| 1 | GD32F307RCT6 | CPU内核:ARM Cortex-M4;CPU最大主频:120MHz;工作电压范围:-;内部振荡器:-;外部时钟频率范围:-;程序 FLASH容量:256KB;RA... | 下载 | Gigadevice |
| 2 | G1NP02ELL | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;... | 下载 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. |
| 3 | G8N03 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,8A;阈值... | 下载 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. |
| 4 | GSL6TVS13A | 21.5V 夹子 27.9A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMAF | 下载 | GOOD-ARK |
| 5 | GSL6TVS43A | 69.4V 夹子 8.6A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMAF | 下载 | GOOD-ARK |
| 6 | G15M | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.1V@1.5A;反向电流(Ir):5uA@1kV; | 下载 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
| 7 | GL80N03A4 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.8mΩ@10V,30A... | 下载 | Guanglei Electronic Technology Co., Ltd. |
| 8 | GH125-S07CCA-00 | 参考系列:GH;间距:1.25mm;插针结构:1x7P;排数:1;每排PIN数:7;行距:-;公母:公型插针;安装方式:立贴;额定电流:1A;工作温度范围:-25℃... | 下载 | JS |
| 9 | GRM1555C1H472JE01D | 容值:4.7nF;精度:±5%;额定电压:50V;材质(温度系数):C0G; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 10 | GR8837TCG | | 下载 | Grenergy |
| 11 | GX30H05 | | 下载 | Beijing Galaxy-CAS Technology Co., Ltd. |
| 12 | GP10-4007-E3--54 | 二极管 1000 V 1A 通孔 DO-204AL（DO-41） | 下载 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 13 | GP10-4005-E3--54 | 二极管 600 V 1A 通孔 DO-204AL（DO-41） | 下载 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 14 | GS7119ST-1P8-R | 输出类型:-; | 下载 | GREEN SOLUTION TECHNOLOGY CO., LTD. |
| 15 | GM8023B | 最高可达40V工作电压的继电器驱动芯片 | 下载 | GATEMODE |
| 16 | GR8853AJG | | 下载 | Grenergy |
| 17 | GM3085EP | 类型:收发器;驱动器/接收器:1/1;数据速率:1Mbps; | 下载 | GATEMODE |
| 18 | GT125N10T | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):192W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,... | 下载 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. |
| 19 | GSBAT46W | 二极管 100 V 150mA 表面贴装型 SOD-123 | 下载 | GOOD-ARK |
| 20 | GH43F | 类型:单极型;电源电压:-30V~40V;工作点(Gs):200Gs;释放点(Gs):170Gs;工作温度:-40℃~+150℃; | 下载 | GoChip Electronics Technology (Shanghai) Co., Ltd. |
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