 | 下载 | Phoenix Contact |
| 7 | 2TJ432000DYFBC | 频率:32MHz;频率公差:±10ppm;负载电容:7pF; | 下载 | JYJE |
| 8 | 2H/2501H-4P*2+红白排 L=180mm | - | 下载 | ckmtw |
| 9 | 20P03-HXY | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):29W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):39mΩ@10V,15A; | 下载 | Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. Ltd. |
| 10 | 20N06HD-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,35A; | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 11 | 2N3773G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):140V;集电极电流(Ic):16A;功率(Pd):150W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@8A,4V... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 12 | 2SD2098 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 13 | 2SC2881 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):500mW; | 下载 | Rubycon Corporation |
| 14 | 2SD1628G-TD-E | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 15 | 2SA2016-TD-E | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):3.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 16 | 2SB1115 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压... | 下载 | Taiwan shike Electronics co.,ltd |
| 17 | 2SD1614 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):135@100mA,... | 下载 | Taiwan shike Electronics co.,ltd |
| 18 | 2SB805 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):700mA;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极... | 下载 | Taiwan shike Electronics co.,ltd |
| 19 | 2SA2013-TD-E | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):1.3W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 20 | 2SC3646S-TD-E | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100m... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
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